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BUZ 323
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
销2
3脚
G
D
S
TYPE
V
DS
I
D
R
DS （上
)
包
订购代码
BUZ 323
400 V
15 A
0.3
TO- 218 AA
C67078-S3127-A2
最大额定值
参数
符号
值
单位
连续漏电流
T
C
= 25 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
D
= 15 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 6.14 mH的，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
I
D
15
I
Dpuls
60
I
AR
E
AR
E
AS
15
18
A
mJ
790
V
GS
P
合计
170
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
±
20
V
W
≤
0.74
75
E
55 / 150 / 56
K / W
半导体集团
1
03/99
BUZ 323
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
漏源击穿电压
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 9.5 A
V
（ BR ） DSS
400
V
GS （ TH）
2.1
I
DSS
-
-
I
GSS
-
R
DS （ ON）
-
0.25
0.3
10
100
0.1
10
1
100
3
4
-
-
V
A
nA
半导体集团
2
03/99
BUZ 323
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
值
典型值。
马克斯。
单位
跨
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 9.5 A
输入电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
上升时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
下降时间
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
g
fs
8
C
国际空间站
-
C
OSS
-
C
RSS
-
t
D（上）
120
180
320
480
2300
3000
14.5
-
S
pF
ns
-
t
r
40
65
-
t
D（关闭）
75
115
-
t
f
270
350
-
130
170
半导体集团
3
03/99
BUZ 323
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管连续正向电流
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 30 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
I
S
-
I
SM
-
V
SD
-
t
rr
-
Q
rr
-
7.8
-
145
-
1.1
1.5
-
60
-
15
A
V
ns
C
半导体集团
4
03/99
BUZ 323
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
16
180
W
P
合计
140
120
100
I
D
A
12
10
8
80
6
60
4
40
20
0
0
2
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
t
P = 1000.0ns
10 s
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
A
I
D
10
1
R
DS
K / W
Z
thJC
10
-1
/
I
D
100 s
n)
=
V
DS
(o
1毫秒
10毫秒
D = 0.50
0.20
10
0
10
-2
0.10
0.05
DC
单脉冲
0.02
0.01
10
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3
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-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
03/99
BUZ 323
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 323
V
DS
400 V
I
D
15 A
R
DS （ ON）
0.3
包
TO- 218 AA
订购代码
C67078-S3127-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
15
单位
A
I
D
I
Dpuls
60
T
C
= 25 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩电流，通过限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，单脉冲
I
AR
E
AR
E
AS
15
18
mJ
I
D
= 15 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 6.14 mH的，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
790
V
GS
P
合计
±
20
170
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
半导体集团
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
0.74
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
1
07/96
BUZ 323
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
400
-
3
0.1
10
10
0.25
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 400 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.3
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 9.5 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 323
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
8
14.5
2300
320
120
-
S
pF
-
3000
480
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ns
-
40
65
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 9.5 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
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V
DS
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f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
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115
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
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= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
270
350
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
130
170
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.9 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 323
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.1
120
0.25
15
60
V
-
1.5
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 30 A
反向恢复时间
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 100 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 323
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
16
180
W
A
P
合计
140
120
100
I
D
12
10
8
80
6
60
4
40
20
0
0
2
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
2
t
= 1000.0ns
p
10 s
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
A
K / W
I
D
10
1
100 s
Z
thJC
10
-1
DS
(o
n)
=V
DS
/I
D
1毫秒
R
10毫秒
D = 0.50
0.20
10
0
10
-2
0.10
0.05
DC
单脉冲
0.02
0.01
10
-1
0
10
10
1
10
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V 10
3
10
-3
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10
-6
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-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
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BYD167A
BL-BD03J7M
BZX1.5C10
BUX53
BS-A325RE
BZV86
BT138Y-600E
BLC120J112B4D
BUW45
BZX85C10RL
BL-HE032A
BFN23
BD15IC0WHFV
BUK7520-55A
BA6840BFP
BROCHURE
BTW67-800
B43508A2128M080
B84143B0250S020
BAS21WT
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ323
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
江苏芯钻时代电子科技有限公司
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电话：18913062888
联系人：陈先生
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Infineon Technologies
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原装正品现货
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地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
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INFINEON
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联系人：李
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Infineon Technologies
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10000
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原厂一级代理，原装现货
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联系人：陈泽强
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INF
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CAN3/4
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华胜英科技有限公司
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联系人：郭
地址：深圳市福田区华强北华强广场B座
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原装正品 力挺实单
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联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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英飞凌代理现货
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联系人：张女士
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联系人：张女士
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INFINEON/英飞凌
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