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SIPMOS
功率晶体管
BUZ 72
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
100 V
I
D
10 A
R
DS （上
)
0.2
包
订购代码
BUZ 72
的TO-220 AB
C67078-S1313-A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
C
= 25 C
I
D
A
10
漏电流脉冲
T
C
= 25 C
I
Dpuls
40
I
AR
E
AR
E
AS
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 10 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 885 H,
T
j
= 25 C
10
7.9
mJ
59
V
GS
P
合计
门源电压
功耗
T
C
= 25 C
±
20
40
V
W
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
C
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
K / W
数据表
1
05.99
BUZ 72
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 C
V
（ BR ） DSS
V
100
-
-
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
V
GS （ TH）
2.1
I
DSS
3
4
A
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 C
-
-
I
GSS
0.1
10
1
100
nA
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
-
R
DS （ ON）
10
100
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 6 A
-
0.15
0.2
数据表
2
05.99
BUZ 72
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 6 A
g
fs
S
3
4.3
-
pF
-
400
530
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
国际空间站
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
C
OSS
-
C
RSS
120
180
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
-
t
D（上）
70
105
ns
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
t
r
10
15
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
t
D（关闭）
45
70
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
t
f
55
75
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
-
40
55
数据表
3
05.99
BUZ 72
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
T
C
= 25 C
I
S
A
-
-
10
逆二极管直流，脉冲
T
C
= 25 C
I
SM
-
V
SD
-
40
V
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 20 A
-
t
rr
1.4
1.6
ns
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
Q
rr
170
-
C
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
-
0.3
-
数据表
4
05.99
BUZ 72
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
11
A
45
W
P
合计
35
30
25
20
15
I
D
9
8
7
6
5
4
3
10
5
0
0
2
1
0
20
40
60
80
100
120
C
160
0
20
40
60
80
100
120
C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25C
10
2
t
= 43.0s
p
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
=
/
I
D
I
D
10
1
DS
V
100 s
Z
thJC
10
0
R
DS
(o
n)
1毫秒
10
-1
D = 0.50
10毫秒
0.20
0.10
10
-2
0.05
0.02
10
0
DC
单脉冲
0.01
10
-1
0
10
10
1
V 10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
数据表
5
05.99
BUZ 72
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 72
V
DS
100 V
I
D
10 A
R
DS （ ON）
0.2
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1313-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
10
单位
A
I
D
I
Dpuls
40
T
C
= 25 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
10
7.9
mJ
I
D
= 10 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 885 H,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
59
V
GS
P
合计
±
20
40
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 72
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
100
-
3
0.1
10
10
0.15
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.2
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 6 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 72
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
3
4.3
400
120
70
-
S
pF
-
530
180
105
ns
-
10
15
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 6 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
45
70
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
55
75
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
40
55
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 72
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.4
170
0.3
10
40
V
-
1.6
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 20 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 72
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
11
A
45
W
P
合计
35
30
25
20
15
I
D
9
8
7
6
5
4
3
10
5
0
0
2
1
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
t
= 43.0s
p
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
/
I
D
10
1
R
DS
(o
n)
=
I
D
DS
V
100 s
Z
thJC
10
0
1毫秒
10
-1
D = 0.50
10毫秒
0.20
0.10
10
-2
0.05
0.02
10
0
DC
单脉冲
0.01
10
-1
0
10
10
1
V 10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
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推荐型号
B1668
B82559A3232A025
BZX384-C68
BZX384C68
BX80531P180G128
BMB1812P1A500ETLF
B43305A5187M060
BUZ91
B43508G2827M080
B41866C4157M000
BL-XJF361-TR7
BZX84C8V2LT3
BCX17T/R
BU4229G
BP5716
B37941K5474K070
B37920K5470J060
B43866A2227M002
BS62LV1028TI
BS616LV8017_06
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ72
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市春涛电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：996334048 复制 点击这里给我发消息 QQ：570120875 复制
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联系人：王云
地址：深圳市华强北上步204栋五楼520室
BUZ72
SIEMENS
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11280
TO-220
进口原装!优势现货!
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ72
SIEMENS/西门子
2443+
23000
NA
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BUZ72
INFINEON/英飞凌
24+
9634
TO-220
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BUZ72
VB
25+23+
35500
TO-263
绝对原装进口现货！渠道优势供应!
深圳勤思达科技有限公司
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电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
BUZ72
SIE正品
13+
25800
TO-220
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
深圳市深科创科技有限公司
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电话：0755-83247290
联系人：吴先生/吴小姐/李小姐
地址：深圳市福田区航都大厦17F1
BUZ72
SIEMENS
23+
2548
原厂原封装
绝对进口原装，公司现货
深圳和润天下电子科技有限公司
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电话：0755-83798683
联系人：许先生
地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室
BUZ72
INFINEON/英飞凌
22+
91388
TO-220
源辰芯科技（深圳）有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1076493713 复制 点击这里给我发消息 QQ：173779730 复制
电话：0755-82170267
联系人：李经理
地址：深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
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SIEMENS/西门子
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联系人：夏小姐/朱先生
地址：深圳市福田区华强北街道福强社区振华路89号恒邦时代大厦1栋1514
BUZ72
SIEMENS/西门子
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32000
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联系人：李
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BUZ72
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7198
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