BUK7Y08-40B
N沟道的TrenchMOS标准水平FET
版本03 - 2010年4月7日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
标准电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）在一个塑料
封装采用恩智浦高性能汽车（ HPA）的TrenchMOS技术。这
产品的设计，并有资格用在适当的AEC标准
汽车关键应用。
1.2特点和优点
Q101标准
适用于标准水平栅极驱动
来源
适用于要求苛刻的热
由于175℃的评价环境
1.3应用
12 V负载
汽车系统
通用开关电源
电机，灯具和螺线管
1.4快速参考数据
表1中。
符号
V
DS
I
D
P
合计
快速参考数据
参数
漏源
电压
漏电流
总功率
耗散
漏源
导通状态
阻力
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
V
GS
= 10 V ;牛逼
mb
= 25 °C;
SEE
图4 ;
SEE
图1
T
mb
= 25°C ;看
图2
[1]
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大单位
40
75
105
V
A
W
静态特性
R
DSON
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
T
j
= 25°C ;看
图12 ;
SEE
图13
-
6
8
m
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
不重复
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V;
漏源
R
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V;
雪崩能T
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
栅极 - 漏极电荷我
D
= 25 A; V
DS
= 32 V;
V
GS
= 10 V ;看
图14
-
-
146
mJ
动态特性
Q
GD
-
14.7 -
nC
[1]
连续电流通过封装的限制。
恩智浦半导体
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2.管脚信息
表2中。
针
1
2
3
4
mb
管脚信息
符号说明
S
S
S
G
D
来源
来源
来源
门
安装底座;连接
漏
mbb076
简化的轮廓
mb
图形符号
D
G
S
1 2 3 4
SOT669 （ LFPAK ）
3.订购信息
表3中。
订购信息
包
名字
BUK7Y08-40B
LFPAK
描述
VERSION
塑料单端表面安装封装（ LFPAK ） ; 4导致SOT669
类型编号
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4.极限值
表4 。
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
极限值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
T
mb
= 25 ℃; V
GS
= 10 V ;看
图4 ;
SEE
图1
T
mb
= 100℃ ; V
GS
= 10 V ;看
图1
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
S
I
SM
E
DS （ AL ）S
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
结温
源出电流
峰源电流
不重复
漏源
雪崩能量
重复的漏 - 源
雪崩能量
T
mb
= 25 °C
t
p
≤
10微秒;脉冲;牛逼
mb
= 25 °C
I
D
= 75 A; V
SUP
≤
40 V ;
GS
= 50
;
V
GS
= 10 V ;牛逼
J（下INIT ）
= 25°C ;松开
SEE
科幻gure 3
[2][3][4]
[1]
[1]
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
条件
T
j
≥
25 ℃;牛逼
j
≤
175 °C
R
GS
= 20 k
民
-
-
-20
-
-
-
-
-55
-55
-
-
-
典型值
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
40
40
20
75
58.85
332
105
175
175
75
332
146
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
T
mb
= 25°C ;吨
p
≤
10微秒;脉冲;
SEE
图4
T
mb
= 25°C ;看
图2
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）R
-
-
-
J
[1]
[2]
[3]
[4]
连续电流通过封装的限制。
单脉冲雪崩额定值受175° C的最高结温。
重复雪崩额定值的限制由在170℃的平均结温。
请参考应用笔记AN10273了解更多信息。
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10
3
I
D
(A)
性限R
DSON
= V
DS
/ I
D
10
2
t
p
= 10
μs
100
μs
10
DC
1
1毫秒
10毫秒
100毫秒
003aad506
10
-1
10
-1
1
10
10
2
V
DS
(V)
10
3
图4 。
安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
5.热特性
表5 。
符号
R
日（ J- MB ）
热特性
参数
热阻
从结点到
安装底座
条件
SEE
图5
民
-
典型值
-
最大
1.42
单位
K / W
10
Z
日（ J- MB ）
（K / W）
1
0.2
0.1
10
-1
003aac479
δ
= 0.5
0.05
0.02
10
-2
单发
t
p
T
t
P
δ
=
t
p
T
10
-3
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
t
p
(s)
1
图5 。
从结瞬态热阻抗安装基座为脉冲持续时间的函数。
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