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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第486页 > BDP954
BDP952...BDP956
PNP硅自动对焦功率晶体管
用于AF的驱动级和输出级
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BDP951 ... BDP955 （NPN）
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1





4
3
2
1
VPS05163
TYPE
BDP952
BDP954
BDP956
最大额定值
参数
记号
BDP 952
BDP 954
BDP 956
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
包
SOT223
SOT223
SOT223
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
BDP952
80
100
5
BDP954
100
120
5
BDP956
单位
120
140
5
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 99 °C
结温
储存温度
热阻
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thjs
3
5
200
500
3
150
-65 ... 150
A
mA
W
°C
结 - 焊接点
1)
17
K / W
Jul-06-2001
BDP952...BDP956
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0
BDP952
BDP954
BDP956
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
BDP952
BDP954
BDP956
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 2 A,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
V
BESAT
-
-
1.5
V
CESAT
h
FE
25
40
15
-
-
-
-
-
-
475
-
0.8
I
EBO
-
-
100
I
CBO
-
-
20
I
CBO
-
-
100
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
100
120
140
5
-
-
-
-
-
-
-
-
V
（ BR ） CEO
80
100
120
-
-
-
-
-
-
典型值。
马克斯。
单位
V
nA
A
nA
-
V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1 ）脉冲测试：吨
≤=
300
S，D = 2 ％
f
T
C
cb
-
-
100
40
-
-
兆赫
pF
2
Jul-06-2001
BDP952...BDP956
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
3.2
W
10
3
K / W
10
2
2.4
P
合计
2
R
thjs
10
1
1.6
10
1.2
0
0.8
10
-1
0.4
10
-2 -6
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
T
S
t
p
允许的脉冲负载
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
V
CE
= 2V
10
3
P
totmax
/ P
totDC
-
-
100°C
25°C
h
FE
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
-50°C
10
2
10
1
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
1 0
10
10
1
10
2
10
3
mA
10
4
t
p
I
C
3
Jul-06-2001
BDP952...BDP956
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CB
= 45V
10
5
nA
I
C
=
f
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
4
mA
10
4
10
3
I
CBO
10
3
I
C
最大
10
2
10
2
100°C
25°C
-50°C
10
1
典型值
10
1
10
0
10
-1
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
0.8
T
A
V
CESAT
基射极饱和电压
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
I
C
=
f
(V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
4
mA
V
CE
= 2V
10
4
mA
10
3
10
3
10
2
-50°C
25°C
100°C
I
C
I
C
10
2
-50°C
25°C
100°C
10
1
10
1
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
BESAT
V
BE
4
Jul-06-2001
BDP 952
PNP硅自动对焦功率晶体管
对于自动对焦驱动器和输出级
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BDP951 ... BDP955 （ NPN ）
TYPE
BDP 952
BDP 954
BDP 956
订购代码标识
BDP 952 Q62702 - D1340
BDP 954 Q62702 - D1342
BDP 956 Q62702 - D1344
引脚配置
1=B
1=B
1=B
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
包
SOT-223
SOT-223
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BDP 952
BDP 954
BDP 956
集电极 - 基极电压
BDP 952
BDP 954
BDP 956
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 99°C
结温
储存温度
热阻
交界处的环境
1)
符号
值
80
100
120
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
100
120
140
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1
5
3
5
200
500
W
150
- 65 ... + 150
≤
42
≤
17
°C
mA
A
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米
2
Cu
半导体集团
Nov-28-1996
BDP 952
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
V
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
100
-
25
40
15
-
475
-
V
-
0.8
1.5
nA
A
nA
-
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BDP 952
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BDP 954
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BDP 956
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
I
C
= 100 A,
I
B
= 0 ， BDP 952
I
C
= 100 A,
I
B
= 0 ， BDP 954
I
C
= 100 A,
I
B
= 0 ， BDP 956
基极 - 发射极击穿电压
100
120
140
V
（ BR ） EBO
5
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
-
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 25 °C
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 2 A,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
V
CESAT
V
BESAT
-
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
AC特性
跃迁频率
f
T
-
100
40
-
兆赫
pF
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
2
Nov-28-1996
BDP 952
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
3.2
10
3
K / W
W
T
S
T
A
R
thjs
10
2
P
合计
2.4
2.0
10
1
1.6
10
0
1.2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0.8
10
-1
0.4
0.0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
10
-2
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F（T
p
)
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 2V
10
3
10
3
-
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
h
FE
-
100°C
25°C
10
2
-50°C
10
1
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
10
1
0
10
10
1
10
2
10
3
mA
I
C
半导体集团
3
Nov-28-1996
BDP 952
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
V
CB
= 45V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= F（V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
5
nA
10
4
mA
10
4
I
CBO
10
3
最大
10
2
I
C
10
3
100°C
25°C
-50°C
10
2
10
1
典型值
10
1
10
0
10
-1
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
0.8
V
CESAT
基射极饱和电压
I
C
= F（V
BESAT
),
h
FE
= 10
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 2V
10
4
10
4
mA
mA
I
C
10
3
-50°C
25°C
100°C
10
2
I
C
10
3
10
2
-50°C
25°C
100°C
10
1
10
1
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
BESAT
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
BE
半导体集团
4
Nov-28-1996
BDP948 ， BDP950 ， BDP954
PNP硅自动对焦功率晶体管
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BDP947 ， BDP949
BDP953 （ NPN ）
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
4
2
1
3
TYPE
BDP948
BDP950
BDP954
记号
BDP948 1 = B
BDP950 1 = B
BCP954 1 = B
2=C
2=C
2=C
引脚配置
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
-
-
-
-
-
-
包
SOT223
SOT223
SOT223
1
2008-10-10
BDP948 ， BDP950 ， BDP954
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BDP948
BDP950
BDP954
集电极 - 基极电压
BDP948
BDP950
BDP954
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流，
t
p
≤
10毫秒
基极电流
峰值电流基地
总功率dissipation-
T
S
≤
100 °C
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
V
CBO
符号
V
首席执行官
价值
45
60
100
45
60
120
5
3
5
200
500
5
150
-65 ... 150
单位
V
A
mA
W
°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
1
含有铅，
符号
R
thjs
价值
≤
10
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
对于计算
R
thJA请参考应用笔记热阻
2
2008-10-10
BDP948 ， BDP950 ， BDP954
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BDP948
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BDP950
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0， BDP954
V
（ BR ） CEO
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
V
45
60
100
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
A
-
-
-
-
-
0.1
20
100
nA
-
25
85
50
15
-
-
-
-
-
-
-
475
-
-
0.5
1.3
V
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BDP948
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BDP950
I
C
= 100 A,
I
E
= 0， BDP954
V
（ BR ） CBO
45
60
120
V
（ BR ） EBO
I
CBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
5
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0
V
CB
= 45 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射基截止电流
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
I
EBO
h
FE
-
直流电流增益
1)
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 1 A,
V
CE
= 2 V BDP948 ， BDP950
BDP954
I
C
= 1 A,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
V
CESAT
V
BESAT
-
-
基极发射极饱和电压
1)
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 100兆赫
1
脉冲
f
T
C
cb
-
-
100
40
-
-
兆赫
pF
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
3
2008-10-10
BDP948 ， BDP950 ， BDP954
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 2 V
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
(V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
4
mA
-
10
3
h
FE
I
C
10
2
10
2
100°C
25°C
-50°C
100 °C
25 °C
-50 °C
10
1
10
1 0
10
10
1
10
2
10
3
mA
10
4
10
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
V
0.6
I
C
V
CESAT
基射极饱和电压
I
C
= (V
BESAT
),
h
FE
= 10
10
4
mA
集电极电流
I
C
=
(V
BE
)
V
CE
= 2 V
10
4
mA
10
3
10
3
10
2
-50°C
25°C
100°C
-50°C
25°C
100°C
10
2
I
C
10
1
I
C
10
1
10
0
0
10
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
1.3
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
1.3
V
BESAT
V
BE
4
2008-10-10
BDP948 ， BDP950 ， BDP954
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
(T
A
)
V
CB
= 45 V
10
5
nA
10
4
集电极 - 基极电容
C
cb
=
(V
CB
)
发射极 - 基极电容
C
eb
=
(V
EB
)
425
pF
350
C
CB
(C
EB
)
I
CB0
10
3
最大
300
250
200
150
CEB
10
2
10
1
典型值
100
10
0
50
建行
10
-1
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
0
0
4
8
12
16
V
22
T
A
V
CB
(V
EB
)
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
允许的脉冲负载
R
thjs
=
(t
p
)
5.5
W
10
2
4.5
4
R
thjs
P
合计
10
1
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
10
0
D = 0,5
0,2
0,1
0,05
0,02
0,01
0,005
0
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
s
tp
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2008-10-10
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