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BUZ 90一
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 90一
V
DS
600 V
I
D
4A
R
DS ( ON)
2
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1321-A3
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
4
单位
A
I
D
I
Dpuls
16
T
C
= 30 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流,通过限制
T
JMAX
雪崩能量,通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量,单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
4.5
8
mJ
I
D
= 4.5 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 29毫亨,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
320
V
GS
P
合计
±
20
75
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
1.67
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 90一
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
600
-
3
0.1
10
10
1.7
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 600 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
2
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.8 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 90一
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
2.5
3.8
780
110
40
-
S
pF
-
1050
170
70
ns
-
20
30
V
DS
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= 2.8 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.6 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
50
75
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.6 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
120
150
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.6 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
70
90
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.6 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 90一
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
1.1
350
3
4
16
V
-
1.2
ns
-
-
C
-
-
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 8 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 90一
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数:
V
GS
10 V
4.5
A
80
W
P
合计
I
D
60
3.5
3.0
50
2.5
40
2.0
30
1.5
1.0
0.5
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
20
10
0
0
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
10
1
t
= 18.0s
p
Z
thJC
10
0
100 s
D
10
-1
1毫秒
DS
/I
=V
D = 0.50
0.20
0.10
R
10
0
DS
(上
)
10毫秒
10
-2
0.05
0.02
0.01
单脉冲
10
-1
0
10
10
1
10
2
DC
V 10
3
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ90A
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BUZ90A
Siemens
1922+
9825
TO-220
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BUZ90A
INF
21+22+
12600
TO-220
原装正品
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
BUZ90A
INF
0050+
1
TO-220
原装正品,支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ:173779730 复制
电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
BUZ90A
INF
21+
33375
SC70-5
有挂就有货 支持订货.备货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:12979146271572952678 复制 点击这里给我发消息 QQ:1693854995 复制

电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
BUZ90A
INFINEON
21+
10000
TO-220AB
原装自家现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制

电话:021-51875986/51872153
联系人:陈小姐 张先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
BUZ90A
SIEMENS/西门子
21+
29000
TO-220
全新原装,欢迎订购!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ90A
SIEMENS/西门子
2443+
23000
TO-220
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BUZ90A
SIEMENS/西门子
24+
21000
TO-220
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息

电话:18926544209/18025435189
联系人:夏小姐/朱先生
地址:深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BUZ90A
西门子
24+
32000
TO-220
百分百原装现货,价格优势,欢迎查询!
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电话:0755-82561519 0755-82567969 18928435545
联系人:李
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
BUZ90A
Infineon/英飞凌
1807+
6585
TO-220
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