超低功耗/高速CMOS SRAM
1M X 16位/ 2M ×8位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BH616UV1611
n
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.65V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 3.6V
工作电流： 10毫安为55ns （最大）
2毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 5.0uA （典型值） ，在3.0V / 25
O
C
V
CC
= 1.2V
数据保持电流： 1.5uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-55
55ns （最大）在V
CC
=1.65~3.6V
-70
70ns的（最大）在V
CC
=1.65~3.6V
自动断电，当芯片被取消
易于扩展与CE1 ， CE2和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作，没有时钟，没有刷新
数据保持电源电压低至1.0V
n
描述
该BH616UV1611是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为1048576
并在宽的范围为1.65V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，与典型工作电流
1.5毫安在1MHz为3.0V / 25
O
55ns的C和最大访问时间
1.65V/85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE1 ） ，高电平有效芯片使能（ CE2 ）和低电平有效输出
启用（ OE ）和三态输出驱动器。
该BH616UV1611具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BH616UV1611可在DICE的形式， JEDEC标准
48针TSOP -I和48球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BH616UV1611DI
BH616UV1611BI
BH616UV1611TI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
30uA
25uA
2mA
6mA
10mA
1.5mA
5mA
8mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=1.8V
10MHz
f
马克斯。
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1MHz
V
CC
=3.6V
10MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0810
TSOP I- 48
n
销刀豆网络gurations
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
NC
WE
CE2
NC
UB
LB
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
DQ8
DQ9
VSS
VCC
DQ14
DQ15
A18
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
5
A2
CE1
DQ1
DQ3
DQ4
DQ5
WE
A11
6
CE2
DQ0
DQ2
VCC
VSS
DQ6
DQ7
NC
A16
字节
VSS
DQ15/A20
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
VCC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE
VSS
CE1
A0
n
框图
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
A19
A18
地址
输入
卜FF器
10
ROW
解码器
1024
存储阵列
1024 x 16384
BH616UV1611TI
16384
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
.
.
.
.
.
.
16
数据
输入
卜FF器
数据
产量
卜FF器
16
1024
列解码器
10
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
16
2
OE
UB
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
A19
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
CE2 ， CE1
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A16 A0 A17 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
详细的产品特性测试报告可应要求被接受。
R0201-BH616UV1611
1
修订版1.3
上柜。
2006
BH616UV1611
n
引脚说明
名字
功能
A0到A19地址输入（字模式）
这20个地址输入选择在RAM中1,024K ×16位中的一个，如果字节是高
A0到A20地址输入（字节模式）
这21个地址输入选择在RAM中的2,048K ×8位中的一个，如果字节为低
（ TSOP只）
CE1为低电平有效和CE2为高电平有效。这两个芯片使时必须被激活
CE1芯片使能输入1
从或读取数据写入到该设备。如果任一芯片使能是不活动的，该装置是
CE2芯片使能输入2
取消并处于备用电源模式。 DQ管脚将在高阻抗
当设备被取消选择状态。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
一个字节一个字节使能输入（ TSOP只）
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
该输入选择SRAM的组织。 1,024K ×16位配置
如果BYTE为高电平选择。选择2,048K ×8位的配置，如果字节是低
16双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
R0201-BH616UV1611
2
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上柜。
2006
BH616UV1611
n
真值表
字节模式（ TSOP只）
模式
芯片
非选定
（断电）
产量
残
读
（字节模式）
写
（字节模式）
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
WE
X
X
H
H
L
OE
X
X
H
L
X
LB
X
X
X
X
X
UB
X
X
X
X
X
BYTE DQ0 DQ7 DQ8 DQ14 DQ15
L
L
L
L
L
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
X
高Z
高Z
高Z
A20
A20
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
文字模式
模式
芯片
非选定
（断电）
产量
残
读
（字模式）
CE1
H
X
X
L
CE2
X
L
X
H
WE
X
X
X
H
OE
X
X
X
H
LB
X
X
H
X
L
UB
X
X
H
X
L
L
H
L
L
H
BYTE DQ0 DQ7 DQ8 DQ14 DQ15
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
L
H
H
L
H
L
L
写
（字模式）
L
H
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
48BGA忽略BYTE条件。
R0201-BH616UV1611
3
修订版1.3
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2006
BH616UV1611
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
到4.6V
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
产业
环境
温度
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.65V ~ 3.6V
C
C
O
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
W
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
mA
C
IN
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
参数
电源
V
CC
=1.8V
O
O
测试条件
分钟。
1.65
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.4
0.8
单位
V
输入低电压
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
--
V
输入高电压
V
CC
=3.6V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
或OE = V
IH
or
UB = LB = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.2毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=1.8V
--
1
uA
I
LO
输出漏电流
--
--
1
0.2
0.4
uA
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
输出低电压
--
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE1 = V
IL
和CE2 = V
IH
,
I
DQ
= 0毫安， F = 1MHz的
CE1 = V
IH
或CE2 = V
IL
,
I
DQ
= 0毫安
V
CC
-0.2
2.4
--
--
6
8
--
8
10
1.5
2.0
0.5
1.0
V
mA
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
--
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
1.0
1.5
mA
--
V
CC
=3.6V
V
CC
=1.8V
--
4.0
5.0
(5)
mA
待机电流
–
CMOS
CE1≧V
CC
-0.2V或CE2 = 0.2V ，
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
V
CC
=3.6V
25
30
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC 。
5. V
CC
=3.0V
R0201-BH616UV1611
4
修订版1.3
上柜。
2006
QQ：2880707522 复制
