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BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
版权所有 1997年,创新动力有限公司, UK
1978年8月 - 修订1997年3月
q
专为配套使用的
BD745系列
在25 ° C的温度115 W
B
SOT- 93封装
( TOP VIEW )
1
q
q
q
q
20 A连续集电极电流
25 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAA
C
2
绝对最大额定值
在25℃的情况下的温度(除非另有说明)
等级
BD746
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
BD746A
BD746B
BD746C
BD746
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
BD746A
BD746B
BD746C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流(见注1 )
连续基极电流
连续器件耗散(或低于) 25 ℃的外壳温度(见注2 )
在(或低于) 25℃自由空气温度连续设备损耗(见注3 )
非钳位电感负载的能量(见注4 )
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注:1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
T
A
T
j
T
英镑
T
L
2
符号
价值
-50
-70
-90
-110
-45
-60
-80
-100
-5
-20
-25
-7
115
3.5
90
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
单位
V
CBO
V
V
首席执行官
V
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
°C
该值适用于吨
p
0.3毫秒,占空比
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.92的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作:L = 20毫亨,我
B(上)
= -0.4 A,R
BE
= 100
,
V
BE (OFF)的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD746
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
(见注5 )
BD746A
BD746B
BD746C
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CE
= -110 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -110 V
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1 A
I
C
= -5 A
I
C
= -20 A
I
C
= -5 A
I
C
= -20 A
I
C
= -5 A
I
C
= -20 A
I
C
= -1 A
I
C
= -1 A
(见注5和6)
(见注5和6)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
5
(见注5和6)
40
20
5
-1
-3
-1
-3
V
V
150
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
BD746/746A
BD746B/746C
-45
-60
-80
-100
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-5
-5
-5
-5
-0.1
-0.1
-0.5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
1.1
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= -5 A
V
BE (OFF)的
= 4.2 V
I
B(上)
= -0.5 A
R
L
= 6
I
B(关闭)
= 0.5 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
20
120
600
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
TCS636AE
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
I
C
= 10
I
B
t
p
= 300μS ,占空比< 2 %
TCS636AF
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
10
-0·1
-1·0
-10
-100
T
C
= -55°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS635AC
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 1毫秒,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10毫秒,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50毫秒,
d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
-0·01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
120
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS635AB
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图4中。
产品
信息
4
BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
1978年8月 - 修订1997年3月
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形,并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时,清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
3,95
4,15
1,37
1,17
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一:中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
产品
信息
5
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·采用TO- 3PN封装
·补充输入BD745 / A / B / C
·高电流能力
·高功耗
应用
·对于电源线使用,
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BD746/A/B/C
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
参数
BD746
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD746A
BD746B
BD746C
BD746
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD746A
BD746B
BD746C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
T
a
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
-50
-70
-90
-110
-45
-60
-80
-100
-5
-20
-25
-7
115
3.5
150
-65~150
V
A
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
BD746
集电极 - 发射极
击穿电压
BD746A
I
C
= -30mA ;我
B
=0
BD746B
BD746C
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
为-1
V
BE -2
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
BD746/A
I
首席执行官
集电极截止电流
BD746B/C
BD746
BD746A
I
CBO
集电极截止电流
BD746B
BD746C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
CE
=-50V; V
BE
=0
T
C
=125
V
CE
=-70V; V
BE
=0
T
C
=125
V
CE
=-90V; V
BE
=0
T
C
=125
V
CE
=-110V; V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -20A ; V
CE
=-4V
40
20
5
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
I
C
= -20 A;我
B
=-5 A
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -20A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-80
-100
条件
-45
-60
符号
BD746/A/B/C
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
V
-1.0
-3.0
-1.0
-3.0
V
V
V
V
-0.1
-0.1
-5.0
-0.1
-5.0
-0.1
-5.0
-0.1
-5.0
-0.5
mA
mA
mA
150
开关时间阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -5 A;我
B1
=-I
B2
=-0.5 A
V
BE (OFF)的
= 4.2V ;
L
=6A
t
p
=20s
0.02
0.12
0.6
0.3
s
s
s
s
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
2
最大
1.1
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD746/A/B/C
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
描述
·带
TO- 3PN封装
.Complement
输入BD745 / A / B / C
电流能力
功耗
应用
For
在电源线使用,
切换应用程序
钉扎
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
描述
BD746/A/B/C
·
Fig.1简化外形( TO- 3PN )和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
BD746
BD746A
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD746B
BD746C
BD746
BD746A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD746B
BD746C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
C
T
j
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
T
C
=25℃
集电极耗散功率
T
a
=25℃
结温
储存温度
3.5
150
-65~150
集电极开路
开基
-80
-100
-5
-20
-25
-7
115
W
V
A
A
A
发射极开路
-90
-110
-45
-60
V
条件
价值
-50
-70
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
BD746
集电极 - 发射极
击穿电压
BD746A
I
C
= -30mA ;我
B
=0
BD746B
BD746C
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
为-1
V
BE -2
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
基射极电压上
BD746/A
I
首席执行官
集电极截止电流
BD746B/C
BD746
BD746A
I
CBO
集电极截止电流
BD746B
BD746C
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
V
CE
= -60V ;我
B
=0
V
CE
=-50V; V
BE
=0
T
C
=125℃
V
CE
=-70V; V
BE
=0
T
C
=125℃
V
CE
=-90V; V
BE
=0
T
C
=125℃
V
CE
=-110V; V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= -5V ;我
C
=0
I
C
= -1A ; V
CE
=-4V
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -20A ; V
CE
=-4V
40
20
5
I
C
= -5 A;我
B
=-0.5 A
I
C
= -20 A;我
B
=-5 A
I
C
= -5A ; V
CE
=-4V
I
C
= -20A ; V
CE
=-4V
V
CE
= -30V ;我
B
=0
-80
-100
条件
-45
-60
BD746/A/B/C
典型值。
最大
单位
V
( BR ) CEO
V
-1.0
-3.0
-1.0
-3.0
V
V
V
V
-0.1
-0.1
-5.0
-0.1
-5.0
-0.1
-5.0
-0.1
-5.0
-0.5
mA
mA
mA
150
开关时间阻性负载
t
d
t
r
t
s
t
f
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
I
C
= -5 A;我
B1
=-I
B2
=-0.5 A
V
BE (OFF)的
= 4.2V ;
L
=6Ω
t
p
=20μs
0.02
0.12
0.6
0.3
μs
μs
μs
μs
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
2
最大
1.1
单位
℃/W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅PNP功率晶体管
包装外形
BD746/A/B/C
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.10 MM)
3
BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
专为配套使用的
BD745系列
在25 ° C的温度115 W
20 A连续集电极电流
25 A集电极电流峰值
提供客户指定的选择
C
B
SOT- 93封装
( TOP VIEW )
1
2
E
3
销2与安装底座的电接触。
MDTRAAA
在25 ℃的情况下绝对最大额定值(除非另有说明)
等级
BD746
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
BD746A
BD746B
BD746C
BD746
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
BD746A
BD746B
BD746C
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流(见注1 )
连续基极电流
连续器件耗散(或低于) 25 ℃的外壳温度(见注2 )
在(或低于) 25℃自由空气温度连续设备损耗(见注3 )
非钳位电感负载的能量(见注4 )
工作自由空气的温度范围
工作结温范围
存储温度范围
从案例铅温度3.2毫米10秒
注:1 。
2.
3.
4.
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
P
合计
½LI
C
2
T
A
T
j
T
英镑
T
L
V
首席执行官
V
CBO
符号
价值
-50
-70
-90
-110
-45
-60
-80
-100
-5
-20
-25
-7
115
3.5
90
-65到+150
-65到+150
-65到+150
260
V
A
A
A
W
W
mJ
°C
°C
°C
°C
V
V
单位
该值适用于吨
p
0.3毫秒,占空比
10%.
降额直线到150℃的情况下的温度以0.92的比率W / ℃。
线性降额至150℃自由空气温度在28毫瓦/ ℃的速率。
此评价是基于晶体管的能力在一个电路安全地操作:L = 20毫亨,我
B(上)
= -0.4 A,R
BE
= 100
,
V
BE (OFF)的
= 0, R
S
= 0.1
,
V
CC
= -20 V.
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
1
BD746 , BD746A , BD746B , BD746C
PNP硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD746
V
( BR ) CEO
I
C
= -30毫安
I
B
= 0
(见注5 )
BD746A
BD746B
BD746C
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
I
CBO
集电极截止
当前
V
CE
= -110 V
V
CE
= -50 V
V
CE
= -70 V
V
CE
= -90 V
V
CE
= -110 V
I
首席执行官
I
EBO
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= -30 V
V
CE
= -60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
-5 V
-4 V
-4 V
-4 V
-0.5 A
-5 A
-4 V
-4 V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= -1 A
I
C
= -5 A
I
C
= -20 A
I
C
= -5 A
I
C
= -20 A
I
C
= -5 A
I
C
= -20 A
I
C
= -1 A
I
C
= -1 A
(见注5和6)
(见注5和6)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
5
(见注5和6)
40
20
5
-1
-3
-1
-3
V
V
150
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
T
C
= 125°C
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
BD746/746A
BD746B/746C
-45
-60
-80
-100
-0.1
-0.1
-0.1
-0.1
-5
-5
-5
-5
-0.1
-0.1
-0.5
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
V
CE
= -10 V
V
CE
= -10 V
|
h
fe
|
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
1.1
35.7
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
d
t
r
t
s
t
f
测试条件
I
C
= -5 A
V
BE (OFF)的
= 4.2 V
I
B(上)
= -0.5 A
R
L
= 6
I
B(关闭)
= 0.5 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
20
120
600
300
最大
单位
ns
ns
ns
ns
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1978年8月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
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PNP硅功率晶体管
典型特征
典型的直流电流增益
vs
集电极电流
1000
TCS636AE
集电极 - 发射极饱和电压
vs
集电极电流
V
CE ( SAT )
- 集电极 - 发射极饱和电压 - V
-10
I
C
= 10
I
B
t
p
= 300μS ,占空比< 2 %
TCS636AF
T
C
= 125°C
T
C
= 25°C
T
C
= -55°C
h
FE
- 直流电流增益
-1·0
100
-0·1
V
CE
= -4 V
t
p
= 300微秒,占空比< 2 %
10
-0·1
-1·0
-10
-100
T
C
= -55°C
T
C
= 25°C
T
C
= 125°C
-0·01
-0·1
-1·0
-10
-100
I
C
- 集电极电流 - 一个
I
C
- 集电极电流 - 一个
图1 。
图2中。
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
-100
SAS635AC
I
C
- 集电极电流 - 一个
-10
t
p
= 1毫秒,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 10毫秒,
d = 0.1 = 10%
t
p
= 50毫秒,
d = 0.1 = 10%
直流操作
-1·0
-0·1
BD746
BD746A
BD746B
BD746C
-0·01
-1·0
-10
-100
-1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
网络连接gure 3 。
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3
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PNP硅功率晶体管
热信息
最大功率耗散
vs
外壳温度
120
P
合计
- 最大功耗 - W
TIS635AB
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
T
C
- 外壳温度 - C
图4中。
4
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PNP硅功率晶体管
机械数据
SOT-93
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形,并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时,清洗或处理。
SOT-93
4,90
4,70
4,1
4,0
15,2
14,7
1,37
1,17
3,95
4,15
16,2 MAX 。
12,2 MAX 。
31,0 TYP 。
18,0 TYP 。
1
1,30
1,10
2
3
0,78
0,50
11,1
10,8
2,50 TYP 。
以毫米为单位所有长度
注一:中心引脚与安装标签的电接触。
MDXXAW
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