飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
概述
玻璃钝化，敏感栅
在一个塑料外壳晶闸管
适于表面安装，
拟用于剩余电流使用
设备/接地故障中断器/
漏电流断路器
（ RCD / GFI / LCCB ）
应用
其中最小的我
GT
是必要的限度。
这些装置可以通过接口
直接向微控制器，逻辑
集成电路和其它低
电源门极触发电路。
BT168W系列
快速参考数据
符号
V
DRM
,
V
RRM
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BT168
重复峰值
断态电压
平均态
当前
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
MAX 。 MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
BW
200
0.6
1
8
DW
400
0.6
1
8
EW
500
0.6
1
8
GW
600
0.6
1
8
V
A
A
A
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
TAB
描述
阴极
阳极
门
阳极
引脚配置
4
符号
a
k
1
2
3
g
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
参数
条件
分钟。
-
半正弦波;
T
sp
≤
112 C
所有的导通角
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
半正弦波;
T
j
= 25℃至暴涨前
T = 10毫秒
I
TM
= 2 A;我
G
= 10毫安;
dI
G
/ DT = 100毫安/微秒
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
B
200
1
马克斯。
D
400
1
E
500
1
G
600
1
单位
V
A
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A
V
V
W
W
C
C
V
DRM
, V
RRM
重复峰值断态
电压
I
T（ AV ）
I
T（ RMS ）
I
TSM
平均通态电流
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
0.63
1
8
9
0.32
50
1
5
5
2
0.1
150
125
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
V
RGM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值反向栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
在任何20毫秒期
储存温度
工作结
温度
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可能晶闸管
切换到接通状态。电流上升率应不超过15 A / μs的。
1997年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J-一
参数
热阻
结点到焊点
热阻
结到环境
条件
分钟。
-
PCB安装，占用空间最小
PCB安装，垫区域，如图： 14
-
-
BT168W系列
典型值。
-
156
70
马克斯。
15
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
I
L
I
H
V
T
V
GT
I
D
, I
R
参数
门极触发电流
闭锁电流
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 10毫安;门开路
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.5毫安;
GK
= 1 k
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.5毫安;
GK
= 1 k
I
T
= 2 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 10毫安;门开路
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
T
= 10毫安;牛逼
j
= 125 C;
门开路
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; V
R
= V
RRM （最大）
; T
j
= 125 C;
R
GK
= 1 k
分钟。
20
-
-
-
-
0.2
-
典型值。
50
2
2
1.35
0.5
0.3
0.05
马克斯。
200
6
5
1.5
0.8
-
0.1
单位
A
mA
mA
V
V
V
mA
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
t
q
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
换向电路
打开-O FF时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;
GK
= 1 k
I
TM
= 2 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 10毫安;
dI
G
/ DT = 0.1 A / μs的
V
D
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
I
TM
= 1.6 A; V
R
= 35 V ;的dI
TM
/ DT = 30 A / μs的;
dV
D
/ DT = 2 V / μs的;
GK
= 1 k
分钟。
-
-
-
典型值。
25
2
100
马克斯。
-
-
-
单位
V / μs的
s
s
1997年9月
2
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晶闸管
对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
BT168W系列
1
P合计/ W
传导形式
角
因素
度
a
30
4
60
2.8
90
2.2
120
1.9
180
1.57
BT169W
TSP （最大值） / C
a = 1.57
1.9
2.2
110
10
ITSM / A
BT169
IT
我TSM
0.8
113
8
2.8
4
116
6
时间
T
TJ初始= 25℃最高
0.6
0.4
119
4
0.2
122
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
IF （ AV ） / A
0.5
0.6
125
0.7
0
1
10
100
半周期在50Hz数
1000
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与
平均通态电流I
T（ AV ）
，其中a =形式
系数= I
T（ RMS ）
/ I
T（ AV ）
.
ITSM / A
BT169
图4 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
1000
2
IT （ RMS ） / A
BT134W
1.5
100
1
10
IT
T
我TSM
时间
0.5
TJ初始= 25℃最高
1
10us
100us
T / S
1ms
10ms
0
0.01
0.1
1
10
浪涌持续时间/秒
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
10ms.
BT134W
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
sp
≤
112C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
IT （ RMS ） / A
1.6
112 C
BT151
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0
50
TSP / C
100
150
0
-50
0.4
-50
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与焊点温度T
sp
.
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年9月
3
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对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
BT168W系列
3
2.5
2
1.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT169
5
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
BT169W
4
VO = 1.0 V
卢比= 0.27欧姆
3
典型值
最大
2
1
1
0.5
0
-50
0
0
0.5
1
VT / V
1.5
2
2.5
0
50
TJ / C
100
150
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
2
1.5
1
0.5
BT169
100
第i个J- SP （K / W）
BT169W
10
1
P
D
tp
0.1
t
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
, R
GK
= 1 k
.
IH（ TJ）
IH （ 25℃ ）
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- SP
，与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT （V /美国）
3
2.5
BT169
1000
100
2
1.5
1
0.5
0
-50
1
10
RGK = 1千欧
0
50
TJ / C
100
150
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
,
R
GK
= 1 k
.
图12 。断态电压上升的典型，爆击率，
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年9月
4
启1.100
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对于RCD / GFI / LCCB应用程序的逻辑电平
安装说明
BT168W系列
尺寸（mm） 。
3.8
民
1.5
民
2.3
1.5
民
(3x)
6.3
1.5
民
4.6
图13 。焊接花纹表面贴装SOT223 。
印刷电路板
尺寸（mm） 。
36
18
60
9
4.6
4.5
10
7
15
50
图14 。 PCB热电阻和功率额定值SOT223 。
PCB ： FR4环氧玻璃（1.6毫米厚） ，铜层压板（ 35
米厚） 。
1997年9月
5
启1.100
QQ：2880707522 复制
