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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUT54
描述
高
电压
高
高速开关
高
功耗
应用
·设计
用于开关模式电源和电子
镇流器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CES
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
R
BE
≤100Ω
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
800
800
430
6
8
10
4
100
150
-55~150
单位
V
V
V
V
A
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BUT54
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0， L = 125mH
I
C
= 0.5毫安;我
B
= 0, R
BE
≤100Ω
B
430
V
V
（ BR ） CER
集电极 - 发射极击穿电压
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
6
V
V
CE（
SAT
)
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
5.0
V
V
BE （
SAT
)
I
CES
基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
B
2.0
1.0
2.0
20
45
V
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 800V; V
BE
= 0
V
CE
= 800V; V
BE
= 0; T
C
=150℃
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
mA
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 4A ; V
CE
= 5V
5.5
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
10
兆赫
开关时间;阻性负载
μs
t
关闭
打开-O FF时间
I
C
= 4A ;我
B1
=-I
B2
= 1.25A ;吨
p
=20μs
4.0
t
f
下降时间
1.0
μs
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUT54
描述
高
电压
高
高速开关
高
功耗
应用
·设计
用于开关模式电源和电子
镇流器应用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
V
CES
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
R
BE
≤100Ω
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
价值
800
单位
V
800
V
430
6
V
V
8
A
10
4
100
150
-55~150
A
A
W
℃
℃
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
1.25
单位
℃/W
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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BUT54
最大
单位
V
（ BR ） CEO
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0， L = 125mH
I
C
= 0.5毫安;我
B
= 0, R
BE
≤100Ω
B
430
V
V
（ BR ） CER
集电极 - 发射极击穿电压
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
6
V
V
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SAT
)
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= 4A ;我
B
= 0.8A
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V
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SAT
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基射极饱和电压
I
C
= 4A ;我
B
= 0.8A
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2.0
1.0
2.0
45
V
收藏家Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
f
T
电流增益带宽积
开关时间;阻性负载
t
关闭
打开-O FF时间
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
CE
= 800V; V
BE
= 0
V
CE
= 800V; V
BE
= 0; T
C
=150℃
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
20
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C
= 4A ; V
CE
= 5V
5.5
I
C
= 0.5A ; V
CE
= 10V
I
C
= 4A ;我
B1
=-I
B2
= 1.25A ;吨
p
=20μs
mA
10
兆赫
4.0
μs
t
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1.0
μs
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