TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
62毫米C- Serien MODUL麻省理工学院低损耗IGBT2 UND EMCON二极管
低损耗IGBT2和EMCON二极管62毫米C系列模块
BSM400GA120DLC
()* + !,-
(/ + 4 ,-5 ()* + 2! ,-
(/ + !,-5 ()* + 2! ,-
./01
6/ 789
6/
6/>?
<B8B
.C01
#
()* + !,-
()* + 2 !,-
./0 HIB
.C0BK
LC
CN7B
.
.
-NQH
-SQH
6/01
6C01
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
Y 87
522
52
5 :
5
5!!
5!
5
5 4
5!
52
5
!5!
5
25"
:5
25
!5
2
: !
4
!
DE
#
F#
5:
5J
:5!
.
.
;
;
;
IGBT - Wechselrichter / IGBT逆变器
$
$
3-
＆ LT ;
@
@
'
%
.
A
＆放大器;
'
%
3
$
'
＆放大器;
'
'
＆放大器;
'
'
Hchstzulssige Werte /最大额定值
=+2
(/ + !,-5 ()* + 2! ,-
Charakteristische Werte /特征值
$
@
'
@
'
6
% '
A
$
@
'
%
%
'
T'
U
;
'
U
;
T'
U
R
U
U
V
W
W
'
'
;
'
$
&-
6
c
'
'
\
G
A
5`
G
5
A
'
＆ LT ;
＆ LT ;
'
U
V
W
U
W
'
U
#V
W
W
%
＆放大器;
%
A
'
'
'
@
'
'
'
A
G
G
&G “
'
'
'
'
6/ +
6/ +
6/ + 2:5
;5 .C0 + 2! .
;5 .C0 + 2! .
;5 ./0 + .C05 ()* + !,-
.
.
.
M-
O
R
R
;
;
M
M
M
M
M
M
M
M
[
[
[
[
.C0 + 2 ！ 。 ### D2 ！ 。
()* + !,-
+2
+2
第5页（ ） * + ， - ！ 5 ./0 + ！ 0.5 .C0 +
第5页（ ） * + ， - ！ 5 ./0 + ！ 0.5 .C0 +
.5 .C0 +
.5 .C0 +
.5 ()* + !,-
./0 + 2
./0 +
.5 ()* + !,-
.
6/ +
;5 ./0 + :
.C0 + X2 ！ 。
C87 + 5 O
6/ +
;5 ./0 + :
.C0 + X2 ！ 。
C87 + 5 O
.
S
#V
W
W
6/ +
;5 ./0 + :
.C0 + X2 ！ 。
C8ZZ + 5 O
6/ +
;5 ./0 + :
.C0 + X2 ！ 。
C8ZZ + 5 O
6/ +
;5 ./0 + :
.C0 + X2 ！ 0.5 V1 + J
C87 + 5 O
6/ +
;5 ./0 + :
.C0 + X2 ！ 0.5 V1 + J
C8ZZ + 5 O
.
8ZZ
.
Z
%
.
P
.
P
%87
"45
%8ZZ
!25
= ] 2M的5 .C0 ] 2 ！ 。
（ ） * + 2 - 5 // + J 0.5 ./09I^ + ./01 VH / 0 _ ê
6@a(
6@a(
6 @一（E
6@a(
D = IHBQ + 2欧盟_ $ W é
deSQIHQ + 2
欧盟_ $ W
61/
BKB /
BK /女
5 2:
5 !
;
$E
$E
!
" ＃
1
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
'
()* + !,-
0.>> ？
6g
2
.
;
4
!
#
.
.
+ 2
; EM
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
()* + !,-
()* + 2 !,-
.g
6>?
254
25
＆ QUOT ; ！
＆ QUOT ;
25
4 5
2:5
""5
5 J
5
4
$E
$E
#
F#
5"
5
;
;h
二极管Wechselrichter /二极管逆变器
＆ LT ;
3
3-
＆ LT ;
@
6h
'
A
＆放大器;
A
'
=+2
0.> +
.5 = + 2
＆放大器;
'
Hchstzulssige Werte /最大额定值
6g>?
5 ()* + 2 !,-
6h
Charakteristische Werte /特征值
3
A
'
'
6g +
6g +
;5 .C0 +
;5 .C0 +
gE
6g +
;5
0.> + ： 。
.C0 + 2! .
＆放大器;
T'
'
;
'
＆ LT ;
'
A
5`
c
'
'
G
5
A
3
E
D = IHBQ + 2欧盟_ $ W é
deSQIHQ + 2
欧盟_ $ W
'
'
6g +
;5
0.> + ： 。
.C0 + 2! .
6g +
;5
0.> + ： 。
.C0 + 2! .
3
.
.
;
;
M-
M-
[
[
gE
+ 2
; EM
LS
gE
+ 2
; EM
SQI ％
BKB /
BK /女
6
G
!
" ＃
2
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
&5 + ！ P 5 + 2
#
.j1kl
5!
-
.
MODUL /模块
6
＆ LT ;
'
'
6
$
'
V
. '
$
'
'
'
G
5
G
' A
-
5
PT
F
(
V '
'
;
;
@ A
A '
'
'
'
s
#
s
#;
#
#a
'
'
＆放大器;
＆放大器;
＆放大器;
E
E
E
A
A
A
:
:
@
G
`
“ &
＆放大器;
A
'
5
(/ + !,-5
＆放大器;
E
A
//pq00p
5!
O
A
D = IHBQ + 2
A '
F
'
$
$
$
$
$
$
$
$
T
E
T
E
-(6
#
c
E
欧盟_ $ W é deSQIHQ + 2
欧盟_ $ W
BK /女
VH/0
o
!
#
5 2
2:
F#
$E
P
E
225
E
'
; M N
5
;
5a
5a
-
-
E6
E6
5a
5a
-
-
()* 9I^
()* 8r
（ HBe抗体
"5
252
5!
＆ QUOT ;
2!
2 !
2 !
:5
5
!5
,-
,-
,-
t
t
t
'
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine
Eigenschaften zugesichert 。在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但保证没有的特点。
它适用于有相应的技术说明。
!
" ＃
3
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
#U
U
W
W
6 / + U. / 0W
()* + 2 !,-
;
'
'
6@a(
6@a(
#U
U
W
W
;
'
'
6@a(
6@a(
6 / + U. / 0W
.C0 + 2! .
800
720
640
560
480
6 / U ， V
6 / U ， V
()* + !,-
()* + 2 !,-
800
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0,0
'
6@a(
.C0 + 2 .
.C0 + 2!.
.C0 + 2" 。
.C0 + 22.
.C0 + J.
.C0 + .
400
320
240
160
80
0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
#U
W
./0 U.V
3,5
W
4,0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
./0 U.V
#U
U
W
W
.
c
'
6@a(
U
6 / + U.C0W
./0 +
.
＆放大器;
6@a(
A
'
6@a(
％ 87 + U6 / W5 ％ 8ZZ + U6 / W
.C0 + X2 ！ 0.5 C87 + 5 O5
C8ZZ + 5 O5 ./0 + ：
800
720
640
560
480
400
320
240
160
80
0
5
6
7
8
9
10
11
12
％U [V
6 / U ， V
()* + !,-
()* + 2 !,-
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
.C0 U.V
%875 ()* + 2 !,-
%8ZZ5 ()* + 2 !,-
0
80 160 240 320 400 480 560 640 720 800
6 / U ， V
!
" ＃
4
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
W
W
wBKb / + U W
.
(
G
A
6@a(
6@a(
#
＆放大器;
6@a(
#U
A
'
6@a( 6
U
87 ％ + U CW5 ％ 8ZZ + U CW
.C0 + X2 ！ 0.5 6 / +
;5 ./0 + :
180
160
140
120
％U [V
%875 ()* + 2 !,-
%8ZZ5 ()* + 2 !,-
0,1
wBKb / 6 @一（
100
80
60
40
20
0
0
2
AG
;
'
wBKb / U $ E V
0,01
2
怒江$ E V
怒江V
5
5
" ！
22J
5
5
4!
＆ QUOT ;:
＆ QUOT ;
5
5
!24 !
: 2
5 2 24 !
5 : JJ
4
6
UOV
8
10
12
14
3
0,001
0,001
\
A
6克+ U.gW
0,01
3
0,1
U V
#U
U
1
W
W
10
＆放大器;
6 / + U. / 0W
.C0 + X2 ！ 0.5
6@a(
＃ ù a&x ; W--
6@a(
＃ ù a&x ; W--
C8ZZ + 5 O5 （ ） * + 2 ， ！ -
900
800
700
600
6 / U ， V
6克U; V
800
720
640
560
480
400
320
240
160
6/5
6/5 -
()* + !,-
()* + 2 !,-
500
400
300
200
100
0
0
200
80
600
800
1000 1200 1400
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
400
./0 U.V
.G U.V
!
" ＃
5
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Hchstzulssige Werte /最大额定值
ELEKTRISCHE Eigenschaften /电气特性
Kollektor发射极 - Sperrspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektor - Dauergleichstrom
DC集电极电流
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
重复峰值集电极电流
Gesamt - Verlustleistung
总功耗
栅射极Spitzenspannung
栅极 - 发射极电压峰值
Dauergleichstrom
直流正向电流
Periodischer Spitzenstrom
重复峰值FORW 。当前
Grenzlastintegral DER二极管
2
余吨 - 值，二极管
隔离， Prüfspannung
绝缘测试电压
t
P
= 1毫秒
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
t
P
= 1毫秒，T
C
= 80°C
V
CES
I
C， NOM 。
I
C
I
CRM
1200
400
625
800
V
A
A
A
T
C
= 25 ° C，晶体管
P
合计
2500
W
V
GES
+/- 20V
V
I
F
400
A
I
FRM
800
A
V
R
= 0V ，T
p
= 10毫秒，T
Vj
= 125°C
余吨
2
27,4
千安s
2
RMS中，f = 50Hz时， t为1分钟。
V
ISOL
2,5
kV
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Kollektor发射极Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和电压
门Schwellenspannung
栅极阈值电压
Gateladung
栅极电荷
Eingangskapazitt
输入电容
Rückwirkungskapazitt
反向传输电容
Kollektor发射极Reststrom
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 射极Reststrom
栅极 - 发射极漏电流
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 25°C
I
C
= 400A ，V
GE
= 15V ，T
vj
= 125°C
I
C
= 16毫安，V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE （日）
V
CE坐
分钟。
-
-
4,5
典型值。
2,1
2,4
5,5
马克斯。
2,6
T.B.D.
6,5
V
V
V
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
4,2
-
C
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
IES
-
26
-
nF
F = 1MHz的，T
vj
= 25 ° C，V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V ，T
vj
= 25°C
C
水库
I
CES
-
-
-
T.B.D.
20
500
-
-
500
-
400
nF
A
A
nA
I
GES
-
准备：马克·闵采尔
批准：延斯Thurau
的出版物的日期：一九九九年二月十八日
修订： 1
1(8)
DB_BSM400GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Charakteristische Werte /特征值
晶体管/晶体管
Einschaltverzgerungszeit （ IND最后）
开机延迟时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 125°C
Anstiegszeit （ induktive上）
上升时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 125°C
Abschaltverzgerungszeit （ IND最后）
关闭延迟时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 125°C
Fallzeit （ induktive上）
下降时间（感性负载）
I
C
= 400A ，V
CC
= 600V
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 25°C
V
GE
= ± 15V ，R
G
= 2,2, T
vj
= 125°C
Einschaltverlustenergie亲普尔斯
导通的每脉冲能量损失
Abschaltverlustenergie亲普尔斯
关断每个脉冲的能量损失
Kurzschluverhalten
SC数据
Modulinduktivitt
杂散电感模块
MODUL Leitungswiderstand ， Anschlüsse - 芯片
模块引线电阻，接线端子 - 芯片
T
C
=25°C
I
C
= 400A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,2, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 90nH
I
C
= 400A ，V
CC
= 600V, V
GE
= 15V
R
G
= 2,2, T
vj
= 125 ℃下，L-
S
= 90nH
t
P
≤
10微秒，V
GE
≤
15V ，R
G
= 2,2
T
Vj
≤125°C,
V
CC
=900V, V
CEmax
=V
CES
-L
SCE
· di / dt的
I
SC
L
SCE
-
-
2350
16
-
-
A
nH
E
关闭
-
51
-
MWS
E
on
-
38
-
MWS
t
f
-
-
0,06
0,09
-
-
s
s
t
D，关
-
-
0,54
0,59
-
-
s
s
t
r
-
-
0,09
0,1
-
-
s
s
t
D，上
-
-
0,09
0,09
-
-
s
s
分钟。
典型值。
马克斯。
R
CC' + EE '
-
0,5
-
m
Charakteristische Werte /特征值
二极管/二极管
Durchlaspannung
正向电压
Rückstromspitze
峰值反向恢复电流
I
F
= 400A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 25°C
I
F
= 400A ，V
GE
= 0V ，T
vj
= 125°C
I
F
= 400A ， - 迪
F
/ DT = 4100A /微秒
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 125°C
Sperrverzgerungsladung
恢复电荷
I
F
= 400A ， - 迪
F
/ DT = 4100A /微秒
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 125°C
Abschaltenergie亲普尔斯
反向恢复能量
I
F
= 400A ， - 迪
F
/ DT = 4100A /微秒
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 25°C
V
R
= 600V ， VGE = -15V ，T
vj
= 125°C
E
REC
-
-
16
33
-
-
MWS
MWS
Q
r
-
-
41
80
-
-
μAs
μAs
I
RM
-
-
325
430
-
-
A
A
V
F
分钟。
-
-
典型值。
1,8
1,7
马克斯。
2,3
T.B.D.
V
V
2(8)
DB_BSM400GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
Thermische Eigenschaften /热性能
分钟。
Innerer Wrmewiderstand
热阻，结到外壳
bergangs - Wrmewiderstand
热电阻，案件散热器
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
最高结温
Betriebstemperatur
工作温度
Lagertemperatur
储存温度
晶体管/三极管， DC
二极管/二极管， DC
亲MODUL /每个模块
λ
贴
= 1瓦/米* K /
λ
油脂
= 1瓦/米* K
R
thCK
R
thJC
-
-
-
典型值。
-
-
0,010
马克斯。
0,05
0,09
-
K / W
K / W
K / W
T
vj
-
-
150
°C
T
op
-40
-
125
°C
T
英镑
-40
-
150
°C
Mechanische Eigenschaften /机械性能
Gehuse ，世赫原基
情况下，见附录
维也纳内隔离
内部绝缘
Kriechstrecke
爬电距离
Luftstrecke
净空
CTI
comperative漏电起痕指数
Anzugsdrehmoment F。机甲。 Befestigung
安装力矩
Anzugsdrehmoment F。 elektr 。 Anschlüsse
终端连接扭矩
Gewicht
重量
螺丝M5
M1
3
AL
2
O
3
20
mm
11
mm
225
6
Nm
终端M6
终端M4
G
2,5
1,1
300
5,0
2,0
Nm
Nm
g
麻省理工学院dieser technischen信息werden Halbleiterbauelemente spezifiziert ， jedoch keine Eigenschaften zugesichert 。
在Verbindung SIE镀金麻省理工学院书房zugehrigen Technischen Erluterungen 。
本技术信息指定半导体器件，但承诺没有的特点。这是
有效的与属于技术说明组合。
3(8)
DB_BSM400GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
Ausgangskennlinie （ typisch ）
输出特性（典型值）
I
C
= F（V
CE
)
V
GE
= 15V
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
800
700
TJ = 25°C
600
500
TJ = 125°C
I
C
[A]
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld （ typisch ）
输出特性（典型值）
800
700
VGE = 17V
VGE = 15V
I
C
= F（V
CE
)
T
vj
= 125°C
600
500
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
VGE = 7V
I
C
[A]
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
4(8)
DB_BSM400GA120DLC_V.xls
TECHNISCHE信息/技术信息
IGBT -模块
IGBT模块
BSM400GA120DLC
Vorlufige （千牛顿）
初步数据
bertragungscharakteristik （ typisch ）
传输特性（典型值）
I
C
= F（V
GE
)
V
CE
= 20V
800
700
TJ = 25°C
600
500
TJ = 125°C
I
C
[A]
400
300
200
100
0
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
[V]
Durchlakennlinie德Inversdiode （ typisch ）
反向二极管的正向特性（典型值）
800
700
TJ = 25°C
I
F
= F（V
F
)
600
500
TJ = 125°C
I
F
[A]
400
300
200
100
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
V
F
[V]
5(8)
DB_BSM400GA120DLC_V.xls
QQ：2880707522 复制
