超低功耗CMOS SRAM
64K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV1010
n
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.9V 3.6V
超低功耗：
V
CC
= 2.0V
工作电流： 15毫安（最大） ，在100ns内
1.0毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.01uA （典型值），在25
O
C
V
CC
= 3.0V
工作电流： 20毫安（最大） ，在100ns内
2.0毫安（最大） ，以1MHz
待机电流： 0.02uA （典型值），在25
O
C
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
n
描述
该BS616UV1010是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为65536和
经营形成了广泛的1.9V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
与典型的CMOS待机高速度和低功耗的特点，
0.01uA电流为2.0V / 25
O
为100ns的C和最大访问时间
在2.0V / 85
O
C.
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV1010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV1010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
n
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV1010DC
BS616UV1010AC
BS616UV1010EC
BS616UV1010AI
BS616UV1010EI
产业
-40
O
C至+ 85
O
C
1.5uA
1.0uA
2.0mA
20mA
1.0mA
15mA
广告
+0
O
C至+70
O
C
1.0uA
0.5uA
1.5mA
18mA
0.8mA
13mA
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
骰子
BGA-48-0608
TSOP II- 44
BGA-48-0608
TSOP II- 44
n
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
n
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
数据
输入
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512 x 2048
512
存储阵列
BS616UV1010EC
BS616UV1010EI
16
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
数据
产量
卜FF器
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A11 A9
A3
A2
A1
A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616UV1010
1
修订版2.6
五月。
2006
BS616UV1010
n
引脚说明
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择65536中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
我们写使能输入
OE输出使能输入
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
n
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
L
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV1010
2
修订版2.6
五月。
2006
BS616UV1010
n
绝对最大额定值
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
(1)
n
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
RANG
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+ 70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
V
CC
1.9V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
C
C
O
W
mA
n
电容
(1)
(T
A
= 25°C ， F = 1.0MHz的）
O
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2.
–2.0V
的情况下的交流脉冲的宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
n
DC电气特性（T
A
= -40°C至+ 85°C ）
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
电源
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
O
O
测试条件
分钟。
1.9
-0.3
(2)
1.4
2.2
--
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
单位
V
输入低电压
--
V
输入高电压
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
V
CC
+0.3
(3)
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
uA
输出漏电流
--
--
1
0.2
0.4
uA
输出低电压
--
1.6
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流
–
TTL
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
MAX(4)
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
--
--
15
20
V
--
mA
--
--
1.0
2.0
mA
--
--
0.01
0.02
0.5
1.0
mA
待机电流
–
CMOS
--
1.0
1.5
uA
1.典型的特点是在T
A
=25
O
C和不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC （ MIN ）。
5. I
CC （ MAX 。 ）
是13毫安/ 18毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.5uA的/ 1.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70
O
C.
R0201-BS616UV1010
3
修订版2.6
五月。
2006
超低功耗CMOS SRAM
64K ×16位
无铅和绿色包装材料符合RoHS
BS616UV1010
特点
宽V
CC
低工作电压： 1.9V 3.6V
超低功耗：
工作电流： 15毫安（最大） ，在100ns内
V
CC
= 2.0V
1.0毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 0.5 /低于1uA （最大值）的八十五分之七十
工作电流： 20毫安（最大） ，在100ns内
V
CC
= 3.0V
2.0毫安（最大） ，以1MHz
O
待机电流： 1 / 1.5uA （最大）在八十五分之七十
高速存取时间：
-10
为100ns （最大值）。
自动断电，当芯片被取消
易于扩展CE和OE选项
I / O配置X8 / X16由LB和UB引脚选择。
三态输出与TTL兼容
全静态操作
数据保持电源电压低至1.5V
描述
该BS616UV1010是一款高性能，超低功耗CMOS
静态随机存取存储器由16位组织为65536和
经营形成了广泛的1.9V至3.6V的电源电压。
先进的CMOS技术和电路技术提供两
高速和低功耗的特点，最大的CMOS待机
1 / 1.5uA在Vcc = 2 / 3V的电流在85℃和最大访问时间
的为100ns 。
轻松扩展内存由低电平有效使能芯片提供
（ CE）和低电平有效输出使能（ OE ）和三态输出
驱动程序。
该BS616UV1010具有自动断电功能，降低
功耗显著当芯片被取消。
该BS616UV1010可在DICE的形式， JEDEC标准
44引脚TSOP II和48焊球BGA封装。
O
耗电量
功耗
产品
家庭
BS616UV1010DC
BS616UV1010AC
BS616UV1010EC
BS616UV1010AI
BS616UV1010EI
产业
O
-40°C至+ 85°C
O
操作
温度
待机
(I
CCSB1
，最大值）
操作
(I
CC
，最大值）
PKG型
V
CC
=2.0V
f
马克斯。
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1MHz
f
马克斯。
1MHz
广告
O
O
0 ℃ + 70℃
骰子
1.0uA
0.5uA
1.5mA
18mA
0.8mA
13mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
1.5uA
1.0uA
2.0mA
20mA
1.0mA
15mA
BGA-48-0608
TSOP II- 44
销刀豆网络gurations
A4
A3
A2
A1
A0
CE
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
VSS
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
WE
A15
A14
A13
A12
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
UB
LB
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
VSS
VCC
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
A8
A9
A10
A11
NC
框图
A8
A13
A15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
2048
DQ0
.
.
.
.
.
.
DQ15
16
.
.
.
.
.
.
16
数据
产量
卜FF器
16
128
列解码器
7
控制
地址输入缓冲器
数据
输入
卜FF器
16
列I / O
写入驱动器
SENSE AMP
地址
输入
卜FF器
9
ROW
解码器
512 x 2048
512
存储阵列
BS616UV1010EC
BS616UV1010EI
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
D8
D9
VSS
VCC
D14
D15
NC
2
OE
UB
D10
D11
D12
D13
NC
A8
3
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
5
A2
CE
D1
D3
D4
D5
WE
A11
6
NC
D0
D2
VCC
VSS
D6
D7
NC
CE
WE
OE
UB
LB
V
CC
V
SS
A11 A9
A3
A2
A1
A0 A10
48球BGA俯视图
华晨半导体公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
R0201-BS616UV1010
1
调整
2.7
十月
2008
BS616UV1010
引脚说明
名字
A0 -A15地址输入
CE芯片使能输入
功能
这16个地址输入选择65536中的x在RAM的16位中的一个
CE为低电平有效。芯片使能必须处于活动状态时，数据读取表格或写
装置。如果芯片使能未激活，该装置的选择取消，并处于备用电源
模式。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当设备被取消。
我们写使能输入
写使能输入为低电平有效和控制读取和写入操作。与
芯片选择，当WE为高电平和OE为低电平时，输出数据将存在于
DQ引脚;当WE为低电平，在DQ管脚的数据的内容就被写入到
选择的存储位置。
OE输出使能输入
输出使能输入为低电平有效。如果输出使能处于激活状态，该芯片是
选择并允许写入的是不活动的，数据将出现在DQ管脚和它们
将被启用。 DQ管脚将处于高阻抗状态，当OE是无效的。
LB和UB数据字节控制输入
DQ0 - DQ15数据输入/输出
端口
V
CC
V
SS
低字节和高字节数据的输入/输出控制管脚。
有16个双向端口用于读取数据或将数据写入到RAM中。
电源
地
真值表
模式
芯片取消选择
（断电）
CE
H
X
L
L
WE
X
X
H
H
OE
X
X
H
H
LB
X
H
L
X
L
UB
X
H
X
L
L
L
H
L
L
H
IO0~IO7
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
高Z
D
OUT
D
IN
X
D
IN
IO8~IO15
高Z
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
OUT
高Z
D
IN
D
IN
X
V
CC
当前
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CCSB
, I
CCSB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
输出禁用
读
L
H
L
H
L
L
写
L
L
X
H
L
注： H表示V
IH
; L表示V
IL
; X表示不关心（必须是V
IH
或V
IL
状态）
R0201-BS616UV1010
2
调整
2.7
十月
2008
BS616UV1010
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
工作范围
单位
V
O
参数
与端电压
对于GND
高温下
BIAS
储存温度
功耗
直流输出电流
等级
-0.5
(2)
RANG
广告
产业
环境
温度
0℃至+ 70℃
-40 ℃至+ 85℃
O
O
O
O
V
CC
1.9V ~ 3.6V
1.9V ~ 3.6V
5.0
-40到+125
-60到+150
1.0
20
C
C
O
W
mA
电容
(1)
(T
A
= 25
O
C，F = 1.0MHz的）
符号PAMAMETER条件MAX 。单位
C
IN
C
IO
输入
电容
输入/输出
电容
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
6
8
pF
pF
1.强调高于绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这是一个额定值只和功能操作
该设备在这些或以上的任何其他条件
在业务部门所标明的这个规范不是
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间会影响其可靠性。
2. -2.0V的情况下， AC脉冲宽度小于30纳秒。
1.此参数是保证，而不是100 ％测试。
DC电气特性（T
A
= -40
O
C至+ 85
O
C)
参数
名字
V
CC
V
IL
V
IH
I
IL
I
LO
V
OL
V
OH
I
CC
I
CC1
I
CCSB
I
CCSB1
(5)
参数
电源
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
测试条件
分钟。
1.9
(2)
典型值。
(1)
--
马克斯。
3.6
0.6
0.8
V
CC
+0.3
(3)
单位
V
输入低电压
-0.3
--
V
输入高电压
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
1.4
2.2
--
--
V
输入漏电流
V
IN
= 0V至V
CC
V
I / O
= 0V至V
CC
,
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
CC
=最大，我
OL
= 0.1毫安
V
CC
=最大，我
OL
= 2.0毫安
V
CC
=最小，我
OH
= -0.1mA
V
CC
=最小，我
OH
= -1.0mA
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安中，f = F
最大
CE = V
IL
,
I
IO
= 0毫安， F = 1MHz的
CE = V
IH
,
I
IO
= 0毫安
CE = V
CC
-0.2V
V
IN
≧V
CC
-0.2V或V
IN
≦0.2V
(4)
--
1
uA
输出漏电流
--
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
V
CC
=2.0V
V
CC
=3.0V
--
1
0.2
0.4
--
15
20
1.0
2.0
0.5
1.0
1.0
1.5
uA
输出低电压
--
1.6
2.4
--
--
V
输出高电压
工作电源
当前
工作电源
当前
待机电流 - TTL
--
V
--
mA
--
--
mA
--
--
0.01
0.02
mA
待机电流 - CMOS
O
--
uA
1.典型的特点是在T
A
= 25℃ ，而不是100 ％测试。
2.冲： -1.0V的情况下，脉冲宽度小于20纳秒。
3.过冲： V
CC
+ 1.0V的情况下，脉冲的宽度小于20纳秒。
4. F
最大
=1/t
RC （ MIN ）。
O
5. I
CC （ MAX 。 ）
是13毫安/ 18毫安在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70 C.
O
6. I
CCSB1(MAX.)
为0.5uA的/ 1.0uA在V
CC
= 2.0V / 3.0V和T
A
=70 C.
R0201-BS616UV1010
3
调整
2.7
十月
2008
QQ：2880707522 复制
