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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BUS131/A
描述
开关速度
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO ( SUS )
= 450V (最小值) -BUS131
500V (最小值) -BUS131A
应用
·设计
为在非常快的开关应用中使用
电感电路。
绝对最大额定值(T
a
=25
℃)
符号
参数
BUS131
BUS131A
BUS131
BUS131A
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
最大
850
单位
V
CES
集电极 - 发射
电压(V
BE
= 0)
V
1000
450
V
500
9
5
10
4
8
125
200
-65~200
V
A
A
A
A
W
V
首席执行官
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流峰值
基极电流
基极电流峰值
集电极耗散功率
@T
C
=25℃
结温
存储温度范围
I
BM
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻,结到外壳
最大
1.4
单位
℃/W
ISC的网站: www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BUS131
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BUS131A
V
CE(sat)-1
V
CE(sat)-2
V
BE ( SAT )
I
CEV
I
EBO
h
FE
C
OB
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
输出电容
I
C
= 1.5A ;我
B
= 0.2A
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
BUS131/A
条件
450
典型值。
最大
单位
I
C
= 0.1A ;我
B
= 0; L = 10MH
500
1.0
2.5
1.5
0.25
1.5
1
5
200
V
V
V
V
mA
mA
I
C
= 3A ;我
B
= 0.4A
B
V
CE
=V
CESMmax
;V
BE
=-1.5V
V
CE
=V
CESMmax
;V
BE
=-1.5V;T
J
=100℃
V
EB
= 6V ;我
C
= 0
I
C
= 5A ; V
CE
= 5V
I
E
= 0 ; V
CB
= 10V ; F
TEST
= 1kHz时
pF
开关时间,电阻性负载
t
on
t
英镑
t
f
开启时间
贮存时间
下降时间
I
C
= 3A ,我
B1
= 0.4A ;我
B2
= -0.8A
0.35
1.2
0.07
μs
μs
μs
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUS131
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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