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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第28页 > BULB49DT4
BULB49DT4
高压快速开关NPN功率晶体管
一般特点
■
■
■
■
■
■
高电压能力
动态参数的低SPREAD
最低许多到很多传播的可靠运行
非常高开关速度
高耐用性
表面安装TO- 263 （D
2
PAK ）功率
包
符合2002/ 93 / EC欧洲
指示
1
TO-263
D
2
PAK
3
■
描述
该器件采用高电压制造
多外延平面技术高
开关速度和高电压能力。
本设备被设计为在电子应用
变压器为卤素灯。
内部示意图
应用
■
■
电子变压器卤素灯
反激式和正向单晶体管低
电源转换器
订购代码
产品型号
BULB49DT4
记号
BULB49D
包
D
2
PAK
填料
磁带&卷轴
2006年7月
REV 2
1/11
www.st.com
11
BULB49DT4
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
2/11
BULB49DT4
电气额定值
1
电气额定值
表1中。
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
发射极 - 基极电压（I
C
=0, I
B
<2A ，T
P
<为10ms ）
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
<为5ms ）
基极电流
基峰电流（T
P
<为5ms ）
总功耗在T
c
≤
25°C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
850
450
V
（ BR ） EBO
5
10
2
4
80
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
表2中。
符号
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热数据
参数
热阻结案件
热阻结到环境
__max
__max
价值
1.56
62.5
单位
° C / W
° C / W
3/11
电气特性
BULB49DT4
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表3中。
符号
I
CES
I
EBO
V
（ BR ） EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
=0)
发射极截止电流
(I
C
=0)
发射极 - 基brakdown
电压（I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 850V
V
CE
= 850V
V
EB
= 9V
I
E
=10mA
10
450
_ _
I
B
=0.2A
_ _
I
B
=0.4A
__ _
I
B
=0.8A
_ _
I
B
=0.2A
_ _
I
B
=0.8A
V
CE
=5V
V
CE
=5V
V
CE
=10V
V
BB
= -2.5V
R
BB
=0
I
C
=2A
2
3
0.8
s
s
（参见图11）
I
C
=4A
R
的bb （关闭）
=0
L = 1MH
0.5
50
1.3
100
1.5
s
ns
V
450
V
4
10
60
10
0.1
0.3
0.6
1.2
1
1.3
T
j
= 125°C
分钟。
典型值。
马克斯。
100
500
100
18
单位
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
集电极 - 发射极
V
CEO(sus)(1)
维持电压（I = 0），我
C
=10mA
B
V
CE （ SAT ）
(1)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
I
C
=1A
I
C
=2A
I
C
=4A
I
C
=1A
I
C
=4A
I
C
=10mA
V
BE （饱和）（1）
h
FE （1）
直流电流增益
I
C
=500mA
I
C
=7A
I
C
=8A
L = 50μH
t
p
=10s
V
CC
=250V
V
CEW （1）
最大集电极 -
没有发射极电压
缓冲器
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
t
s
t
f
I
B1
=-I
B2
=400mA
t
p
=30s
V
CL
=300V
I
B（上）
=800mA
V
BE （OFF）的
=-5V
（参见图12）
I
C
= 3A
t
s
t
f
V
F
注（1）脉冲持续时间= 300
s,
占空比
≤1.5%
4/11
BULB49DT4
电气特性
2.1
电特性（曲线）
图1 。
安全工作区
图2中。
电流降额
网络连接gure 3 。
输出特性
图4中。
集电极 - 发射极饱和
电压
图5中。
基射极饱和
电压
图6 。
直流电流增益
5/11
BUL49D
BULB49D
高压快速开关NPN功率晶体管
特点
■
■
■
■
■
高电压能力
动态参数的低SPREAD
最低许多到很多传播的可靠运行
非常高开关速度
高耐用性
1
3
2
1
3
2
TO-220
TO-220FP
应用
3
■
■
电子变压器卤素灯
反激式和正向单晶体管低
电源转换器
D
2
PAK
1
3
12
I
2
PAK
描述
该设备所使用的高电压。制造
多外延平面技术高
开关速度和高电压能力。该
设备被设计为在电子应用
变压器为卤素灯。
图1 。
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
BUL49D
BUL49DFP
BULB49D
BULB49D
包
TO-220
TO-220FP
I
2
PAK
D
2
PAK
包装
管
管
管
磁带和卷轴
订货编号
BUL49D
BUL49DFP
BULB49D-1
BULB49DT4
2008年6月
REV 3
1/15
www.st.com
15
目录
BUL49D - BULB49D
目录
1
2
电气额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
电特性（曲线） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
测试电路。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
3
4
5
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
包装信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
BUL49D - BULB49D
电气额定值
1
电气额定值
表2中。
绝对最大额定值
价值
符号
参数
D
2
PAK
I
2
PAK
TO-220
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
J
集电极 - 发射极电压（V
BE
=0)
集电极 - 发射极电压（I
B
=0)
发射极 - 基极电压（I
C
=0, I
B
<2 A，
t
P
< 10毫秒）
集电极电流
集电极电流峰值（T
P
<为5ms ）
基极电流
基峰电流（T
P
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
≤
25°C
储存温度
马克斯。工作结温
80
-65到150
150
850
450
V
（ BR ） EBO
5
10
2
4
34
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
TO-220FP
单位
表3中。
热数据
D
2
PAK
符号
参数
I
2
PAK
TO-220
TO-220FP
单位
R
THJ情况
热阻结案件
R
THJ - AMB
热阻结到环境
__max
__max
1.56
62.5
3.67
62.5
° C / W
° C / W
3/15
电气特性
BUL49D - BULB49D
2
电气特性
(T
例
= 25 ° C除非另有规定编）
表4 。
符号
I
CES
I
EBO
V
（ BR ） EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
=0)
发射极截止电流
(I
C
=0)
发射极 - 基brakdown
电压（I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 850 V
V
CE
= 850 V
V
EB
= 9 V
I
E
= 10毫安
10
450
_
I
B
=0.2 A
I
B
=0.4 A
I
B
=0.8 A
_
I
B
=0.2 A
_
I
B
=0.8 A
V
CE
=5 V
V
CE
=5 V
V
CE
=10 V
V
BB
= -2.5 V
R
BB
=0
450
V
4
10
60
10
0.1
0.3
0.6
1.2
1
1.3
T
c
= 125 °C
分钟。
典型值。
马克斯。
100
500
100
18
单位
A
A
A
V
V
V
V
V
V
V
集电极 - 发射极
V
CEO(sus)(1)
维持电压（I = 0），我
C
= 10毫安
B
V
CE （饱和）（1）
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极饱和
电压
I
C
=1 A
I
C
=2 A
_
_ _
I
C
=4 A
__ _
V
BE （饱和）（1）
I
C
=1 A
I
C
=4 A
_
_
I
C
= 10毫安
h
FE （1）
直流电流增益
I
C
± 500毫安
I
C
=7 A
V
CEW （1）
最大集电极 -
没有发射极电压
缓冲器
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
I
C
=8 A
L =50
H
t
p
=10
s
V
CC
=250 V
I
B1
=-I
B2
= 400毫安
（见
图12）
V
CL
=300 V
I
B（上）
= 800毫安
V
BE （OFF）的
=-5 V
（见
图13）
I
C
= 3 A
I
C
=2 A
2
3
0.8
I
C
=4 A
R
的bb （关闭）
=0
L = 1毫亨
0.6
50
1.3
100
1.5
s
ns
V
s
s
t
s
t
f
t
s
t
f
V
F
1，脉冲持续时间= 300毫秒，占空比
≤
1.5%
4/15
BUL49D - BULB49D
电气特性
2.1
电特性（曲线）
图2中。
安全工作区域（
TO- 220 - D
2
PAK - 我
2
PAK ）
网络连接gure 3 。
安全工作区域（
TO-220FP)
图4中。
降额曲线
图5中。
输出特性
图6 。
集电极 - 发射极饱和
电压
图7 。
基射极饱和
电压
5/15
BULB49D
高压快速切换
NPN功率晶体管
订购代码
BULB49DT4
记号
BULB49D
包装/出货
D
2
PAK /磁带&卷轴
s
s
s
s
s
s
高电压能力
动态参数的低SPREAD
最小LOT - TO- lot传播的
可靠运行
非常高开关速度
高耐用性
表面安装TO- 263 （D
2
PAK ）
电源包装在磁带& REEL
（后缀“ T4 ” ）
对电子变压器
卤素灯泡
反激和进单曲
晶体管低功耗转换器
3
1
TO-263
D
2
PAK
（后缀“ T4 ” ）
应用范围：
s
s
内部原理图
描述
该器件采用高电压制造
多外延平面技术高开关
速度和高电压能力。
该BULB49D被设计为在电子应用
变压器的卤素灯。
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压（V
BE
= 0)
集电极 - 发射极电压（I
B
= 0)
发射极 - 基极电压（I
C
= 0, I
B
< 2 A，T
p
< 10毫秒）
集电极电流
集电极电流峰值（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
基极电流
基峰电流（T
p
＆ LT ; 5毫秒）
总功耗在T
c
= 25 °C
储存温度
马克斯。工作结温
价值
850
450
V
（ BR ） EBO
5
10
2
4
80
-65到150
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
2003年9月
1/7
BULB49D
热数据
R
THJ情况
R
THJ - AMB
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.56
62.5
° C / W
° C / W
电气特性
(T
j
= 25 ° C除非另有说明）
符号
I
CES
I
EBO
V
（ BR ） EBO
参数
集电极截止
电流（V
BE
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
发射极 - 基
击穿电压
(I
C
= 0)
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
饱和电压
直流电流增益
V
CE
= 850 V
V
CE
= 850 V
V
EB
= 9 V
I
E
= 10毫安
10
测试条件
T
j
= 125 °C
分钟。
典型值。
马克斯。
100
500
100
18
单位
A
A
A
V
V
CEO （ SUS ）
*
I
C
= 10毫安
450
V
V
CE （ SAT ）
*
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 4 A
I
C
= 1 A
I
C
= 4 A
I
C
= 10毫安
I
C
= 500毫安
I
C
= 7 A
I
C
= 8 A
L = 50 μH
t
p
= 10 s
I
C
= 2 A
I
B1
= -I
B2
= 400毫安
（参见图1）
I
C
= 4 A
I
B（上）
= 800毫安
V
BE （OFF）的
= -5 V
（参见图2）
I
C
= 3 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.4 A
I
B
= 0.8 A
I
B
= 0.2 A
I
B
= 0.8 A
V
CE
= 5 V
V
CE
= 5 V
V
CE
= 10 V
V
BB
= -2.5 V
R
BB
= 0
V
CC
= 250 V
2
V
CL
= 300 V
R
的bb （关闭）
= 0
L = 1毫亨
10
4
450
0.1
0.3
0.6
1.2
1
1.3
60
10
V
V
V
V
V
V
BE （ SAT ）
*
h
FE
*
V
CEW
*
最大集电极 -
发射极电压
内部消除缓冲
阻性负载
贮存时间
下降时间
感性负载
贮存时间
下降时间
二极管的正向电压
V
t
s
t
f
t
s
t
f
V
f
3
0.8
0.6
50
1.3
100
1.5
s
ns
s
ns
V
*脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比= 1.5 ％ 。
2/7
BULB49D
安全工作区
降额曲线
输出特性
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
直流电流增益
3/7
BULB49D
直流电流增益
感性负载存储时间
感性负载下降时间
反向偏置安全工作区
4/7
BULB49D
图1：
阻性负载开关测试电路
1 ）快速的电子开关
2）无感电阻器
图2：
感应负载开关测试电路
1 ）快速的电子开关
2）无感电阻器
3 ）快速恢复整流器
5/7
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推荐型号
B39141-B5007-H510
BA6566
BMR53D
B43508B2188M007
B65845
B3572
B43858H2226M012
BS62UV1027STCP85
B72520T0170K062
BZX79C100
BA036LBSG
B32682-A2102-J189
BULB7216T4
BS616UV1010ECG10
B757
BUK7514-30
B37872K5334K062
B32653A4224
BU4917G-TR
BAS19-T3
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BULB49DT4
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海熠富电子科技有限公司
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电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
BULB49DT4
ST
2024
20918
D2PAK
原装现货上海库存，欢迎查询
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BULB49DT4
ST
24+
21000
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
深圳市嘉万骏科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：657995889 复制

电话：0755*83682918
联系人：林小姐
地址：深圳市福田区华强花园A座30E
BULB49DT4
ST
22+
16000
原装正品自家库存
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388359 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388357 复制
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