BYG22A通BYG22D
威世通用半导体
超快雪崩整流器SMD
特点
薄型封装
适合自动放置
玻璃钝化结
低反向电流
低正向电压
软恢复特性
DO- 214AC （ SMA）的
超快速反向恢复时间
符合MSL等级1 ，符合per J -STD- 020 ， LF最大
260℃峰值
浸焊260 ° C， 40秒
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
主要特征
I
F（ AV ）
V
RRM
I
FSM
I
R
V
F
t
rr
E
R
T
J
马克斯。
2A
50 V至200 V
35 A
1.0 A
1.1 V
25纳秒
20兆焦耳
150 °C
典型应用
用于高频整流用和
开关模式转换器随心所欲的应用
和逆变器为消费，计算机，汽车和
电信。
机械数据
案例：
DO- 214AC （ SMA）的
环氧符合UL 94V- 0阻燃等级
终端：
雾锡镀线索，每焊
J- STD- 002和JESD22- B102
E3后缀消费档次，满足JESD 201级
1A晶须测试， HE3后缀为highreliability级
（ AEC Q101标准） ，符合JESD 201 2级
晶须测试
极性：
色环表示阴极结束
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
器件标识代码
最大重复峰值反向电压
平均正向电流
峰值正向浪涌电流为10ms单半
正弦波叠加在额定负荷
在雪崩模式脉冲能量，
不重复（感性负载开关关闭）
I
（ BR ）R
= 1 A，T
J
= 25 °C
工作结存储温度范围
V
RRM
I
F（ AV ）
I
FSM
符号
BYG22A
BYG22A
50
BYG22B
BYG22B
100
2.0
35
BYG22D
BYG22D
200
V
A
A
单位
E
R
T
J
, T
英镑
20
- 55至+ 150
mJ
°C
文档编号： 88959
修订： 27 - 8 - 07
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1
BYG22A通BYG22D
威世通用半导体
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大瞬时
正向电压
(1)
最大反向电流
最大反向恢复时间
注意：
（1 ）脉冲测试： 300微秒的脉冲宽度， 1 ％的占空比
测试条件
I
F
= 1.0 A
I
F
= 2.0 A
V
R
= V
RRM
T
J
= 25 °C
T
J
= 25 °C
T
J
= 100 °C
符号
V
F
I
R
t
rr
BYG22A
BYG22B
1.0
1.1
1
10
25
BYG22D
单位
V
A
ns
I
F
= 0.5 A，I
R
= 1.0 A，I
rr
= 0.25 A
热特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
参数
最大热电阻 - 结导联T
L
=常数。
最大热阻 - 结环境
注意事项：
（1）安装在环氧树脂玻璃硬组织
（2）安装在环氧树脂玻璃硬组织， 50毫米
2
35微米铜
（ 3 ）安装在铝氧化物陶瓷（铝
2
O
3
), 50 mm
2
35微米铜
符号
R
θJL
R
θJA
BYG22A
BYG22B
25
150
125
(2)
100
(3)
(1)
BYG22D
单位
° C / W
° C / W
订购信息
（例）
首选的P / N
BYG22A-E3/TR
BYG22A-E3/TR3
BYG22AHE3/TR
(1)
BYG22AHE3/TR3
(1)
注意：
（ 1 ）汽车级AEC Q101标准
单位重量（g ）
0.064
0.064
0.064
0.064
封装代码
TR
TR3
TR
TR3
基地数量
1800
7500
1800
7500
配送方式
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
直径7"塑料带和卷轴
直径13"塑料带和卷轴
额定值和特性曲线
(T
A
= 25
°C
除非另有说明）
10
2.5
V
R
=
V
RRM
正弦半波
2.0
R
θJA
≤
25 K / W
1.5
正向电流（ A）
1
T
J
= 150 °C
T
J
= 25 °C
0.1
平均正向电流（ A）
1.0
R
θJA
≤
125 K / W
0.01
0.5
R
θJA
≤
150 K / W
0.001
0.0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
0
20
40
60
80
100
120
140
160
前锋
电压
(V)
环境温度（ ℃）
图1.正向电流与正向电压
图2.最大。平均正向电流与环境温度
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BYG22A通BYG22D
威世通用半导体
100
V
R
=
V
RRM
140
T
A
= 125 °C
120
100
80
60
40
20
I
R
= 0.5 A，I
R
= 0.125 A
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
T
A
= 100 °C
T
A
= 75 °C
T
A
= 50 °C
10
反向恢复时间（纳秒）
反向电流（ μA ）
T
A
= 25 °C
1
结温（ ° C）
正向电流（ A）
图3.反向电流与结温
图6.最大。反向恢复时间与正向电流
50
60
反向功率耗散（MW ）
反向恢复电荷（ NC）
V
R
=
V
RRM
40
T
A
= 125 °C
50
T
A
= 100 °C
40
T
A
= 75 °C
30
T
A
= 50 °C
20
T
A
= 25 °C
10
I
R
= 0.5 A，I
R
= 0.125 A
30
P
R
- 限制
在100
% V
R
P
R
- 限制
at
80 % V
R
20
10
0
25
50
75
100
125
150
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
结温（ ° C）
正向电流（ A）
图4.最大。反向功率耗散与结温
图7.最大。反向恢复电荷与正向电流
70
F = 1 MHz的
60
热电阻脉冲电导率。 （K / W）
1000
二极管电容（pF ）
50
40
30
20
10
0
0.1
1
10
100
125 K / W DC
100
t
p
/T = 0.5
t
p
/T = 0.2
t
p
/T = 0.1
10
t
p
/T = 0.05
t
p
/T = 0.02
单脉冲
t
p
/T = 0.01
1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
反向
电压
(V)
脉冲长度（S ）
图5.二极管电容与反向电压
图8.热响应
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威世通用半导体
包装外形尺寸
以英寸（毫米）
DO- 214AC （ SMA）的
阴极带
贴装焊盘布局
0.066 (1.68)
分钟。
0.074 (1.88)
马克斯。
0.065 (1.65)
0.049 (1.25)
0.110 (2.79)
0.100 (2.54)
0.177 (4.50)
0.157 (3.99)
0.012 (0.305)
0.006 (0.152)
0.060 (1.52)
分钟。
0.208
（ 5.28 ） REF 。
0.090 (2.29)
0.078 (1.98)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.008 (0.203)
0 (0)
0.208 (5.28)
0.194 (4.93)
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文档编号： 91000
修订： 18 -JUL- 08
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