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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第659页 > BU4522AF
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
概述
新一代高电压，在一个塑料全包封套设计用于使用高速开关NPN晶体管
彩色电视接收机和电脑显示器的水平偏转电路。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流（图17 ）
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
7
6
285
170
马克斯。
1500
800
10
25
45
3.0
-
-
400
230
单位
V
V
A
A
W
V
A
A
ns
ns
T
hs
≤
25 C
I
C
= 7 A;我
B
= 1.75 A
F = 16千赫
F = 64千赫
I
CSAT
= 7 A; F = 16千赫
I
CSAT
= 6 A; F = 64千赫
钉扎 - SOT199
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1
2
3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
1500
800
10
25
6
9
6
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
35
马克斯。
2.8
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年12月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 7 A;我
B
= 1.75 A
I
C
= 7 A;我
B
= 1.75 A
I
C
= 1 ; V
CE
= 5 V
I
C
= 7 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
0.85
-
4.2
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
0.94
10
5.8
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
3.0
1.03
-
7.3
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间（ 64 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
条件
F = 16 kHz的;我
CSAT
= 7 A;我
B1
= 1.4 A;
(I
B2
= -3.5 A)
典型值。
马克斯。
单位
s
ns
s
ns
t
s
t
f
3.5
285
4.3
400
t
s
t
f
F = 64 kHz的;我
CSAT
= 6 A;我
B1
= 1.2 A;
(I
B2
= -3.6 A)
2.3
170
2.7
230
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年12月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
+ 50v
100-200R
晶体管
IC
二极管
ICsat
t
横
示波器
垂直
IB
IB1
t
5我们
6.5我们
美国16
IB2
100R
6V
30-60赫兹
1R
VCE
t
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间波形（ 64千赫） 。
IC / MA
ICsat
90 %
IC
250
10 %
200
ts
IB
tf
t
100
IB1
t
0
VCE / V
民
VCEOsust
- IB2
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间的定义。
晶体管
IC
二极管
ICsat
+ 150V，额定
调整ICsat
t
Lc
IB
IB1
t
20us
26us
64us
VCE
IB2
IBend
LB
T.U.T.
CFB
-VBB
t
如图3所示。开关时间波形（ 16千赫） 。
图6 。开关时间测试电路。
1997年12月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
100
的hFE
VCE = 1V
BU4522AF/X
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
VBESAT \\ V
1.3
1.2
1.1
IC = 7的
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
1
10
0.9
0.8
0.7
1
0.01
IC = 6的
0.1
1
10
IC / A 100
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
图7 。高和低直流电流增益。
图10 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
BU4522AF/X
100
VCE = 5 V
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
5
TS / TF /美
BU4522AF / X 16kHz的
4
ICsat = 7的
部份效果= 85℃
频率= 16千赫
3
的hFE
10
2
1
1
0.01
0
0.1
IC / A1
10
100
0
0.5
1
1.5
IBend / A
2
图8 。高和低直流电流增益。
图11 。典型的集热器存储和下降时间。
I
C
= 7 A;牛逼
j
= 85℃ ; F = 16kHz的
TS / TF /美
5
10
VCEsat晶体管（ V）
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
BU4522AF/X
BU4522AF / X路64kHz
4
ICsat = 6的
部份效果= 85℃
频率= 64千赫
1
3
0.1
IC / IB = 5
2
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0
0
0.5
1
1.5
IB / A
2
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
图12 。典型的集热器存储和下降时间。
I
C
= 6 A;吨
j
= 85℃ ; F = 64千赫
1997年12月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
IC / A
30
BU2522AF
20
10
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
0
500
VCE / V
1000
1500
图13 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
第Z / （K / W）
10
图16 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
JMAX
BU4522AF
10
9
IC （SAT） （A ）
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
8
7
6
5
4
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1.0E-01
3
2
1
0
0
10
20
40 50
60 70
30
水平频率（kHz ）
80
90
100
0
0.001
1.0E-07
1.0E-05
1.0E-03
T
1.0E-01
T / S
图14 。瞬态热阻抗。
图17 。我
CSAT
正常运行与频率时
操作，以获得最佳性能
VCC
LC
IBend
VCL
LB
T.U.T.
CFB
-VBB
图15 。测试电路RBSOA 。
1997年12月
5
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
概述
新一代高电压，在一个塑料全包封套设计用于使用高速开关NPN晶体管
彩色电视接收机和电脑显示器的水平偏转电路。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流（图17 ）
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
7
6
285
170
马克斯。
1500
800
10
25
45
3.0
-
-
400
230
单位
V
V
A
A
W
V
A
A
ns
ns
T
hs
≤
25 C
I
C
= 7 A;我
B
= 1.75 A
F = 16千赫
F = 64千赫
I
CSAT
= 7 A; F = 16千赫
I
CSAT
= 6 A; F = 64千赫
钉扎 - SOT199
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1
2
3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
-I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
反向基极电流峰值
1
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
1500
800
10
25
6
9
6
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到环境
条件
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
35
马克斯。
2.8
-
单位
K / W
K / W
1
关断电流。
1997年12月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
BV
EBO
V
CEOsust
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
h
FE
参数
集电极截止电流
2
发射极截止电流
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极电压维持
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
条件
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
V
EB
= 7.5 V ;我
C
= 0 A
I
B
= 1毫安
I
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
I
C
= 7 A;我
B
= 1.75 A
I
C
= 7 A;我
B
= 1.75 A
I
C
= 1 ; V
CE
= 5 V
I
C
= 7 A; V
CE
= 5 V
分钟。
-
-
-
7.5
800
-
0.85
-
4.2
典型值。
-
-
-
13.5
-
-
0.94
10
5.8
马克斯。
1.0
2.0
1.0
-
-
3.0
1.03
-
7.3
单位
mA
mA
mA
V
V
V
V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
参数
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
开关时间（ 64 kHz的行
偏转电路）
关闭存储时间
关断下降时间
条件
F = 16 kHz的;我
CSAT
= 7 A;我
B1
= 1.4 A;
(I
B2
= -3.5 A)
典型值。
马克斯。
单位
s
ns
s
ns
t
s
t
f
3.5
285
4.3
400
t
s
t
f
F = 64 kHz的;我
CSAT
= 6 A;我
B1
= 1.2 A;
(I
B2
= -3.6 A)
2.3
170
2.7
230
2
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1997年12月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
+ 50v
100-200R
晶体管
IC
二极管
ICsat
t
横
示波器
垂直
IB
IB1
t
5我们
6.5我们
美国16
IB2
100R
6V
30-60赫兹
1R
VCE
t
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间波形（ 64千赫） 。
IC / MA
ICsat
90 %
IC
250
10 %
200
ts
IB
tf
t
100
IB1
t
0
VCE / V
民
VCEOsust
- IB2
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间的定义。
晶体管
IC
二极管
ICsat
+ 150V，额定
调整ICsat
t
Lc
IB
IB1
t
20us
26us
64us
VCE
IB2
IBend
LB
T.U.T.
CFB
-VBB
t
如图3所示。开关时间波形（ 16千赫） 。
图6 。开关时间测试电路。
1997年12月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
100
的hFE
VCE = 1V
BU4522AF/X
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
VBESAT \\ V
1.3
1.2
1.1
IC = 7的
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
1
10
0.9
0.8
0.7
1
0.01
IC = 6的
0.1
1
10
IC / A 100
0.6
0
1
2
3
IB / A
4
图7 。高和低直流电流增益。
图10 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
BU4522AF/X
100
VCE = 5 V
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
5
TS / TF /美
BU4522AF / X 16kHz的
4
ICsat = 7的
部份效果= 85℃
频率= 16千赫
3
的hFE
10
2
1
1
0.01
0
0.1
IC / A1
10
100
0
0.5
1
1.5
IBend / A
2
图8 。高和低直流电流增益。
图11 。典型的集热器存储和下降时间。
I
C
= 7 A;牛逼
j
= 85℃ ; F = 16kHz的
TS / TF /美
5
10
VCEsat晶体管（ V）
部份效果= 25℃
部份效果= 85℃
BU4522AF/X
BU4522AF / X路64kHz
4
ICsat = 6的
部份效果= 85℃
频率= 64千赫
1
3
0.1
IC / IB = 5
2
1
0.01
0.1
1
10
IC / A
100
0
0
0.5
1
1.5
IB / A
2
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
图12 。典型的集热器存储和下降时间。
I
C
= 6 A;吨
j
= 85℃ ; F = 64千赫
1997年12月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU4522AF
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
与复合散热器
IC / A
30
BU2522AF
20
10
0
20
40
60
80
部份效果/ C
100
120
140
0
0
500
VCE / V
1000
1500
图13 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
第Z / （K / W）
10
图16 。反向偏压安全工作区。牛逼
j
≤
T
JMAX
BU4522AF
10
9
IC （SAT） （A ）
0.5
1
0.2
0.1
0.05
0.1
0.02
8
7
6
5
4
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1.0E-01
3
2
1
0
0
10
20
40 50
60 70
30
水平频率（kHz ）
80
90
100
0
0.001
1.0E-07
1.0E-05
1.0E-03
T
1.0E-01
T / S
图14 。瞬态热阻抗。
图17 。我
CSAT
正常运行与频率时
操作，以获得最佳性能
VCC
LC
IBend
VCL
LB
T.U.T.
CFB
-VBB
图15 。测试电路RBSOA 。
1997年12月
5
启1.000
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU4522AF
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
在水平偏转电路中使用
彩色电视接收机和电脑显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
价值
1500
800
7.5
10
单位
V
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
基地电流 - 连续
基极电流峰值
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
V
A
25
6
A
A
9
45
150
-55~150
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
BU4522AF
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.75A
B
3.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.75A
B
1.03
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
I
EBO
发射Cuto FF电流
h
FE-1
直流电流增益
h
FE-2
直流电流增益
（ 16kHz的行偏转电路）开关时间
贮存时间
下降时间
t
英镑
t
f
w
.CN
i
em
cs
。是
w
w
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
I
C
= 7A ; V
CE
= 5V
4.2
I
C
= 7A ，我
B1
= 1.4A ;我
B2
= -3.5A;
F = 16kHz的
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
mA
mA
10
7.3
4.3
0.4
μs
μs
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2
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ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
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描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 800V （最小值）
高
开关速度
应用
·设计
在水平偏转电路中使用
彩色电视接收机和电脑显示器。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
参数
集电极 - 发射极电压（ V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 连续
集电极电流峰值
基地电流 - 连续
基极电流峰值
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
存储温度范围
价值
1500
800
7.5
10
25
6
9
45
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
I
BM
P
C
T
J
T
英镑
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
2.8
单位
℃/W
R
第j个-C
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硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
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典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
= 0， L = 25mH
800
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 1毫安;我
C
= 0
7.5
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.75A
B
3.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 7A ;我
B
= 1.75A
B
1.03
1.0
2.0
1.0
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 7.5V ;我
C
= 0
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE-1
直流电流增益
I
C
= 1A ; V
CE
= 5V
10
h
FE-2
直流电流增益
I
C
= 7A ; V
CE
= 5V
4.2
7.3
（ 16kHz的行偏转电路）开关时间
贮存时间
I
C
= 7A ，我
B1
= 1.4A ;我
B2
= -3.5A;
F = 16kHz的
下降时间
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