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INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

BU433

描述

-collector极 - 发射极

维持电压 -

: V

CEO （ SUS ）

= 375V （最小值）

高

开关速度

应用

·设计

对于在颜色的开关式电源使用

电视接收器。

绝对最大额定值（T

a

=25

℃)

符号

V

CES

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

B

参数

集电极 - 发射极电压V

BE

= 0

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流连续

集电极电流峰值

基极电流连续

基极电流峰值

集电极耗散功率

@ T

C

=25℃

结温

存储温度范围

价值

800

375

10

6

10

2

3

70

150

-65~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

I

BM

P

C

T

J

T

英镑

热特性

符号

R

第j个-C

参数

热阻，结到外壳

最大

1.1

单位

℃/W

ISC的网站： www.iscsemi.cn

INCHANGE半导体

ISC

产品speci fi cation

ISC

硅NPN功率晶体管

电气特性

T

C

= 25 ℃除非另有规定

符号

参数

条件

民

典型值。

BU433

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= 0.1A ;我

B

= 0; L = 25mH

B

375

V

V

CE(sat)-1

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 2.5A ;我

B

= 0.5A

1.5

V

V

CE(sat)-2

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 4A ;我

B

= 1.25A

B

3.0

V

V

BE(sat)-1

V

BE(sat)-2

基射极饱和电压

I

C

= 2.5A ;我

B

= 0.5A

I

C

= 4A ;我

B

= 1.25A

B

1.4

V

基射极饱和电压

1.6

1.0

2.0

10

V

I

CES

收藏家Cuto FF电流

V

CEM

=900V;V

BE

= 0

V

CEM

=900V;V

BE

= 0;T

J

=125℃

V

EB

= 10V ;我

C

=0

mA

I

EBO

发射Cuto FF电流

mA

h

FE

直流电流增益

I

C

= 0.6A ; V

CE

= 5V

40

f

T

电流增益带宽积

I

C

= 0.2A ; V

CE

= 10V ; F

TEST

= 1MHz的

6

兆赫

开关时间

μs

μs

μs

t

on

t

英镑

t

f

开启时间

I

C

= 2.5A ;我

B1

= 0.5A ;我

B2

= -1A;

V

CC

= 250V

0.5

0.6

贮存时间

2.0

3.5

下降时间

0.45

0.7

ISC的网站： www.iscsemi.cn

2

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