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首字符B的型号第27页
> BUZ172
BUZ 172
SIPMOS
功率晶体管
P沟道
增强型
额定雪崩
销1
G
销2
D
3脚
S
TYPE
BUZ 172
V
DS
-100 V
I
D
-5.5 A
R
DS ( ON)
0.6
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1451-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
-5.5
单位
A
I
D
I
Dpuls
-22
T
C
= 37 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩能量,单脉冲
E
AS
170
mJ
I
D
= -5.5 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
L
= 8.4 mH的,
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
40
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻,片式案例
热电阻,芯片到环境
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型, DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
3.1
≤
75
E
55 / 150 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
07/96
BUZ 172
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) DSS
-100
-
-3
-0.1
-10
-10
0.4
-
-4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= -0.25毫安,
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS ( TH)
-2.1
V
GS =
V
DS ,
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-1
-100
A
V
DS
= -100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= -100 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
-100
nA
-
0.6
V
GS
= -20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS ( ON)
V
GS
= -10 V,
I
D
= -3.7 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 172
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
1
2
800
220
90
-
S
pF
-
1200
330
140
ns
-
20
30
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS ( ON)最大值,
I
D
= -3.7 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= -25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D(上)
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.8 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
120
180
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.8 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D(关闭)
-
70
90
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.8 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
55
75
V
DD
= -30 V,
V
GS
= -10 V,
I
D
= -2.8 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 172
电气特性,
at
T
j
= 25℃ ,除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流,脉冲
A
-
-
-
-
-1
200
0.75
-5.5
-22
V
-
-1.3
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= -11 A
反向恢复时间
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= -30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 172
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数:
V
GS
≥
-10 V
-6.0
A
-5.0
45
W
P
合计
35
30
25
20
15
10
5
0
0
I
D
-4.5
-4.0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数:
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
-10
2
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数:
D =吨
p
/
T
10
1
K / W
A
I
D
-10
1
t
= 25.0s
p
100 s
Z
thJC
10
0
=
V
DS
/
I
D
1毫秒
DS
(o
n)
10
-1
D = 0.50
0.20
10毫秒
R
-10
0
0.10
10
-2
DC
单脉冲
0.05
0.02
0.01
-10
-1
0
-10
-10
1
V -10
2
10
-3
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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BUZ172
PDF信息
推荐型号
B82791-G15-A14
BXA10-48D12J
BE12-1A66-V
BK-1608HS121TK
B72510T0200K062
BB16AV-FC
BQ24751A
BQ24707RGRR
B3841
BR93H66RFJ-W
BT168DW
BTS6144B
BS62UV2006SIG10
BA17808FP
BAT43W-7
BS62LV1027TCP55
BD-A405ND
BA6845FS-E2
BD8905F
B7841
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
深圳市壹芯创科技有限公司
QQ:
QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
BUZ172
-
-
-
-
终端采购配单精选
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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QQ:2881677436
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QQ:2881620402
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电话:18922805453
联系人:连
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BUZ172
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BUZ172
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原装正品现货
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电话:0755-83242658
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BUZ172
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100%原装正品,只做原装正品
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QQ:2881793588
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUZ172
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联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BUZ172
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