【BUH515高压快速切换NPN功率晶体管ss高电压能力U.L.认可ISOWATT218包装（ U.L】,IC型号BUH515,BUH515 PDF资料,BUH515经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BUH515

高压快速切换

NPN功率晶体管

s

s

高电压能力

U.L.认可ISOWATT218包装

（ U.L.文件＃ E81734 （ N））。

应用范围：

s

水平偏转彩色

电视和显示器

s

开关模式电源

1

3

2

描述

该BUH515使用Multiepitaxial制造

梅萨技术，性价比很高

性能和使用空心发射极结构

以提高开关速度。

该BUH系列是专为在横向使用

在电视和显示器的偏转电路。

ISOWATT218

内部原理图

绝对最大额定值

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

吨OT

T

英镑

T

j

参数

集电极 - 基极电压（I

E

= 0)

集电极 - 发射极电压（I

B

= 0)

发射极 - 基极电压（I

C

= 0)

集电极电流

集电极电流峰值（T

p

＆ LT ; 5毫秒）

基极电流

基峰电流（T

p

＆ LT ; 5毫秒）

总功耗在T

c

= 25 C

圣ORAGE温度

马克斯。工作结温

o

价值

1500

700

10

8

12

5

8

50

-65到150

150

UNI吨

V

V

V

A

A

A

A

W

o

o

C

C

1/7

1999年11月

BUH515

热数据

R

吨HJ -CA SE

热阻结案件

最大

2.5

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

SYMB OL

I

CES

I

EBO

参数

集电极截止

电流（V

BE

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试电导率银行足球比赛s

V

CE

= 1500 V

V

CE

= 1500 V

V

EB

= 5 V

I

C

= 100毫安

700

T

j

= 125 C

o

分钟。

典型值。

马克斯。

0.2

2

100

取消它

mA

mA

A

V

V

CEO （ SUS）

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

V

EBO

V

CE （SAT）

V

BE （S AT）

h

F ê

发射极 - 基极电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

BASE- ER Emitt

饱和电压

直流电流增益

电阻式LO AD

贮存时间

下降时间

电感LO AD

贮存时间

下降时间

I

E

= 10毫安

I

C

= 5 A

I

C

= 5 A

I

C

= 5 A

I

C

= 5 A

I

B

= 1.25 A

I

B

= 1.25 A

V

CE

= 5 V

V

CE

= 5 V

10

1.5

1.3

6

4

2.7

190

2.3

350

12

V

V

V

T

j

= 100 C

o

t

s

t

f

t

s

t

f

V

CC

= 400 V

I

B1

= 1.25 A

I

C

= 5 A

I

B1

= 1.25 A

I

C

= 5 A

I

B2

= 2.5 A

3.9

280

s

ns

s

ns

F = 15625赫兹

I

B2

= -1.5 A

π

V

eflybac

= 1050的罪

10

6

吨V

5

I

C

= 5A

I

B1

= 1.25 A

F = 31250赫兹

I

B2

= -1.5 A

π

6

V

eflybac

= 1200的罪

10

t

5

t

s

t

f

电感LO AD

贮存时间

下降时间

V

2.3

200

s

ns

脉冲：脉冲宽度= 300

s,

占空比1.5 ％

安全工作区

热阻抗

2/7

BUH515

降额曲线

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

基极发射极饱和电压

功率损耗16千赫

开关时间感性负载在16KHz的

（参见图2）

3/7

BUH515

功率损耗为32KHz

开关时间感性负载在32千赫

（参见图2）

反向偏置SOA

切换时间阻性负载

基极驱动信息

以饱和的电源开关，并减少

导通损耗，足够直接的基极电流

I

B1

已被设置为最低增益

FE

at

100

o

C（行扫描相位）。另一方面，

负基极电流I

B2

必须提供给

关闭电源晶体管（回扫期）。

大部分的耗散，在偏转

应用程序时，发生在关断。因此，它是

对于确定的I值

B2

哪

最大限度地减少功率损耗，下降时间t

f

而且，

因此，T

j

。一组新的曲线一直

定义的，得到的总功率损耗，叔

s

和T

f

作为

我的功能

B2

在两个16千赫和32千赫

为选择最佳的扫描频率

消极的车程。测试电路中示出

4/7

图1 。

电感L

1

用于控制的斜率

负基极电流I

B2

重新组合

在集电极过量载体时的基极电流

仍然存在，这将避免任何拖尾

现象中的集电极电流。

L和C的值是从所计算的

下面的等式：

1

1

1

L

(

I

C

)

2

=

C

(

V

CEfly

)

2

ω =

2

π

f

=

2

2

L

√

C

在那里我

C

=工作集电极电流，V

CEfly

=

反激电压， F =振荡期间频率

追溯。

BUH515

图1：

感应负载开关测试电路。

图2：

开关波形在一个偏转电路

5/7

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUH515

描述

·带

TO- 3PML包

高

电压

高

高速开关

应用

·水平

偏转颜色

电视和监视器。

“开关

式电源。

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

℃)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

总功耗

工作结温

储存温度

T

C

=25℃

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

1500

700

10

8

12

5

8

50

150

-65~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

℃

℃

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

除非另有说明， TJ = 25 ℃

符号

参数

条件

民

BUH515

典型值。

最大

单位

V

CEO （ SUS ）

集电极 - 发射极电压维持

I

C

= 100毫安;我

B

=0

700

V

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 5A ;我

B

=1.25A

10

V

集电极 - 发射极饱和电压

1.5

V

V

BESAT

基射极饱和电压

I

C

= 5A ;我

B

=1.25A

V

CE

=1500V

;

V

BE

=0

T

j

=125℃

V

EB

= 5V ;我

C

=0

1.3

0.2

2

100

V

I

CES

集电极截止电流

mA

μA

I

EBO

发射极截止电流

h

FE

直流电流增益

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

6

12

开关时间

μs

t

s

贮存时间

I

C

=5A;I

B1

=1.25A;I

B2

=2.5A;

V

CC

=400V

2.7

3.9

t

f

下降时间

190

280

ns

热特性

符号

参数

最大

单位

℃/W

R

第j个-C

从结热阻到外壳

2.5

2

INCHANGE半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUH515

图2外形尺寸

3

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

BUH515

描述

·采用TO- 3PML包

·高电压

·高速开关

应用

·水平偏转的颜色

电视和监视器。

·开关模式电源。

钉扎

针

1

2

3

BASE

集热器

辐射源

Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号

描述

绝对最大额定值（Ta = 25

)

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CM

I

B

I

BM

P

合计

T

j

T

英镑

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

集电极电流峰值

基极电流（DC）的

基极电流峰值

总功耗

工作结温

储存温度

T

C

=25

发射极开路

开基

集电极开路

条件

价值

1500

700

10

8

12

5

8

50

150

-65~150

单位

V

V

V

A

A

A

A

W

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

特征

Tj=25

除非另有说明

参数

集电极 - 发射极电压维持

发射极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

基射极饱和电压

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

条件

I

C

= 100毫安;我

B

=0

I

E

= 10毫安;我

C

=0

I

C

= 5A ;我

B

=1.25A

I

C

= 5A ;我

B

=1.25A

V

CE

=1500V

;

V

BE

=0

T

j

=125

V

EB

= 5V ;我

C

=0

I

C

= 5A ; V

CE

=5V

6

民

700

10

BUH515

符号

V

CEO （ SUS ）

V

（ BR ） EBO

V

CESAT

V

BESAT

I

CES

I

EBO

h

FE

典型值。

最大

单位

V

V

1.5

1.3

0.2

2

100

12

V

V

mA

A

开关时间

t

s

t

f

贮存时间

I

C

=5A;I

B1

=1.25A;I

B2

=2.5A;

V

CC

=400V

下降时间

190

280

ns

2.7

3.9

s

热特性

符号

R

第j个-C

参数

从结热阻到外壳

最大

2.5

单位

/W

2

SavantIC半导体

产品speci fi cation

硅NPN功率晶体管

包装外形

BUH515

图2外形尺寸

3

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ST

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23000

TO-220F

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市成源运利电子科技有限公司

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ST

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5720

TO-220F

火爆销售.全新原装.深圳市场最低价!

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ST/意法

24+

8640

TO-3PF

全新原装现货，原厂代理。

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ST/意法

21+

9561

TO-3PF

全新原装正品/质量有保证

深圳诚思涵科技有限公司

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联系人：朱先生

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ST

24+

9850

TO220-3

官方授权代理商入驻

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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BUH515

ST

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44500

TO-3PL

原装现货

深圳勤思达科技有限公司

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联系人：朱生

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BUH515

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12+

10000

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全新原装，绝对正品，公司现货供应

深圳和润天下电子科技有限公司

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BUH515

ST/意法

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深圳市易信优科技有限公司

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BUH515

ST

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深圳市集创讯科技有限公司

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