BUZ351
半导体
数据表
1998年10月
文件编号2266.1
11.5A , 400V , 0.400 Ohm的N通道功率
MOSFET
特点
11.5A , 400V
[ /标题
这是一个N沟道增强型硅栅功率
r
DS ( ON)
= 0.400
(BUZ35
音响场效晶体管设计的应用程序,例如
SOA是功耗有限公司
1)
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
/子
纳秒的开关速度
继电器驱动器,以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速,低栅极驱动电源。
拍摄对象
线性传输特性
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
(11.5A,
高输入阻抗
400V,
以前发育类型TA17434 。
多数载波设备
0.400
订购信息
相关文献
欧姆,
- TB334 “指南焊锡表面贴装
包
BRAND
N-二常用信
产品型号
组件到PC板“
BUZ351
TO-218AC
BUZ351
NEL
动力
注:订货时,使用整个零件编号。
符号
MOSFET导
D
FET)
/作者
G
()
/密钥 -
S
WORDS
(哈里斯
半
传导
包装
JEDEC TO- 218AC
器, N-
信
来源
NEL
漏
门
漏极(法兰)
动力
MOSFET导
场效应管,
TO -
220AB)
/ Cre-
员( )
/ DOCIN
PDF- FO
标志
[ /页面 -
模式
/使用 -
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-800-4-HARRIS
|
版权
1998年哈里斯公司
BUZ351
半导体
数据表
1998年10月
文件编号2266.1
11.5A , 400V , 0.400 Ohm的N通道功率
MOSFET
特点
11.5A , 400V
[ /标题
这是一个N沟道增强型硅栅功率
r
DS ( ON)
= 0.400
(BUZ35
音响场效晶体管设计的应用程序,例如
SOA是功耗有限公司
1)
开关稳压器,开关转换器,电机驱动器,
/子
纳秒的开关速度
继电器驱动器,以及用于高功率双极开关的驱动
晶体管需要高速,低栅极驱动电源。
拍摄对象
线性传输特性
这种类型的可以直接从集成电路来操作。
(11.5A,
高输入阻抗
400V,
以前发育类型TA17434 。
多数载波设备
0.400
订购信息
相关文献
欧姆,
- TB334 “指南焊锡表面贴装
包
BRAND
N-二常用信
产品型号
组件到PC板“
BUZ351
TO-218AC
BUZ351
NEL
动力
注:订货时,使用整个零件编号。
符号
MOSFET导
D
FET)
/作者
G
()
/密钥 -
S
WORDS
(哈里斯
半
传导
包装
JEDEC TO- 218AC
器, N-
信
来源
NEL
漏
门
漏极(法兰)
动力
MOSFET导
场效应管,
TO -
220AB)
/ Cre-
员( )
/ DOCIN
PDF- FO
标志
[ /页面 -
模式
/使用 -
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-800-4-HARRIS
|
版权
1998年哈里斯公司