【1.0版BSP88SIPMOS小信号三极管特征·N沟道·增强型·逻辑电平·dv / dt的额定产品概】,IC型号BSP88,BSP88 PDF资料,BSP88经销商,ic,电子元器件-51电子网

1.0版

BSP88

SIPMOS

小信号三极管

特征

·

N沟道

·

增强型

·

逻辑电平

·

dv / dt的额定

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

240

6

0.35

SOT-223

4

V

W

A

3

2

1

VPS05163

TYPE

BSP88

包

SOT-223

订购代码

Q67000-S070

磁带和卷轴信息

E6327 ： 3000个/卷

记号

BSP88

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

价值

0.35

0.28

单位

A

I

D

漏电流脉冲

T

A

=25°C

I

PULS

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

1.4

6

±20

1级

1.8

-55... +150

55/150/56

W

°C

KV / μs的

V

反向二极管的dv / dt

I

S

=0.35A,

V

DS

= 192V ，的di / dt = 200A / μs的，

T

JMAX

=150°C

门源电压

ESD敏感度（ HBM）按照MIL -STD 883

功耗

T

A

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

2002-11-12

1.0版

热特性

参数

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚4 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

BSP88

符号

分钟。

R

thjs

R

thJA

-

115

70

-

值

典型值。

-

马克斯。

25

K / W

单位

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=250A

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

240

0.6

值

典型值。

-

1

马克斯。

-

1.4

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=108A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=240V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=240V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

A

-

1

4.9

4.6

4

0.1

10

15

7.5

6

nA

W

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0

漏源导通电阻

V

GS

=2.8V,

I

D

=0.014A

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.32A

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=0.35A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2002-11-12

1.0版

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

I

SM

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=

I

S

V

R

=120V,

I

F=

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

BSP88

值

分钟。

典型值。

0.38

76

12

6

3.6

3.5

17.9

18.9

马克斯。

-

95

15

9

5.4

5.2

26.8

28.3

ns

S

pF

单位

符号

条件

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DS

2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.28A

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

0.19

-

V

DD

=120V,

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.35A,

R

G

=15W

V

DD

=192V,

I

D

=0.35A

-

0.2

2

4.5

2.7

0.3

3

6.8

-

nC

V

DD

=192V,

I

D

=0.35A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=192V,

I

D

= 0.35 A

I

S

V

T

A

=25°C

-

0.86

66

119

0.35

1.4

1.2

82

149

A

V

ns

nC

第3页

2002-11-12

1.0版

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

1.9

BSP88

2漏极电流

I

D

=

f

(T

A

)

参数：

V

GS

10 V

0.38

BSP88

W

1.6

1.4

A

0.32

0.28

P

合计

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

I

D

°C

1.2

0.24

0.2

0.16

0.12

0.08

0.04

0

20

40

60

80

100

120

160

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

10

1

BSP88

4瞬态热阻抗

Z

thJA

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

BSP88

A

t

P = 160.0μs

K / W

10

0

S(

on

)

/

I

D

1毫秒

R

D

10

-1

10毫秒

Z

thJA

10

0

=

V

D

S

10

1

I

D

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

10

-2

DC

10

-1

单脉冲

10

-3 0

10

1

10

2

V

10

3

10

-2 -5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

10 10 10 10 10 10 10 10

s

10

4

V

DS

第4页

t

p

2002-11-12

1.0版

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

0.64

BSP88

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

9

3.4V

3.8V

4V

0.48

4.4V

5V

6V

0.4

7V

10V

0.32

A

3.2V

W

7

R

DS （ ON）

6

5

4

3.4V

3.8V

4.4V

5V

6V

7V

10V

2.6V

3.2V

I

D

2.6V

0.24

3

0.16

2

1

0

0.08

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

DS

4

0.08 0.16 0.24 0.32

0.4

0.48

A

I

D

0.64

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

= 25 °C

0.64

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

)

参数：

T

j

= 25 °C

0.6

A

S

0.48

I

D

0.4

0.32

g

fs

0.5

1

1.5

2

2.5

3.5

0.4

0.3

0.24

0.2

0.16

0.1

0.08

0

V

0

0.08 0.16 0.24 0.32

0.4

0.48

V

GS

第5页

A

I

D

0.64

2002-11-12

BSP 88

SIPMOS

小信号晶体管

N沟道

增强型

逻辑电平

V

GS （ TH）

= 0.6...1.2V

销1

G

TYPE

BSP 88

TYPE

BSP 88

销2

D

3脚

S

引脚4

D

V

DS

240 V

I

D

0.32 A

R

DS （ ON）

8

包

SOT-223

记号

BSP 88

订购代码

Q67000-S070

磁带和卷轴信息

E6327

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

符号

值

240

单位

V

DS

V

DGR

V

GS

V

gs

I

D

R

GS

= 20 k

门源电压

栅源电压峰值，非周期性

连续漏电流

±

14

±

20

A

0.32

T

A

= 25 °C

直流漏电流，脉冲

I

Dpuls

1.28

T

A

= 25 °C

功耗

P

合计

1.7

W

T

A

= 25 °C

半导体集团

1

Sep-12-1996

BSP 88

最大额定值

参数

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

Therminal性，结焊接点

1)

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

符号

值

-55 ... + 150

≤

72

≤

12

E

55 / 150 / 56

K / W

单位

°C

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米

2

铜区的漏极连接

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

240

-

0.8

0.1

10

-

10

4

6

-

1.2

1

100

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

0.6

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

A

nA

-

8

15

V

DS

= 240 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 240 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

V

DS

= 100 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 0.32 A

V

GS

= 2.8 V,

I

D

= 14毫安

半导体集团

2

Sep-12-1996

BSP 88

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

0.14

0.34

80

15

8

-

S

pF

-

110

25

12

ns

-

5

8

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 0.32 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

10

15

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

30

40

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

25

35

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

Sep-12-1996

BSP 88

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

1.05

0.32

1.28

V

-

1.3

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 0.5 A,

T

j

= 25 °C

半导体集团

4

Sep-12-1996

BSP 88

功耗

P

合计

=

(T

A

)

漏电流

I

D

=

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

4 V

0.34

A

0.28

2.0

W

P

合计

1.6

1.4

1.2

1.0

I

D

0.24

0.20

0.16

0.8

0.12

0.6

0.08

0.4

0.2

0.0

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

0.04

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

=25°C

瞬态热阻抗

Z

日JA

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

2

K / W

10

1

Z

thJC

10

0

10

-1

D = 0.50

0.20

10

-2

0.10

0.05

10

-3

单脉冲

0.02

0.01

10

-4

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

10

10 s 10

t

p

半导体集团

5

Sep-12-1996

启示录

2.1

BSP88

SIPMOS

小信号三极管

特征

·

N沟道

·

增强型

·

逻辑电平

·

dv / dt的额定

产品概述

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

240

6

0.35

PG-SOT223

4

V

W

A

无铅镀铅;符合RoHS标准

无铅引线

2.8V额定

电镀;符合RoHS标准

符合AEC Q101标准

3

2

1

VPS05163

TYPE

BSP88

包

PG-SOT223

磁带和卷轴信息

L6327:

1000

个/卷

记号

BSP88

包装

非干

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

符号

参数

连续漏电流

T

A

=25°C

T

A

=70°C

价值

0.35

0.28

单位

A

I

D

漏电流脉冲

T

A

=25°C

I

PULS

dv / dt的

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

1.4

6

±20

1A （ >250V ， <500V ）

1.8

-55... +150

55/150/56

W

°C

KV / μs的

V

反向二极管的dv / dt

I

S

=0.35A,

V

DS

= 192V ，的di / dt = 200A / μs的，

T

JMAX

=150°C

门源电压

ESD

类（ JESD22 - A114- HBM ）

功耗

T

A

=25°C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

第1页

2009-08-18

启示录

2.1

热特性

参数

特征

热阻，结 - 焊接点

（引脚4 ）

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

BSP88

符号

分钟。

R

thjs

R

thJA

-

115

70

-

值

典型值。

-

马克斯。

25

K / W

单位

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0,

I

D

=250A

符号

分钟。

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

-

I

GSS

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

R

DS （ ON）

-

240

0.6

值

典型值。

-

1

马克斯。

-

1.4

单位

V

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

=108A

零栅极电压漏极电流

V

DS

=240V,

V

GS

=0,

T

j

=25°C

V

DS

=240V,

V

GS

=0,

T

j

=150°C

A

-

1

4.9

4.6

4

0.1

10

15

7.5

6

nA

W

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0

漏源导通电阻

V

GS

=2.8V,

I

D

=0.014A

漏源导通电阻

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.32A

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=0.35A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

页面

2

2009-08-18

启示录

2.1

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

反向二极管

逆二极管连续

正向电流

INV 。二极管直流，脉冲

I

SM

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

V

SD

t

rr

Q

rr

V

GS

=0,

I

F

=

I

S

V

R

=120V,

I

F=

l

S

,

di

F

/dt=100A/s

BSP88

值

分钟。

典型值。

0.38

76

12

6

3.6

3.5

17.9

18.9

马克斯。

-

95

15

9

5.4

5.2

26.8

28.3

ns

S

pF

单位

符号

条件

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

DS

2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=0.28A

V

GS

=0,

V

DS

=25V,

f=1MHz

0.19

-

V

DD

=120V,

V

GS

=4.5V,

I

D

=0.35A,

R

G

=15W

V

DD

=192V,

I

D

=0.35A

-

0.2

2

4.5

2.7

0.3

3

6.8

-

nC

V

DD

=192V,

I

D

=0.35A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=192V,

I

D

= 0.35 A

I

S

V

T

A

=25°C

-

0.86

66

119

0.35

1.4

1.2

82

149

A

V

ns

nC

页面

3

2009-08-18

启示录

2.1

1功耗

P

合计

=

f

(T

A

)

1.9

BSP88

2漏极电流

I

D

=

f

(T

A

)

参数：

V

GS

10 V

0.38

BSP88

W

1.6

1.4

A

0.32

0.28

P

合计

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

I

D

°C

1.2

0.24

0.2

0.16

0.12

0.08

0.04

0

20

40

60

80

100

120

160

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

A

= 25 °C

10

1

BSP88

4瞬态热阻抗

Z

thJA

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

2

BSP88

A

t

P = 160.0μs

K / W

10

0

S(

on

)

/

I

D

1毫秒

R

D

10

-1

10毫秒

Z

thJA

10

0

=

V

D

S

10

1

I

D

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.02

0.01

10

-2

DC

10

-1

单脉冲

10

-3 0

10

1

10

2

V

10

3

10

-2 -5

-4

-3

-2

-1

0

1

2

10 10 10 10 10 10 10 10

s

10

4

V

DS

页面

4

t

p

2009-08-18

启示录

2.1

5典型。输出特性

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

0.64

BSP88

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

=

f

(I

D

)

参数：

T

j

= 25 °C,

V

GS

9

3.4V

3.8V

4V

0.48

4.4V

5V

6V

0.4

7V

10V

0.32

A

3.2V

W

7

R

DS （ ON）

6

5

4

3.4V

3.8V

4.4V

5V

6V

7V

10V

2.6V

3.2V

I

D

2.6V

0.24

3

0.16

2

1

0

0.08

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

DS

4

0.08 0.16 0.24 0.32

0.4

0.48

A

I

D

0.64

7典型。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

);

V

DS

2 x

I

D

x

R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

= 25 °C

0.64

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

)

参数：

T

j

= 25 °C

0.6

A

S

0.48

I

D

0.4

0.32

g

fs

0.5

1

1.5

2

2.5

3.5

0.4

0.3

0.24

0.2

0.16

0.1

0.08

0

V

0

0.08 0.16 0.24 0.32

0.4

0.48

V

GS

页面

5

A

I

D

0.64

2009-08-18