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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第484页 > BCR185S
BCR185...
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 10 k ,
R
2
= 47 k )
BCR185S ：两个内部隔离
晶体管具有良好的匹配
在一个多芯片封装
BCR185S ：对于方位盘看
下面的包信息
无铅（符合RoHS标准）封装
1)
合格的依据AEC Q101
BCR185/F/W
C
3
BCR185S
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07173
TYPE
BCR185
BCR185F
BCR185S
BCR185W
记号
WNS
WNS
WNS
WNS
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
包
SOT23
TSFP-3
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1
2007-08-02
BCR185...
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
输入正向电压
输入反向电压
集电极电流
总功率dissipation-
BCR185
T
S
≤
102°C
BCR185F,
T
S
≤
128°C
BCR185S,
T
S
≤
115°C
BCR185W,
T
S
≤
124°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
2)
BCR185
BCR185F
BCR185S
BCR185W
1
含有铅，
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
我（ FWD ）
V
我（ REV ）
I
C
P
合计
价值
50
50
40
6
100
200
250
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
90
≤
140
≤
105
°C
单位
K / W
包可能是可根据特殊要求
2
对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
2
2007-08-02
BCR185...
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
单位
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 6 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1
脉冲
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/R
2
f
T
C
cb
50
-
-
70
-
0.5
0.5
7
0.19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
0.21
200
3
-
100
167
-
0.3
1
1.4
13
0.24
-
-
nA
A
-
V
k
-
兆赫
pF
测试：吨< 300μS ; < 2 ％
3
2007-08-02
BCR185...
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
h
FE
= 20
1
V
0.8
V
CESAT
h
FE
10
2
0.7
0.6
0.5
0.4
10
1
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
0.3
0.2
0.1
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
0 -4
10
10
-3
10
-2
A
10
-1
0
-3
10
10
-2
A
10
-1
I
C
I
C
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
V
V
我（关闭）
V
我（上）
10
1
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
-40 °C
-25 °C
25 °C
85 °C
125 °C
10
0
10
0
10
-1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
-1 -5
10
10
-4
10
-3
10
-2
A
10
-1
I
C
I
C
4
2007-08-02
BCR185...
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185
300
mW
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185F
300
mW
250
225
250
225
P
合计
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
200
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185S
300
mW
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185W
300
mW
250
225
250
225
P
合计
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
P
合计
200
200
175
150
125
100
75
50
25
0
0
15
30
45
60
75
90 105 120
°C
150
T
S
T
S
5
2007-08-02
BCR185.../SEMB9
PNP硅晶体管数字
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
内置偏置电阻（R
1
= 10k ,
R
2
= 47k )
对于6引脚封装： 2 （电流）的内部
隔离晶体管具有良好的匹配
在一个封装中
BCR185/F/L3
BCR185T/W
C
3
BCR185S/U
SEMB9
C1
6
B2
5
E2
4
R
1
R
1
R
2
TR2
R
1
R
2
TR1
R
2
1
B
2
E
EHA07183
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07173
TYPE
记号
引脚配置
包
BCR185
BCR185F
BCR185L3
BCR185S
BCR185T
BCR185U
BCR185W
SEMB9
WNS
WNS
WN
WNS
WNS
WNS
WNS
WN
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
2=E
2=E
2=E
2=E
2=E
3=C
3=C
3=C
3=C
3=C
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
SOT23
TSFP-3
TSLP-3-4
SC75
SOT323
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SC74
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT666
1
Jun-14-2004
BCR185.../SEMB9
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
集电极电流
总功率dissipation-
BCR185
T
S
≤
102°C
BCR185F,
T
S
≤
128°C
BCR185L3,
T
S
≤
135°C
BCR185S,
T
S
≤
115°C
BCR185T,
T
S
≤
109°C
BCR185U,
T
S
≤
118°C
BCR185W,
T
S
≤
124°C
SEMB9,
T
S
≤
75°C
结温
储存温度
热阻
参数
结 - 焊接点
1)
BCR185
BCR185F
BCR185L3
BCR185S
BCR185T
BCR185U
BCR185W
SEMB9
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
价值
50
50
6
20
100
200
250
250
250
250
250
250
250
单位
V
mA
mW
T
j
T
英镑
符号
R
thjs
150
-65 ... 150
价值
≤
240
≤
90
≤
60
≤
140
≤
165
≤
133
≤
105
≤
300
°C
单位
K / W
2
Jun-14-2004
BCR185.../SEMB9
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
符号
值
单位
参数
分钟。
典型值。马克斯。
DC特性
-
-
集电极 - 发射极击穿电压
V
（ BR ） CEO
50
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
V
（ BR ） CBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R
1
R
1
/
R
2
50
-
-
70
-
0,5
0,5
7
0,19
-
-
-
-
-
-
-
10
0,21
-
100
167
-
0,3
1
1,4
13
0,24
k
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
nA
A
-
V
发射基截止电流
V
EB
= 6 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0,3 V
输入电阻
电阻率
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1PULSE测试：吨< 300μS ; < 2 ％
f
T
C
cb
-
-
200
3
-
-
兆赫
pF
3
Jun-14-2004
BCR185.../SEMB9
直流电流增益
h
FE
=
(I
C
)
V
CE
= 5 V （共发射极配置）
10
3
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0
0.2
0.4
0.6
V
1
I
C
V
CESAT
输入电压
V
i
（上）
=
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
输入过电压
V
我（关闭）
=
(I
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-3
0
0.5
1
V
2
V
我（上）
V
我（关闭）
4
Jun-14-2004
BCR185.../SEMB9
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185F
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185L3
300
总功耗
P
合计
=
(T
S
)
BCR185S
300
mW
mW
P
合计
150
P
合计
120
°C
200
200
150
100
100
50
50
0
0
20
40
60
80
100
150
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
T
S
5
Jun-14-2004
BCR185S
PNP硅数字晶体管阵列
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
二（电流）的内部分离晶体管
在一个封装好的匹配
内置偏置电阻（R
1
=10k ,
R
2
=47k )


C1
6
B2
5
E2
4
4
5
6



2
1
3
VPS05604
R
2
R
1
TR1
R
2
1
E1
2
B1
3
C2
EHA07173
TR2
R
1
TYPE
BCR185S
最大额定值
参数
记号
WNS
引脚配置
包
1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT363
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
价值
50
50
6
20
100
250
150
-65 ... 150
单位
V
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 115 °C
结温
储存温度
mA
mW
°C
热阻
结 - 焊接点
1)
R
thjs

140
K / W
1对于计算
R
thJA
请参考应用笔记热阻
1
Dec-13-2001
BCR185S
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
值
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10 A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
V
EB
= 6 V,
I
C
= 0
直流电流增益1 ）
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
电阻率
R
1
/R
2
输入电阻
V
我（上）
R
1
V
我（关闭）
V
CESAT
h
FE
I
EBO
I
CBO
V
（ BR ） EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
典型值。
马克斯。
单位
50
50
-
-
-
70
-
0.5
0.5
7
0.19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
10
0.21
-
-
-
100
167
-
0.3
1
1.4
13
0.24
V
nA
A
-
V
-
AC特性
跃迁频率
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
C
cb
-
3
-
pF
f
T
-
200
-
兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300秒; < 2 ％
2
Dec-13-2001

k

BCR185S
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
3
V
CESAT
=
f
(I
C
),
h
FE
= 20
10
2
-
mA
h
FE
10
2
I
C
10
1
10
1
10
0 -1
10
0
1
10
10
mA
10
2
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
V
1.0
I
C
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
f
(I
C
)
输入过电压
V
我（关闭）
=
f
(I
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
10
2
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
1
mA
mA
10
0
10
1
I
C
I
C
10
-1
10
0
10
-2
10
-1 -1
10
0
1
10
10
V
10
2
10
-3
0.0
0.5
1.0
V
2.0
V
我（上）
V
我（关闭）
3
Dec-13-2001
BCR185S
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
)
300
mW
P
合计
200
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
150
T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
K / W
10
3
P
totmax
/ P
totDC
-
10
2
10
2
10
1
10
0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
R
thjs
10
1
10
-1 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
10
0 -6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
s
10
0
t
p
t
p
4
Dec-13-2001
BCR 185S
PNP硅数字晶体管阵列
开关电路，逆变器，接口电路，
驱动电路
两个（电流）的内部分离晶体管
在一个封装中
内置BIASE电阻（R
1
= 10kΩ的，R
2
=47k)
TYPE
BCR 185S
订购代码标识引脚配置
WNS
包
经询问1 = E1 2 = B 3 = C2 = 4 E2 5 = B2 6 = C1 SOT- 363
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
DC集电极电流
总功耗，
T
S
= 115°C
结温
储存温度
符号
值
50
50
6
20
100
250
150
- 65 ... + 150
mA
mW
°C
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
V
我（上）
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
热阻
交界处的环境
1)
R
thJA
R
thjs
≤
275
≤
140
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 0.5厘米
2
Cu
半导体集团
1
Nov-27-1996
BCR 185S
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
50
-
-
-
-
-
-
-
-
10
0.21
-
-
V
I
C
= 100 A,
I
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
50
I
C
= 10 A,
I
B
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
100
nA
A
-
167
-
70
-
V
-
0.3
1
1.4
13
0.24
k
-
V
CB
= 40 V,
I
E
= 0
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
0.5
V
EB
= 6 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 5 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
I
C
= 10毫安，
I
B
- 0.5毫安
输入过电压
I
C
= 100 A,
V
CE
= 5 V
输入电压
V
我（上）
0.5
I
C
= 2毫安，
V
CE
= 0.3 V
输入电阻
电阻率
R
1
R
1
/R
2
7
0.19
AC特性
跃迁频率
f
T
-
200
3
-
兆赫
pF
-
-
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
2
Nov-27-1996
BCR 185S
直流电流增益
h
FE
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
集电极 - 发射极饱和电压
V
CESAT
=
F（我
C
),
h
FE
= 20
10
3
10
2
-
h
FE
10
2
I
C
mA
10
1
10
1
10
0
-1
10
10
0
10
1
mA
I
C
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
V
1.0
V
CESAT
输入电压
V
我（上）
=
F（我
C
)
V
CE
= 0.3V （共发射极配置）
输入过电压
V
我（关闭）
=
F（我
C
)
V
CE
= 5V （共发射极配置）
10
2
10
1
mA
mA
I
C
10
1
I
C
10
0
10
-1
10
0
10
-2
10
-1
-1
10
10
0
10
1
V
V
我（上）
10
-3
0.0
0.5
1.0
V
2.0
V
我（关闭）
半导体集团
3
Nov-27-1996
BCR 185S
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
300
mW
P
合计
200
T
S
T
A
150
100
50
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F（T
p
)
10
3
10
3
K / W
-
R
thjs
10
2
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
10
1
10
0
10
-1
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
半导体集团
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Nov-27-1996
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B43540A5227M082
B82144A2682K000
B88069X4420C251
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BUZ351
B82422H1154
BCR08AS-12A
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B65812-W1008-D1
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电话：0755-83226745/82584980
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