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BUK95/9606-75B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
牧师02 - 2002年9月30日
产品数据
1.产品廓
1.1说明
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
飞利浦高性能汽车的TrenchMOS 技术。
产品可用性：
BUK9506-75B在SOT78 （ TO- 220AB ）
BUK9606-75B在SOT404 （D
2
-PAK ） 。
1.2产品特点
s
极低的通态电阻
s
175
°C
评级
s
Q101标准
s
兼容逻辑电平。
1.3应用
s
汽车系统
s
电机，灯具和螺线管
s
12 V ， 24 V和42 V负载
s
通用电源开关。
1.4快速参考数据
s
E
DS （ AL ）S
≤
852兆焦耳
s
I
D
≤
75 A
s
R
DSON
= 5.2毫欧（典型值）
s
P
合计
≤
300 W.
2.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
钉扎 - SOT78和SOT404简化的概括和符号
描述
栅极（G ）
漏极（四）
源极（S ）
安装基座
连接到
漏极（四）
2
1
MBK106
简化的轮廓
mb
符号
mb
d
[1]
g
s
MBB076
3
MBK116
1 2 3
SOT78 （ TO- 220AB ）
[1]
SOT404 （D
2
-Pak ）
这是无法接受的连接到SOT404封装的管脚2 。
飞利浦半导体
BUK95/9606-75B
的TrenchMOS 逻辑电平FET
3.极限值
表2 ：极限参数
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 5 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 75 A;
V
DS
≤
75 V; V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
起始物为
mb
= 25
°C
[1]
[2]
[1]
[2]
[2]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
-
-
-
55
55
-
-
-
-
最大
75
75
±15
153
75
75
612
300
+175
+175
153
75
612
852
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
A
A
A
mJ
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性漏源雪崩
能源
[1]
[2]
电流是由功耗芯片等级的限制
连续电流通过包装有限
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120
PDER
(%)
80
03na19
200
ID
(A)
150
03nh76
100
40
50
上限为75 a由于包
0
0
50
100
150
200
TMB
(°C)
0
25
50
75
100
125
150
175
200
TMB （℃ ）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
-
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
5 V
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
图2.连续漏电流的一个函数
安装基座的温度。
103
03ng87
TP = 10微秒
ID
(A)
限制导通电阻= VDS / ID
102
100 s
上限为75 a由于包
1毫秒
DC
10
10毫秒
100毫秒
1
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
单脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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4.热特性
表3：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小典型最大单位
-
-
0.5
K / W
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
SOT78
SOT404
垂直静止空气中
安装在印刷电路板;
最小的足迹
-
-
60
50
-
-
K / W
K / W
符号参数
4.1瞬态热阻抗
1
第Z （ J- MB ）
（K / W）
δ
= 0.5
10-1
03ng88
0.2
0.1
0.05
0.02
10-2
P
δ
=
tp
T
单发
tp
T
t
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
TP （多个）
1
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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5.特点
表4 ：特性
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 75 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±15
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 175
°C
V
GS
= 4.5 V ;我
D
= 25 A
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从接触螺丝
安装基座到的中心
死SOT78
从漏极上缘
安装基座到的中心
死SOT404
L
s
内部源极电感
从源铅源
焊盘
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
V
GS
= 5 V; V
DD
= 60 V;
I
D
= 25 A;
图14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
95
17
37
8770
842
336
68
144
273
116
4.5
3.5
-
-
-
11693
1010
460
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
-
-
-
-
5.2
-
-
4.7
6.1
12.8
6.6
5.5
m
m
m
m
-
-
-
0.02
-
2
1
500
100
A
A
nA
1.1
0.5
-
1.5
-
-
2
-
2.3
V
V
V
75
70
-
-
-
-
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
-
2.5
-
nH
-
7.5
-
nH
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