BUT11
NPN硅功率晶体管
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
电流增益
带宽积
输出电容
I
C
=
0.1 A
测试条件
L = 25毫亨
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.5 A
I
C
=
I
C
=
3A
3A
（见注3和4）
（见注3和4）
（见注3和4）
f=
1兆赫
12
110
20
T
C
= 125°C
（见注2 ）
民
400
50
500
1
60
1.5
1.3
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
A
mA
V
CE
= 850 V
V
CE
= 850 V
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CB
=
10 V
5V
0.6 A
0.6 A
10 V
20 V
I
C
= 0.5 A
I
E
= 0
F = 0.1 MHz的
注： 2.感应线圈切换测量。
3.这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θJC
结到外壳热阻
民
典型值
最大
1.25
单位
° C / W
电感性负载的开关特性，在25 ℃的情况下（除非另有说明）
参数
t
sv
t
fi
t
sv
t
fi
测试条件
I
C
= 3 A
V
CC
= 50 V
I
C
= 3 A
V
CC
= 50 V
I
B（上）
= 0.6A
民
V
BE （OFF）的
= -5 V
V
BE （OFF）的
= -5 V
典型值
最大
1.4
150
1.5
300
单位
s
ns
s
ns
电压存储时间
电流下降时间
电压存储时间
电流下降时间
（参见图1和图2）
I
B（上）
= 0.6A
T
C
= 100°C
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
2
1989年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
BUT11
NPN硅功率晶体管
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
1989年5月 - 修订2002年9月
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
NOITAMROFNI
TCUDORP
5
BUT11/11A
BUT11/11A
高压功率开关应用
1
TO-220
2.Collector
3.Emitter
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
： BUT11
： BUT11A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
： BUT11
： BUT11A
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
*集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
*基本电流（脉冲）
集电极耗散（T
C
=25°C)
结温
储存温度
参数
1.Base
价值
850
1000
单位
V
V
400
450
9
5
10
2
4
100
150
- 65 ~ 150
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
I
BP
P
C
T
J
T
英镑
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
（ SUS）的
参数
*集电极发射极耐受电压
： BUT11
： BUT11A
集电极截止电流
： BUT11
： BUT11A
I
EBO
V
CE
（SAT）
发射极截止电流
集电极 - 发射极饱和电压
： BUT11
： BUT11A
基射极饱和电压
： BUT11
： BUT11A
启动时间
贮存时间
下降时间
V
CE
= 850V, V
BE
= 0
V
BE
= 9V ，我
C
= 0
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 2.5A ，我
B
= 0.5A
I
C
= 3A ，我
B
= 0.6A
I
C
= 2.5A ，我
B
= 0.5A
V
CC
= 250V ，我
C
= 2.5A
I
B1
= -I
B2
= 0.5A
R
L
= 100
1
1
10
1.5
1.5
1.3
1.3
1
4
0.8
mA
mA
mA
V
V
V
V
s
s
s
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
= 0
分钟。
400
450
典型值。
马克斯。
单位
V
V
I
CES
V
BE
（SAT）
t
ON
t
英镑
t
F
*脉冲：脉冲持续时间= 300μS ，占空比= 1.5 ％
热特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
R
θJC
参数
热阻，结到外壳
典型值
最大
1.25
单位
° C / W
修订版B1 ， 2001年8月
2001仙童半导体公司
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
快
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统，其未能履行可
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
BUT11/11A
高压电源
切换应用程序
NPN
硅晶体管
TO-220
绝对最大额定值（T
a
=25°c)
特征
集电极 - 发射极电压： BUT11
： BUT11A
集电极 - 发射极电压： BUT11
： BUT11A
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
集电极耗散（TC = 25 ° C）
结温
储存温度
符号
VCES
VCEO
VEBO
IC
IC
IB
IB
PC
Tj
TSTG
等级
850
1000
400
450
9
5
10
2
4
100
150
-65~150
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°c
°c
电气特性（Ta = 25℃）
Characterristic
集电极发射极电压维持
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
开启时间
贮存时间
下降时间
： BUT11
： BUTIIA
： BUT11
： BUTIIA
： BUT11
： BUTIIA
： BUT11
： BUTIIA
符号
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
t
on
t
英镑
t
f
测试条件
I
C
=100mA,
I
B
=0
民
400
450
典型值
最大
单位
V
V
CE
= 850V , V
EB
=
0
V
CE
= 1000V , V
EB
= 0
V
EB
= 9V ,
I
C
=
0
I
C
=3A,
I
B
=0.6A
I
C
=2.5A,
I
B
=0.5A
I
C
=3A,
I
B
=0.6A
I
C
=2.5A,
I
B
=0.5A
V
CC
= 250V ，我
C
=2.5A
I
B1
= I
B2
=0.5A
1
1
10
1.5
1.5
1.3
1.3
1
4
0.8
V
mA
mA
A
V
V
V
V
S
S
S
永诚电脑配件有限公司， （香港）有限公司。
主页：
http://www.wingshing.com
联系电话： （ 852 ） 2341 9276传真： （ 852 ） 2797 8153
电子信箱： wsccltd@hkstar.com
BUT11
NPN硅功率晶体管
1989年5月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明）
参数
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
t
C
ob
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
电流增益
带宽积
输出电容
I
C
=
0.1 A
测试条件
L = 25毫亨
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.5 A
I
C
=
I
C
=
3A
3A
（见注3和4）
（见注3和4）
（见注3和4）
f=
1兆赫
12
110
20
T
C
= 125°C
（见注2 ）
民
400
50
500
1
60
1.5
1.3
V
V
兆赫
pF
典型值
最大
单位
V
A
mA
V
CE
= 850 V
V
CE
= 850 V
V
EB
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CB
=
10 V
5V
0.6 A
0.6 A
10 V
20 V
I
C
= 0.5 A
I
E
= 0
F = 0.1 MHz的
注： 2.感应线圈切换测量。
3.这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
结到外壳热阻
民
典型值
最大
1.25
单位
° C / W
电感性负载的开关特性，在25 ℃的情况下（除非另有说明）
参数
t
sv
t
fi
t
sv
t
fi
测试条件
I
C
= 3 A
V
CC
= 50 V
I
C
= 3 A
V
CC
= 50 V
I
B（上）
= 0.6A
民
V
BE （OFF）的
= -5 V
V
BE （OFF）的
= -5 V
典型值
最大
1.4
150
1.5
300
单位
s
ns
s
ns
电压存储时间
电流下降时间
电压存储时间
电流下降时间
（参见图1和图2）
I
B（上）
= 0.6A
T
C
= 100°C
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2
BUT11
NPN硅功率晶体管
1989年5月 - 修订1997年3月
机械数据
TO-220
3 - pin塑料法兰安装型封装
此单直插式封装包括安装在引线框架和封装在塑料的电路的
化合物。该化合物能够承受焊接温度具有不变形，并且电路的性能
当在高湿度条件下操作的特性将保持稳定。信息不需要额外的
在钎焊组件中使用时，清洗或处理。
TO220
4,70
4,20
3,96
3,71
10,4
10,0
2,95
2,54
6,6
6,0
15,90
14,55
1,32
1,23
见注释B
另请注意：C
6,1
3,5
0,97
0,61
1
2
3
1,70
1,07
14,1
12,7
2,74
2,34
5,28
4,88
2,90
2,40
0,64
0,41
第1版
第2版
以毫米为单位所有长度
注：A。该中心引脚与安装标签的电接触。
B.根据包的版本安装标签角落的个人资料。
据包版本C.典型固定孔中心站开高。
第1版18.0毫米。版本2 17.6毫米。
MDXXBE
产品
信息
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
描述
高压，高速，
玻璃钝化NPN电源
晶体管在TO -220封装。
应用
转换器
逆变器
开关稳压器
电动机控制系统。
钉扎
针
1
2
3
描述
BASE
集热器;连接
安装底座
辐射源
MBK106
BUT11 ; BUT11A
andbook ， halfpage
手册， halfpage
2
1
MBB008
3
1 2 3
Fig.1简化外形（ TO- 220AB ）和符号。
快速参考数据
符号
V
CESM
BUT11
BUT11A
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BUT11
BUT11A
V
CESAT
I
C
I
CM
P
合计
t
f
集电极 - 发射极饱和电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（峰值）
总功耗
下降时间
参见图7和图9
参见图2和图4
见图。 4
T
mb
≤
25
°C;
看科幻G.3
电阻性负载;参见图11和图12
开基
400
450
1.5
5
10
100
0.8
V
V
V
A
A
W
s
参数
集电极 - 发射极电压峰值
V
BE
= 0
850
1000
V
V
条件
马克斯。
单位
热特性
符号
R
日J- MB
参数
从结热阻安装基座
价值
1.25
单位
K / W
1997年8月13日
1
飞利浦半导体
产品speci fi cation
扩散硅功率晶体管
BUT11 ; BUT11A
手册，全页宽
10
2
MGB950
IC
(A)
ICM最大
10
IC最大
(1)
II
TP =
20
s
δ
= 0.01
50
s
1
100
s
200
s
500
s
1毫秒
2毫秒
10毫秒
DC
10
2
III
BUT11
BUT11A
I
10
1
(2)
IV
10
3
10
10
2
10
3
VCE （ V）
10
4
T
mb
≤
25
°C.
I - 允许的直流操作区。
II - 允许延长重复脉冲操作。
III - 允许经营区时导通的单晶体管转换器，提供
BE
≤
100
和T
p
≤
0.6
s.
IV - 在该地区重复脉冲操作是允许提供V
BE
≤
0和t
p
≤
5毫秒。
(1) P
TOT最大
和P
TOT最大峰值
线。
（2）第二击穿极限。
图4正向偏置飙升。
1997年8月13日
4
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BUT11 BUT11A
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
QQ：2880707522 复制
