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BUX10
高功率NPN硅晶体管
s
s
s
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPE
NPN晶体管
高电流能力
开关速度快
应用
s
电机控制
s
线性和开关工业
设备
描述
该BUX10是硅multiepitaxial平面NPN
晶体管JEDEC的TO - 3金属外壳，适用于
在切换使用，并在军事线性应用
和工业设备。
1
2
TO-3
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（V
BE
= - 1.5V)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（ IC = 0 ）
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
= 10毫秒）
基极电流
在T总功率耗散
例
储存温度
最大工作结温
≤
25 C
o
价值
160
160
125
7
25
30
5
150
-65 200
200
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
1997年7月
1/4
BUX10
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.17
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
首席执行官
I
CEX
参数
集电极截止
电流（I
B
= 0)
集电极截止
当前
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 100 V
V
CE
= 160 V
T
例
= 125
o
C
V
CE
= 160 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 200毫安
I
E
= 50毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 20 A
I
C
= 20 A
I
C
= 10 A
I
C
= 20 A
V
CE
= 30 V
V
CE
= 48 V
I
C
= 1 A
F = 10MHz时
I
C
= 20 A
V
CC
= 30V
I
C
= 20 A
V
CC
= 30V
V
钳
=125 V
L = 500
H
I
B
= 1 A
I
B
= 2 A
I
B
= 2 A
V
CE
= 2 V
V
CE
= 4 V
t=1s
t=1s
V
CE
=15 V
I
B1
= 2 A
I
B1
= - I
B2
= 2A
20
20
10
5
1
8
0.5
0.6
0.15
1.5
1.2
0.3
125
7
0.3
0.7
1.6
0.6
1.2
2
60
A
A
兆赫
s
s
s
A
V
BE
= -1.5V
V
BE
= -1.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
1.5
6
1
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
V
V
V
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
I
S / B
f
T
t
on
t
s
t
f
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
第二击穿
集电极电流
晶体管频率
开启时间
贮存时间
下降时间
钳位ê
S / B
集电极电流
脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比
≤
2 %
2/4
BUX10
TO- 3机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
11.00
0.97
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
典型值。
马克斯。
13.10
1.15
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
分钟。
0.433
0.038
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
寸
典型值。
马克斯。
0.516
0.045
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
DIM 。
P
G
A
D
C
U
V
O
N
R
B
P003F
3/4
E
BUX10
提供的资料被认为是准确和可靠。不过， SGS - THOMSON微电子承担的任何责任
对此类信息的使用，也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改，恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
SGS - THOMSON微电子产品不授权不明确的生命支持设备或系统中的关键组件
SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
公司SGS - THOMSON微电子集团
澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
...
4/4
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUX10
描述
ULOW
集电极饱和电压 -
高
开关速度
高
目前的电流能力
应用
Motor
控制
◆线性
和开关工业设备
绝对最大额定值（Ta = 25
℃
)
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
V
BE
= -1.5V
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流连续
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
160
160
125
7
25
30
5
150
200
-65~200
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.17
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CE
(sat)-1
V
CE
(sat)-2
V
BE
（SAT）
I
首席执行官
I
CEX
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
电流增益带宽积
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
= 0
I
E
= 50毫安;我
C
= 0
I
C
= 10A ;我
B
= 1A
I
C
= 20A ;我
B
= 2A
I
C
= 20A ;我
B
= 2A
V
CE
= 100V ;我
B
= 0
V
CE
= 160V;V
BE
= -1.5V
V
CE
= 160V;V
BE
= -1.5V ;吨
C
=125℃
V
EB
= 5V ;我
C
= 0
I
C
= 10A ; V
CE
= 2V
I
C
= 20A ; V
CE
= 4V
I
C
= 1A ; V
CE
= 15V ，女
TEST
= 10MHz时
20
10
8
民
125
7
典型值。
BUX10
最大
单位
V
V
0.6
1.2
2.0
1.5
1.5
6.0
1.0
60
V
V
V
mA
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
I
C
= 20A ;我
B1
= -I
B2
= 2A ; V
CC
= 30V
下降时间
0.3
μs
I
C
= 20A ;我
B1
= 2A ; V
CC
= 30V
1.5
1.2
μs
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BUX10
描述
·采用TO-3封装
·高电流能力
·快速开关速度
应用
·电机控制
·线性和开关工业
设备
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（ TA = 25 ）
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
160
125
7
25
30
5
150
200
-65~200
单位
V
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
1.17
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 0.2A ;我
B
=0
I
E
= 50毫安;我
C
=0
I
C
= 10 A ，我
B
=1 A
I
C
= 20 A ，我
B
=2 A
I
C
= 20 A ，我
B
=2 A
V
CE
=160V;V
BE
=-1.5V
T
C
=125
V
CE
=100V;I
B
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 10A ; V
CE
=2V
I
C
= 20A ; V
CE
=4V
I
C
= 1A ; V
CE
= 15V ; F = 10MHz时
20
10
8.0
民
125
7
典型值。
符号
V
CEO （ SUS ）
V
EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CEX
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
BUX10
最大
单位
V
V
0.6
1.2
2.0
1.5
6.0
1.5
1.0
60
V
V
V
mA
mA
mA
兆赫
开关时间
t
on
t
s
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 20A ;我
B1
=-I
B2
=2A
V
CC
=30V
0.5
0.6
0.15
1.5
1.2
0.3
s
s
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUX10
图2外形尺寸
3
BUX10
高功率NPN硅晶体管
s
s
s
s
意法半导体的优选
SALESTYPE
NPN晶体管
高电流能力
开关速度快
应用
s
电机控制
s
线性和开关工业
设备
描述
该BUX10是硅多外延平面
NPN晶体管JEDEC的TO - 3金属外壳，
旨在用于切换和线性
应用在军事和工业设备。
1
2
TO-3
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
CEX
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（V
BE
= - 1.5V)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
< 10毫秒）
基极电流
在T总功率耗散
例
储存温度
≤
25 C
o
价值
160
160
125
7
25
30
5
150
-65 200
200
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
o
o
C
C
最大工作结温
2003年3月
1/4
BUX10
热数据
R
THJ情况
热阻结案件
最大
1.17
o
C / W
电气特性
(T
例
= 25
o
C除非另有说明）
符号
I
首席执行官
I
CEX
参数
集电极截止
电流（I
B
= 0)
集电极截止
当前
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 100 V
V
CE
= 160 V
T
例
= 125
o
C
V
CE
= 160 V
V
EB
= 5 V
I
C
= 200毫安
125
V
BE
= -1.5V
V
BE
= -1.5V
分钟。
典型值。
马克斯。
1.5
1.5
6
1
单位
mA
mA
mA
mA
V
I
EBO
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
V
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
h
FE
I
S / B
f
T
t
on
t
s
t
f
发射极 - 基极电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
第二击穿
集电极电流
晶体管频率
开启时间
贮存时间
下降时间
钳位ê
S / B
集电极电流
I
E
= 50毫安
I
C
= 10 A
I
C
= 20 A
I
C
= 20 A
I
C
= 10 A
I
C
= 20 A
V
CE
= 30 V
V
CE
= 48 V
I
C
= 1 A
F = 10MHz时
I
C
= 20 A
V
CC
= 30V
I
C
= 20 A
V
CC
= 30V
V
钳
=125 V
L = 500
H
I
B
= 1 A
I
B
= 2 A
I
B
= 2 A
V
CE
= 2 V
V
CE
= 4 V
t=1s
t=1s
V
CE
=15 V
I
B1
= 2 A
I
B1
= - I
B2
= 2A
7
0.3
0.7
1.6
20
10
5
1
8
0.5
0.6
0.15
20
1.5
1.2
0.3
0.6
1.2
2
60
V
V
V
V
A
A
兆赫
s
s
s
A
脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比
≤
2 %
2/4
BUX10
TO- 3机械数据
mm
分钟。
A
B
C
D
E
G
N
P
R
U
V
11.00
0.97
1.50
8.32
19.00
10.70
16.50
25.00
4.00
38.50
30.00
典型值。
马克斯。
13.10
1.15
1.65
8.92
20.00
11.10
17.20
26.00
4.09
39.30
30.30
分钟。
0.433
0.038
0.059
0.327
0.748
0.421
0.649
0.984
0.157
1.515
1.187
寸
典型值。
马克斯。
0.516
0.045
0.065
0.351
0.787
0.437
0.677
1.023
0.161
1.547
1.193
DIM 。
P
G
A
D
C
U
V
O
N
R
B
P003F
3/4
E
BUX10
提供的资料被认为是准确和可靠。然而，意法半导体承担的后果不承担任何责任
使用这些信息，也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。无许可证
牌照以暗示或以其他方式意法半导体公司的任何专利或专利权。本出版物中提到的规格
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2003意法半导体 - 印刷意大利 - 版权所有
公司意法半导体集团
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http://www.st.com
4/4
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BZT55C3V9
BZX84C16TW
B43540C5187M062
BA1F4Z
BZT55-C3V9
BY38933
B82498-A3391-+
BHV10RFXXXG
BZX585-B3V6
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型号
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数量
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    BUX10
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BUX10
ST/MOT
2024
53309
TO-3
上海原装现货库存，欢迎咨询合作
上海熠富电子科技有限公司
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BUX10
ST
2024
2000
CAN/TO-3
原装现货上海库存，欢迎查询
深圳信泰电子器材有限公司
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电话：0755-83242658
联系人：廖先生
地址：广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
BUX10
ST
24+
400
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