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初步数据
BUZ 100SL - 4
SIPMOS
功率晶体管
四通道
增强型
逻辑电平
雪崩额定值
dv / dt的额定
TYPE
BUZ 100SL - 4
V
DS
55 V
I
D
7.4 A
R
DS （ ON）
0.023
包
P-DSO-28
订购代码
C67078 -S 。 。 。 .- 。 。
最大额定值
参数
连续漏电流
一个通道激活
符号
值
7.4
单位
A
I
D
I
Dpuls
29.6
T
A
= 25 °C
漏电流脉冲
一个通道激活
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
380
dv / dt的
6
mJ
I
D
= 7.4 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 13.8毫亨，
T
j
= 25 °C
反向二极管的dv / dt
KV / μs的
I
S
= 7.4 A,
V
DS
= 40 V ，二
F
/ DT = 200 A / μs的
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
，一个通道激活
V
GS
P
合计
±
14
2.4
V
W
T
A
= 25 °C
工作温度
储存温度
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
-55 ... + 175
-55 ... + 175
55 / 175 / 56
°C
半导体集团
1
01/Oct/1997
初步数据
BUZ 100SL - 4
热特性
参数
符号
分钟。
热阻，结 - 焊接点
1)
热阻，结 - 环境
2)
值
典型值。
-
-
马克斯。
待定
62.5
K / W
单位
R
thjs
R
thJA
-
-
1 ）设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米
2
（ 1层， 70微米厚）的铜区
漏极连接点。 PCB是垂直的不吹气。
2 ）一个通道激活
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
55
-
1.6
-
0.1
-
10
0.019
-
2
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
1.2
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 130 A
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-
0.1
1
100
A
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
0.023
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 5 V,
I
D
= 7.4 A
半导体集团
2
01/Oct/1997
初步数据
BUZ 100SL - 4
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
20
-
2130
600
320
-
S
pF
-
2660
750
400
ns
-
37
55
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 7.4 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 7.4 A
R
G
= 2.3
上升时间
t
r
-
67
100
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 7.4 A
R
G
= 2.3
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
91
140
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 7.4 A
R
G
= 2.3
下降时间
t
f
-
42
3
58
93
2.92
65
nC
-
4.5
86
140
V
-
3
-
01/Oct/1997
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 5 V,
I
D
= 7.4 A
R
G
= 2.3
栅极电荷的门槛
Q
G（ TH ）
Q
g(5)
-
V
DD
= 40 V,
I
D
≥
0.1 A,
V
GS
= 0到1伏
栅极电荷为5.0 V
V
DD
= 40 V,
I
D
= 7.4 A,
V
GS
= 0至5伏
栅极电荷总量
Q
克（总量）
-
V
DD
= 40 V,
I
D
= 7.4 A,
V
GS
= 0到10伏
栅极电压平台
V
（高原）
V
DD
= 40 V,
I
D
= 7.4 A
半导体集团
初步数据
BUZ 100SL - 4
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
0.9
75
0.21
7.4
29.6
V
-
1.6
ns
-
115
C
-
0.315
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 14.8 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
01/Oct/1997
初步数据
BUZ 100SL - 4
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
5 V
7.5
A
6.5
2.8
W
2.4
P
合计
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
I
D
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
A
T
A
半导体集团
5
01/Oct/1997
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