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BUZ 100
SIPMOS
功率晶体管
N沟道
增强型
雪崩额定值
dv / dt的额定
超低导通电阻
175 ° C工作温度
还采用TO- 220 SMD提供
销1
G
TYPE
BUZ 100
销2
D
3脚
S
V
DS
50 V
I
D
60 A
R
DS （ ON）
0.018
包
的TO-220 AB
订购代码
C67078-S1348-A2
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
60
单位
A
I
D
I
Dpuls
240
T
C
= 101 °C
漏电流脉冲
T
C
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
250
dv / dt的
6
mJ
I
D
= 60 A,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
L
= 70 H,
T
j
= 25 °C
反向二极管的dv / dt
KV / μs的
I
S
= 60 A,
V
DS
= 40 V ，二
F
/ DT = 200 A / μs的
T
JMAX
= 175 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
250
V
W
T
C
= 25 °C
工作温度
储存温度
热电阻，片式案例
热电阻，芯片到环境
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
-55 ... + 175
-55 ... + 175
≤
0.6
≤
75
E
55 / 175 / 56
°C
K / W
半导体集团
1
07/96
BUZ 100
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
50
-
3
0.1
1
10
10
0.013
-
4
1
100
100
100
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= -40 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2.1
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
-
A
nA
A
nA
-
-
0.018
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= -40 °C
V
DS
= 50 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
V
GS
= 10 V,
I
D
= 60 A
半导体集团
2
07/96
BUZ 100
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
25
39
2400
800
300
-
S
pF
-
3200
1200
450
ns
-
40
60
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 60 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
100
150
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
250
335
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
140
190
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 3 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
07/96
BUZ 100
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
C
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1.4
70
0.16
60
240
V
-
1.8
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
C
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 120 A
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S,
di
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
07/96
BUZ 100
功耗
P
合计
=
(T
C
)
漏电流
I
D
=
(T
C
)
参数：
V
GS
≥
10 V
65
A
55
260
W
220
P
合计
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
I
D
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
20
40
60
80
100 120 140
°C
180
T
C
T
C
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
3
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
K / W
A
I
D
=
10
2
/I
D
t
= 30.0s
p
V
D
S
100 s
Z
thJC
10
-1
)
on
S(
R
D
1毫秒
10
-2
D = 0.50
10毫秒
0.20
0.10
10
-3
单脉冲
0.05
0.02
0.01
10
1
DC
10
0
0
10
10
1
V 10
2
10
-4
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
DS
t
p
半导体集团
5
07/96
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推荐型号
B43305C5337M060
BC817.16
BZM5229B
BFY88
BCX71K
B8S-HF
B25355J1105K001
BLM21AG151SN1
BZX84C2V4LT3
B43540B5157M062
BFT93T/R
BLM18BB750SN1D
B43540A9127M087
BUP400D
BS250P
BC309C
BPV22
BS108ZL1
BL-T2131-T
B32560J1104M
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUZ100
    -
    -
    -
    -
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BUZ100
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联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
BUZ100
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8640
TO220
全新原装现货，原厂代理。
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联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
BUZ100
VB
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BUZ100
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VBsemi
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地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
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电话：0755-83798683
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BUZ100
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BUZ100
INF
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