BULD25D ， BULD25DR ， BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
版权所有 1997年，创新动力有限公司， UK
1994年7月 - 修订1997年9月
q
专为高频设计
电子镇流器
集成的快速吨
rr
反并联二极管，
提高可靠性
二极管吨
rr
通常为500纳秒
新的超低高度SOIC封装功率
严格控制晶体管的存储时间
电压匹配集成的晶体管和
二极管
性能优化的酷跑
B
B
NC
NC
E
包
（ TOP VIEW ）
1
2
3
4
8
7
6
5
q
C
C
C
C
q
q
q
q
NC - 无内部连接
SL包装
（ TOP VIEW ）
1
2
3
q
q
二极管，三极管电荷耦合
最大限度地减小以提高频率稳定度
自定义开关可用的选择
表面贴装和通孔选项
包
小外形
小外形录音
和缠绕
单直列
PART ＃后缀
D
DR
SL
C
E
q
q
设备符号
C
B
描述
晶体管的新BULDxx范围已
专为中高频率使用而设计的
电子镇流器（ HFEB的） 。这一系列的
E
开关晶体管已受到严格控制
储存时间和一个集成的快速吨
rr
反并联二极管。革命性的设计保证了二极管
已经既快速正向和反向恢复时间，实现了相同的性能离散反平行
二极管加上晶体管。
集成的二极管有最小的电荷耦合于晶体管，提高频率的稳定性，
特别是在较低的电源电路，其中所述循环电流越小。根据设计，这种新器件提供
电压匹配的集成晶体管和反并联二极管。
该设备是在已经确立8引脚高度低表面贴装，D封装和TO -
220引脚兼容SL包。使用SL包允许40％的高储蓄，使其成为理想的
紧凑型镇流器应用。
在25 ° C环境温度绝对最大额定值（除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 基极电压（I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
符号
V
CES
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
价值
600
600
400
9
单位
V
V
V
V
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
1
BULD25D ， BULD25DR ， BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
1994年7月 - 修订1997年9月
在25 ° C环境温度绝对最大额定值（除非另有说明） （续）
等级
连续集电极电流（见注1 ）
峰值集电极电流（见注2 ）
连续基极电流（见注1 ）
峰值基极电流（见注2 ）
在（或低于） 25 ° C的环境温度下连续器件耗散
BULD25D
BULD25SL
符号
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
I
E（ AV）
T
j
T
英镑
价值
2
4
1.5
2.5
见图10
见图11
0.5
-65到+150
-65到+150
单位
A
A
A
A
W
A
°C
°C
最大平均连续二极管在（或低于） 25 ° C的环境温度正向电流
工作结温范围
存储温度范围
注： 1。此值适用于吨
p
=
1 s.
2.该值适用于吨
p
=
10毫秒，占空比
≤
2%.
在25 ° C的环境温度下的电气特性
参数
V
CEO （ SUS ）
I
CES
I
EBO
V
BE （ SAT ）
V
CE （ SAT ）
集电极 - 发射极
维持电压
集电极 - 发射极
截止电流
发射极截止
当前
基射
饱和电压
集电极 - 发射极
饱和电压
正向电流
传输比
反并联二极管
正向电压
I
C
=
0.1 A
V
BE
= 0
I
C
= 0
I
C
= 0.5 A
I
C
= 0.5 A
I
C
=
1A
I
C
= 0.01 A
I
C
= 0.5 A
I
C
=
1A
（见注3和4）
（见注3和4）
（见注3和4）
（见注3和4）
10
10
10
0.9
0.3
0.6
18
15
15
1.5
20
20
1.7
V
测试条件
民
400
10
1
1.1
0.5
1
典型值
最大
单位
V
A
mA
V
V
V
CE
= 600 V
V
EB
=
I
B
=
I
B
=
I
B
=
9V
0.1 A
0.1 A
0.2 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 1.5 V
V
CE
=
I
E
=
5V
1A
h
FE
V
EC
注： 3。这些参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
= 300微秒，占空比
≤
2%.
4.这些参数必须使用电压感测接触，分开的载流触点来测量，并位于
1mm内从装置主体对于D包和从装置主体3.2毫米为SL包。
热特性
参数
R
θ
JA
结到自由空气的热阻
包
SL包装
民
典型值
最大
165
115
单位
° C / W
在25 ° C环境温度的开关特性
参数
t
rr
t
s
t
f
记
反并联二极管
反向恢复时间
贮存时间
下降时间
测试条件
测量通过举办晶体管
在断开条件下， V
EB
= -3 V
（见注5 ）
（见注5 ）
（见注5 ）
2
民
典型值
0.5
3.5
0.25
最大
1
5
0.35
单位
s
s
s
5 ：请参考图12 ， 13和14的功能测试电路和开关波形。
产品
信息
2
BULD25D ， BULD25DR ， BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
1994年7月 - 修订1997年9月
典型特征
正向电流传输比
vs
集电极电流
30
T
A
= 25°C
I
E
- 瞬时正向电流 - 一个
h
FE
- 正向电流传输比
LDX25SHF
反并联二极管
正向电流
vs
正向电压
10
T
A
= 25°C
LDX25DVF
10
1·0
0·1
V
CE
= 1.5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
1·0
0·01
0·1
1·0
10
0·01
0
0·5
1·0
1·5
2·0
2·5
3·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
V
EC
- 正向电压 - V
图1 。
图2中。
基射极饱和电压
vs
环境温度
1.0
V
BE （ SAT ）
- 基射极饱和电压 - V
LDX25SVB
I
C
= 0.5 A
I
B
= 0.1 A
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T
A
- 环境温度 - C
网络连接gure 3 。
产品
信息
3
BULD25D ， BULD25DR ， BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
1994年7月 - 修订1997年9月
最大安全工作区
最大正向偏置
安全工作区
10
BULD25D
T
A
= 25°C
LDX25DFB
最大正向偏置
安全工作区
10
BULD25SL
T
A
= 25°C
LDX25SFB
I
C
- 集电极电流 - 一个
1·0
I
C
- 集电极电流 - 一个
t
p
= 100 s
t
p
= 10毫秒
t
p
= 1 s
1·0
0·1
0·1
t
p
= 100 s
t
p
= 10毫秒
t
p
= 1 s
0·01
1·0
10
100
1000
0·01
1·0
10
100
1000
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图4中。
图5中。
最大反向偏置
安全工作区
5
LDX25DRB
最大反向偏置
安全工作区
5
LDX25SRB
4
I
C
- 集电极电流 - 一个
3
I
C
- 集电极电流 - 一个
BULD25D
I
B（上）
= I
C
/ 5
V
BE （OFF）的
= -5 V
T
A
= 25°C
4
BULD25SL
I
B（上）
= I
C
/ 5
V
BE （OFF）的
= -5 V
T
A
= 25°C
3
2
2
1
1
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
0
0
100
200
300
400
500
600
700
800
V
CE
- 集电极 - 发射极电压 - V
图6 。
图7 。
产品
信息
4
BULD25D ， BULD25DR ， BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
1994年7月 - 修订1997年9月
热信息
热响应结到环境
vs
电脉冲的持续时间
Z
θ
JA
/R
θ
JA
- 正常化瞬态热阻抗
1·0
60%
40%
20%
0·1
10%
LDX25DZA
BULD25D
T
A
= 25°C
t1
0·01
0%
占空比= T1 / T2
阅读时间T1的结束，
t2
Z
T
J
(
最大
)
–
T
A
= P
D
(
PEAK
)
θ
JA
R
θ
JA
(
最大
)
R
θ
JA
0·001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T1 - 功率脉冲持续时间 - S
网络连接gure 8 。
热响应结到环境
vs
电脉冲的持续时间
Z
θ
JA
/R
θ
JA
- 正常化瞬态热阻抗
1·0
60%
40%
20%
0·1
10%
LDX25SZA
BULD25SL
T
A
= 25°C
t1
0·01
0%
占空比= T1 / T2
阅读时间T1的结束，
t2
Z
T
J
(
最大
)
–
T
A
= P
D
(
PEAK
)
θ
JA
R
θ
JA
(
最大
)
R
θ
JA
0·001
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
T1 - 功率脉冲持续时间 - S
图9 。
产品
信息
5
QQ：2881677436 复制
