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BUZ 355
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 355
V
DS
800 V
I
D
6A
R
DS （ ON）
1.5
包
TO- 218 AA
订购代码
C67078-S3107-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
6
单位
A
I
D
I
Dpuls
24
T
C
= 29 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
5.1
15
mJ
I
D
= 6 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 37.5赫兹，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
720
V
GS
P
合计
±
20
125
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
1
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 355
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
800
-
3
-
10
10
0.9
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
1.5
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3.9 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 355
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
2.5
6.8
1750
190
100
-
S
pF
-
2350
290
150
ns
-
25
40
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 3.9 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
130
200
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
400
530
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
130
175
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.1 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 355
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
0.95
0.3
2.5
4
16
V
-
1.4
s
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 12 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 355
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
6.5
A
5.5
130
W
110
P
合计
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
I
D
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
t
= 23.0s
p
I
D
10
1
D
Z
thJC
100 s
10
0
/I
=V
DS
10
-1
1毫秒
D = 0.50
0.20
0.10
10
0
R
DS
（上
)
10毫秒
10
-2
0.05
0.02
0.01
DC
10
-1
0
10
10
1
单脉冲
3
10
2
V 10
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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B43896G2476M001
B37940K5010C870
BDP954
B43504A2477M002
B43564A2229M003
BYY54-100
BS-C83DRD
BQ2114B-KT
BH85331J
BJTTLDL050M
BR1225AFA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ355
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：0755-88291559
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BUZ355
INFINEON/英飞凌
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P-TO218-3-1
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BUZ355
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BUZ355
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BUZ355
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BUZ355
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BUZ355
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联系人：李
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电话：0755-83259954/0755-82701784
联系人：李小姐/李先生/罗小姐/汪先生
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