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BS108
首选设备
小信号MOSFET
250毫安, 200伏,
逻辑电平
N沟道TO- 92
该MOSFET是专为高电压,高速开关
应用,如线路驱动器,继电器驱动器, CMOS逻辑,
微处理器或TTL到高电压接口和高电压
显示驱动程序。
特点
http://onsemi.com
250毫安
200伏
R
DS ( ON)
= 8
W
N沟道
D
低驱动要求,V
GS
= 3.0V,最大值
固有的电流共享功能允许轻松并联
许多设备
无铅包可用*
G
最大额定值
等级
漏 - 源电压
栅源电压
漏电流
连续(注1 )
脉冲(注2)
总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述牛逼
A
= 25°C
工作和存储温度范围
符号
V
DSS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
350
6.4
T
J
, T
英镑
-55到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
S
价值
200
±20
250
500
BS108
AYWW
G
G
单位
VDC
VDC
MADC
记号
TO92
CASE 29-11
样式30
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
BS108 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
BS108
BS108G
BS108ZL1
BS108ZL1G
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
2000 /弹药包
2000 /弹药包
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
1
2006年2月 - 第2版
出版订单号:
BS108/D
BS108
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
漏源击穿电压
(V
GS
= 0, I
D
= 10
毫安)
零栅极电压漏极电流
(V
DSS
= 130伏,V
GS
= 0)
门体漏电流
(V
GS
= 15 VDC ,V
DS
= 0)
基本特征
(注3)
栅极阈值电压
(I
D
= 1.0毫安, V
DS
= V
GS
)
静态漏 - 源极导通电阻
(V
GS
= 2.0伏,我
D
= 50 mA)的
(V
GS
= 2.8伏,我
D
= 100 mA时)
排水截止电流
(V
GS
= 0.2 V, V
DS
= 70 V)
正向跨导
(I
D
= 120毫安, V
DS
= 20 V)
动态特性
输入电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输出电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
反向传输电容
(V
DS
= 25 V, V
GS
= 0中,f = 1.0 MHz)的
开关特性
导通时间(见图1 )
关断时间(参见图1 )
3.脉冲测试:脉冲宽度
300
女士,
占空比= 2.0 % 。
t
D(上)
t
D(关闭)
15
15
ns
ns
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
10
30
pF
150
pF
pF
V
GS ( TH)
0.5
r
DS ( ON)
I
DSX
g
FS
0.33
25
姆欧
10
8.0
mA
1.5
W
VDC
V
( BR ) DS
200
I
DSS
I
GSSF
10
30
NADC
VDC
NADC
符号
典型值
最大
单位
电阻开关
+25 V
23
脉冲发生器
V
in
40 pF的
50
50
1.0 M
20分贝
50
W
衰减器
抽样范围
50
W
输入
V
OUT
t
on
90%
t
关闭
90%
10%
90%
10 V
输入
V
in
50%
10%
脉冲
宽度
50%
产量
V
OUT
图1.开关测试电路
图2的开关波形
http://onsemi.com
2
BS108
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
风格30 :
PIN 1.排放
2.门
3.源
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
3
BS108/D
BS108
首选设备
小信号MOSFET
250毫安, 200伏,逻辑
水平
N沟道TO- 92
该MOSFET是专为高电压,高速开关
应用,如线路驱动器,继电器驱动器, CMOS逻辑,
微处理器或TTL到高电压接口和高电压
显示驱动程序。
低驱动要求, VGS = 3.0V,最大值
固有的电流共享功能允许轻松并联
许多设备
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续(注1 )
脉冲(注2 )
总功耗
@ TA = 25°C
减免上述TA = 25°C
工作和存储温度
范围
符号
VDSS
VGS
ID
IDM
PD
350
6.4
TJ , TSTG
-55
+150
mW
毫瓦/°C的
°C
12
3
TO–92
CASE 29
样式30
价值
200
±20
250
500
单位
VDC
VDC
MADC
S
G
http://onsemi.com
250毫安
200伏
RDS ( ON) = 8
N沟道
D
1.封装的功耗可能会导致较低的连续漏极
电流。
2.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
s,
占空比
v
2.0%.
标记图
&放大器;引脚分配
BS108
YWW
1
2
Y
WW
3
来源
=年
=工作周
订购信息
设备
BS108
BS108ZL1
TO–92
TO–92
航运
1000单位/箱
2000的弹药包
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司, 2000
1
2000年11月 - 第1版
出版订单号:
BS108/D
BS108
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
典型值
最大
单位
开关特性
漏源击穿电压
(VGS = 0时, n = 10
A)
零栅极电压漏极电流
( VDSS = 130伏, VGS = 0 )
门体漏电流
( VGS = 15V直流电, VDS = 0 )
V( BR ) DSS
200
IDSS
IGSSF
10
30
NADC
NADC
VDC
基本特征( 2 )
栅极阈值电压
(ID = 1.0毫安, VDS = VGS )
静态漏 - 源极导通电阻
( VGS = 2.0伏, ID = 50 mA)的
( VGS = 2.8伏, ID = 100 mA时)
排水截止电流
( VGS = 0.2 V , VDS = 70 V)
VGS ( TH)
0.5
RDS ( ON)
IDSX
25
10
8.0
mA
1.5
VDC
动态特性
输入电容
( VDS = 25 V , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
输出电容
( VDS = 25 V , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
反向传输电容
( VDS = 25 V , VGS = 0 , F = 1.0兆赫)
西塞
科斯
CRSS
10
30
pF
150
pF
pF
开关特性
导通时间(见图1 )
关断时间(参见图1 )
2.脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比= 2.0 % 。
TD (上)
TD (关闭)
15
15
ns
ns
电阻开关
+25 V
23
脉冲发生器
50
VIN
40 pF的
1.0 M
20分贝
50
衰减器
抽样范围
50
输入
VOUT
产量
V
倒飞出去
90%
10 V
输入
VIN
50%
10%
脉冲
宽度
50%
90%
花花公子
90%
10%
50
图1.开关测试电路
图2的开关波形
http://onsemi.com
2
BS108
包装尺寸
TO–92
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.115
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
2.93
---
3.43
---
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
风格30 :
PIN 1.排放
2.门
3.源
http://onsemi.com
3
BS108
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留修改的权利
恕不另行通知这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定的任何保证,声明或担保
目的,也不SCILLC承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并明确拒绝承担任何责任,
包括但不限于特殊,间接或附带损失。这可能SCILLC数据表提供“典型”参数和/或
规格可以做不同在不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”必须是
验证每个客户的客户应用的技术专家。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况或
可能会出现死亡。如果买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有
SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的
直接或间接引起的,律师费,人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔
称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是一个机会均等/肯定行动雇主。
出版物订货信息
北美文学履行:
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
电话:
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真:
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
传真响应行: 303-675-2167或800-344-3810免费电话美国/加拿大
N.美国技术支持:
800-282-9855免费电话美国/加拿大
欧洲:
最不发达国家的安森美半导体 - 欧洲支持
德国电话:
( +1 ) 303-308-7140 (周一至周五下午2:30至下午7:00 CET)
电子邮件:
ONlit-german@hibbertco.com
法国电话:
( +1 ) 303-308-7141 (周一至周五下午2时00分至晚上7时CET)
电子邮件:
ONlit-french@hibbertco.com
英语电话:
( +1 ) 303-308-7142 (周一至周五下午12时00分至下午5:00 GMT )
电子邮件:
ONlit@hibbertco.com
欧洲免费接入* : 00-800-4422-3781
*有来自德国,法国,意大利,英国,爱尔兰
中/南美洲:
西班牙电话:
303-308-7143 (周一至周五上午8:00至下午5:00 )
电子邮件:
ONlit-spanish@hibbertco.com
免费电话,来自墨西哥:
拨打01-800-288-2872的访问 -
然后拨打866-297-9322
亚洲/太平洋网络C:
最不发达国家的安森美半导体 - 亚洲支持
电话:
303-675-2121 (周二至周五上午9时至下午1时00分,香港时间)
免费咨询电话
来自香港和放大器;新加坡:
001–800–4422–3781
电子邮件:
ONlit-asia@hibbertco.com
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本141-0031
电话:
81–3–5740–2700
电子邮件:
r14525@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
有关更多信息,请联系您当地的
销售代表。
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BS108/D
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BS108ZL1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院
BS108ZL1
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电话:0755-83777607/83777708/82799993
联系人:销售部1部
地址:美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
BS108ZL1
ON
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联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BS108ZL1
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20+
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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