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半导体
技术参数
开关型电源中的应用。
转换&斩波应用。
A
B10A45VIC
肖特基型二极管
（低VF型）
C
平均输出整流电流
: I
O
= 10A （TC = 114） 。
反向重复峰值电压
: V
RRM
=45V.
快速反向恢复时间：吨
rr
=35ns.
低正向峰值电压： 0.50V （典型值）。
E
G
B
P
特点
S
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
H
S
K
L
L
R
M
D
D
MILLIMETERS
_
10.0 + 0.3
_ 0.3
15.0 +
_
2.70 + 0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+ 0.2
_
3.0 + 0.3
_
12.0 + 0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6 + 0.5
_
3.7 + 0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54 + 0.1
_
6.8 + 0.1
_
4.5 + 0.2
_
2.6 + 0.2
0.5 TYP
F
N
N
最大额定值（ TA = 25
特征
反向重复峰值电压
平均输出整流
电流（TC = 114 ） （注）
峰值一个周期正向浪涌
电流（不重复60赫兹）
结温
存储温度范围
)
符号
V
RRM
I
O
等级
45
10
单位
V
A
1
2
3
J
Q
1.阳极
2.阴极
3.阳极
I
FSM
T
j
T
英镑
100
-40 150
-55 150
A
TO-220IS
注： centertap全波连接的平均正向电流。
2
1
3
电气特性（ TA = 25 ）
特征
峰值正向电压
重复峰值
反向电流
反向恢复时间
热阻
注：一个单元的值
（注）
（注）
（注）
（注）
符号
V
FM
I
RRM
t
rr
R
日（J -C ）
I
FM
=5A
V
RRM
Rated
I
F
= 1.0A ，的di / dt = -30A /
Juction到案
测试条件
分钟。
-
-
-
-
典型值。
0.50
-
-
-
马克斯。
0.55
150
35
4.0
ns
/W
单位
V
2007. 7. 12
版本号： 1
1/2
B10A45VIC
I
F
- V
F
50
30
T
J
=125 C
I
R
- V
R
100
反向电流I
R
（MA ）
10
1.0
0.1
0.01
0.001
T
j
=150 C
正向电流I
F
(A)
10
5.0
3.0
T
J
=75 C
T
J
=25 C
T
j
=100 C
1.0
0.5
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
T
j
=25 C
0
10
20
30
40
50
正向电压V
F
(V)
反向电压V
R
(V)
平均正向电流I
F（ AV ）
(A)
平均正向电流I
F（ AV ）
(A)
电流降额（ CASE ）
16
额定电压
应用的
R
Θ
JC
= 4.0 C / W
电流降额（环境）
16
施加额定电压
R
θJA
= 16℃ / W
12
DC
12
DC
R
θJA
= 60℃ / W
（无散热片）
8.0
8
180
方
WAVE
4.0
180方波
4
DC
0
100
0
0
40
80
120
160
110
120
130
140
150
壳温度（ C）
环境温度T
A
( C)
正向平均功耗
P
F（ AV ）
(W)
P
F（ AV ）
- I
F（ AV ）
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
0
4.0
8.0
12
16
平均正向电流I
F（ AV ）
(A)
180方波
（阻性负载）
I
PK
π
I
AV
=
DC
2007. 7. 12
版本号： 1
2/2
半导体
标识特定网络阳离子
B10A45VIC
TO- 220IS包装
1.标记方法
激光打标或墨水标记。
2.标记
1
B10A45V
IC
2
K
016
3
号
项
设备名称
KEC
LOT号
记号
B10A45VIC
K
0
016
16
描述
B10A45VIC
KEC CORP 。
YEAR
周
0~9 : 2000~2009
16 ：第16周
2000. 12. 27
版本号： 0
1/1
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