添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第832页 > BUK9614-30
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
概述
N沟道增强模式的逻辑
在水平场效应功率晶体管
适用于表面的塑料封套
安装使用“地沟”技术。
该器件具有非常低的导通状态
性，并具有完整的齐纳
二极管，以提供ESD保护起来
2kV的。其目的是为在使用中
汽车和通用
开关应用。
BUK9614-30
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 5 V
马克斯。
30
69
125
175
14
单位
V
A
W
C
m
钉扎 - SOT404
针
1
2
3
mb
门
漏
来源
漏
描述
引脚配置
mb
符号
d
g
2
1
3
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
30
30
10
69
48
240
125
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
-
最小的足迹， FR4
板
典型值。
-
50
马克斯。
1.2
-
单位
K / W
K / W
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1997年12月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
栅源击穿
电压
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±5
V; V
DS
= 0 V
I
G
=
±1
毫安;
V
GS
= 5 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
30
27
1.0
0.5
-
-
-
-
-
10
-
-
典型值。
-
-
1.5
-
-
0.05
-
0.02
-
-
12
-
BUK9614-30
马克斯。
-
-
2.0
-
2.3
10
500
1
10
-
14
26
单位
V
V
V
V
V
A
uA
A
A
V
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 25 A
I
D
= 69 A; V
DD
= 24 V; V
GS
= 5 V
分钟。
12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
25
38
5
15
2000
480
220
30
80
100
50
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
45
130
140
75
-
-
-
单位
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V ;我
D
= 25 A;
V
GS
= 5 V ;
G
= 5
从测得的标签，模具中心
从漏铅焊料测
点模具中心
从源铅焊料测
点源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 69 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.95
1.0
65
0.1
马克斯。
69
240
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
1997年12月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 35 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
BUK9614-30
马克斯。
125
单位
mJ
1997年12月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9614-30
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
10
第i个J- MB / （K / W）
BUKx55-lv
1
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1E+01
0.1
0.01
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
0.001
1E-07
T
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
10
6
5
4
3.5
BUK9514-30
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
100
80
60
VGS / V =
3
40
2.5
2
0
20
40
60
80 100
TMB / C
120
140
160
180
20
0
0
2
4
VDS / V
6
8
10
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
4
VGS / V =
4.5
1000
ID / A
7514-30
40
9514-30
100
RD
N)
S（O
D
=V
S/
ID
TP = 10我们
100美
30
20
5
6
1毫秒
10
10毫秒
100毫秒
10
8
10
1
1
10
VDS / V
100
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1997年12月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
逻辑电平FET
BUK9614-30
100
ID / A
9514-30
TJ / C = 25
175
2.5
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK959-60
80
2
典型值。
60
1.5
分钟。
40
1
20
0.5
0
0
2
VGS / V
4
6
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
9514-30
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
60
50
40
1E-01
1E-02
2%
典型值
98%
TJ / C = 25
30
20
10
0
175
1E-03
1E-04
1E-05
0
20
40
ID / A
60
80
100
1E-05
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
2
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
9514-30
30V的TrenchMOS
10000
1.5
西塞
1
1000
0.5
科斯
CRSS
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
100
0.1
1
VDS / V
10
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1997年12月
5
启1.100
查看更多BUK9614-30PDF信息
推荐型号
BQ24196
BQ2002E
B41866C5337M000
BS616LV2019ECP55
BH113331F
BQ27520YZFR-G4
BU4332F
B72540T0250K062
B32529C0104J000
BTS4160DGA
BZX284-B30
BZX284B30
B84143B0400S081
BUH515
B41851F4227M000
BLM10A700S
BD5241G
BZV85C
BAT54TB
B0503D-2W
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BUK9614-30
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BUK9614-30
VBSEMI
2443+
23000
SOT404
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2433532182 复制

电话：0755-23607529/23603360/83258002
联系人：江先生
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
BUK9614-30
PH
2015+
20000
TO-263
香港原装现货 3-5天
深圳市成源运利电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3003494137 复制 点击这里给我发消息 QQ：3003494136 复制

电话：0755-15913992480
联系人：林
地址：深圳市福田区东方时代A2705
BUK9614-30
N
23+
16300
SOT404
全新进口原装现货 特价热卖
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
BUK9614-30
VBSEMI/台湾微碧
20+
6680
TO263
全新原装正品/质量有保证
北京上用科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
BUK9614-30
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10289
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
查询更多BUK9614-30供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！