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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
输入BD234 /二百三十八分之二百三十六
应用
For
中功率线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
BD233 BD235 BD237
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
参数
条件
BD233
BD235
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
CH
BD237
BD233
BD235
BD237
发射极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
45
60
100
45
60
80
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
集电极开路
5
2
6
V
A
A
W
T
C
=25℃
25
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BE
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BD233
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BD235
BD237
BD233
I
CBO
集电极截止电流
BD235
BD237
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
条件
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
BD233 BD235 BD237
典型值。
最大
0.6
1.3
单位
V
V
45
60
80
V
100
μA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
固电
IN
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
导½
跃迁频率
ES
CH
I
C
= 150毫安; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
ND
ICO
EM
40
25
3
OR
UCT
1
mA
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD233 BD235 BD237
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
输入BD234 /二百三十八分之二百三十六
应用
For
中功率线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
BD233 BD235 BD237
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
参数
BD233
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD235
BD237
BD233
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD235
BD237
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
100
45
60
80
5
2
6
25
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BE
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BD233
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BD235
BD237
BD233
I
CBO
集电极截止电流
BD235
BD237
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 150毫安; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
条件
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
BD233 BD235 BD237
典型值。
最大
0.6
1.3
单位
V
V
45
60
80
V
100
μA
1
40
25
3
mA
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD233 BD235 BD237
图2外形尺寸
3
BD235
BD237
低电压NPN功率晶体管
特点
低饱和电压
NPN晶体管
应用
音频,功率线性和开关应用
3
2
1
描述
这些器件在平面制造
技术与“基地岛”的布局。该
导致晶体管显示特殊的高增益
再加上非常低饱和度的表现
电压。 PNP型是BD238 。
图1 。
SOT-32
(TO-126)
内部原理图
表1中。
设备简介
记号
BD235
BD237
SOT-32
SOT-32
包装
订购代码
BD235
BD237
2009年6月
文档编号4189修订版3
1/9
www.st.com
9
绝对最大额定值
BD235 , BD237
1
绝对最大额定值
表2中。
符号
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
合计
T
英镑
T
J
绝对最大额定值
价值
参数
BD235
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(R
BE
= 1 kΩ)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值(T
p
<毫秒)
总功耗在T
= 25°C
储存温度
马克斯。工作结温
60
60
60
5
2
6
25
-65到150
150
BD237
100
100
80
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
单位
2/9
文档编号4189修订版3
BD235 , BD237
电气特性
2
电气特性
(T
= 25°C ;除非另有规定)
表3中。
符号
I
CBO
I
EBO
电气特性
参数
集电极截止电流
(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
(1)
测试条件
V
CB
=额定V
CBO
V
CB
=额定V
CBO
T
C
= 150°C
V
EB
= 5V
I
C
= 100毫安
为BD235
为BD237
I
C
= 1A
__
I
C
= 1A
___
I
C
= 150毫安
_
I
C
= 1A_
I
B
= 0.1A
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
V
CE
= 2V
分钟。
典型值。
-
马克斯。
0.1
2
1
单位
mA
mA
mA
-
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
(I
B
= 0)
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压上
直流电流增益
60
80
-
V
V
0.6
1.3
V
V
V
CE(sat)(1)
V
BE(on)(1)
h
FE(1)
-
-
40
25
-
1,脉冲持续时间= 300微秒,占空比= 1.5 % 。
2.1
电特性(曲线)
图2中。
安全工作区
网络连接gure 3 。
降额曲线
文档编号4189修订版3
3/9
电气特性
图4中。
直流电流增益(V
CE
= 2 V)
图5中。
BD235 , BD237
直流电流增益(V
CE
= 4 V)
图6 。
集电极 - 发射极饱和
电压
图7 。
基射极饱和
电压
网络连接gure 8 。
基射极电压上
图9 。
阻性负载开关时间
(上)
4/9
文档编号4189修订版3
BD235 , BD237
图10.电阻负载开关时间
(关闭)
电气特性
2.2
测试电路
图11.电阻负载开关测试电路
1.快速电子开关
2.无感电阻器
文档编号4189修订版3
5/9
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·带
TO- 126封装
.Complement
输入BD234 /二百三十八分之二百三十六
应用
For
中功率线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
BD233 BD235 BD237
绝对最大额定值(Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
固电
IN
导½
参数
条件
BD233
BD235
集电极 - 基极电压
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
ES
CH
BD237
BD233
BD235
BD237
发射极开路
ND
ICO
EM
OR
UCT
价值
45
60
100
45
60
80
单位
V
开基
V
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
集电极开路
5
2
6
V
A
A
W
T
C
=25℃
25
150
-65~150
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
CESAT
V
BE
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BD233
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BD235
BD237
BD233
I
CBO
集电极截止电流
BD235
BD237
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
条件
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
BD233 BD235 BD237
典型值。
最大
0.6
1.3
单位
V
V
45
60
80
V
100
μA
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
固电
IN
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
导½
跃迁频率
ES
CH
I
C
= 150毫安; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
ND
ICO
EM
40
25
3
OR
UCT
1
mA
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
兆赫
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD233 BD235 BD237
固电
IN
导½
ES
CH
ND
ICO
EM
OR
UCT
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
描述
·采用TO- 126封装
·补类型为BD234 / 238分之236
应用
·对于中等功率的线性和
切换应用程序
钉扎
1
2
3
描述
辐射源
集热器;连接到
安装底座
BASE
BD233 BD235 BD237
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
参数
BD233
V
CBO
集电极 - 基极电压
BD235
BD237
BD233
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BD235
BD237
V
EBO
I
C
I
CM
P
C
T
j
T
英镑
发射极基极电压连续
集电极电流( DC )
集电极电流峰值
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
集电极开路
开基
发射极开路
条件
价值
45
60
100
45
60
80
5
2
6
25
150
-65~150
V
A
A
W
V
V
单位
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
BD233
V
CEO ( SUS )
集电极 - 发射极
维持电压
BD235
BD237
BD233
I
CBO
集电极截止电流
BD235
BD237
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
f
T
发射极截止电流
直流电流增益
直流电流增益
跃迁频率
V
CB
= 45V ;我
E
=0
V
CB
= 60V ;我
E
=0
V
CB
= 100V ;我
E
=0
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 150毫安; V
CE
=2V
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
I
C
= 250毫安; V
CE
=10V
I
C
= 0.1A ;我
B
=0
条件
I
C
= 1A ;我
B
=0.1A
I
C
= 1A ; V
CE
=2V
BD233 BD235 BD237
符号
V
CESAT
V
BE
典型值。
最大
0.6
1.3
单位
V
V
45
60
80
V
100
A
1
40
25
3
mA
兆赫
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BD233 BD235 BD237
图2外形尺寸
3
BD233/235/237
BD233/235/237
中功率线性和开关
应用
分别补到BD 234/236/238
1
TO-126
2.Collector
3.Base
1.发射器
NPN外延硅晶体管
绝对最大额定值
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
CBO
集电极 - 基极电压
参数
: BD233
: BD235
: BD237
: BD233
: BD235
: BD237
: BD233
: BD235
: BD237
价值
45
60
100
45
60
80
45
60
100
5
2
6
25
150
- 65 ~ 150
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
V
CER
集电极 - 发射极电压
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
J
T
英镑
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
*集电极电流(脉冲)
集电极耗散(T
C
=25°C)
结温
储存温度
电气特性
T
C
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
首席执行官
( SUS)的
参数
*集电极发射极耐受电压
: BD233
: BD235
: BD237
集电极截止电流
: BD233
: BD235
: BD237
I
EBO
h
FE
V
CE
(SAT)
V
BE
(上)
f
T
发射极截止电流
*直流电流增益
*集电极 - 发射极饱和电压
*基射极电压ON
电流增益带宽积
V
CB
= 45V ,我
E
= 0
V
CB
= 60V ,我
E
= 0
V
CB
= 100V ,我
E
= 0
V
EB
= 5V ,我
C
= 0
V
CE
= 2V ,我
C
= 150毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
I
C
= 1A ,我
B
= 0.1A
V
CE
= 2V ,我
C
= 1A
V
CE
= 10V ,我
C
= 250毫安
3
40
25
0.6
1.3
V
V
兆赫
100
100
100
1
A
A
A
mA
测试条件
I
C
= 100mA时我
B
= 0
分钟。
45
60
80
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
I
CBO
*脉冲测试: PW = 300μS ,占空比= 1.5 %脉冲
2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月
BD233/235/237
典型特征
V
BE
(SAT) ,V
CE
(饱和) [ V]时,饱和电压
1000
10
V
CE
= 2V
I
C
= 10 I
B
h
FE
,直流电流增益
100
1
V
BE
(SAT)
V
CE
(SAT)
0.1
10
1
0.01
0.01
0.1
1
10
0.1
1
10
I
C
[A] ,集电极电流
I
C
[A] ,集电极电流
图1.直流电流增益
图2.基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10
40
I
C
MAX 。 (脉冲)
10
s
35
0
10
I
C
[A] ,集电极电流
P
C
[W] ,功率耗散
100
s
30
1m
I
C
MAX 。 (连续)
DC
1
BD233
BD235
BD237
s
25
20
15
10
5
0.1
1
10
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ,集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ,外壳温度
图3.安全工作区
图4.功率降额
2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月
BD233/235/237
包装Demensions
TO-126
±0.10
3.90
8.00
±0.30
3.25
±0.20
14.20MAX
3.20
±0.10
11.00
±0.20
(1.00)
0.75
±0.10
1.60
±0.10
0.75
±0.10
±0.30
(0.50)
1.75
±0.20
#1
2.28TYP
[2.28±0.20]
2.28TYP
[2.28±0.20]
13.06
16.10
±0.20
0.50
–0.05
+0.10
单位:毫米
2001仙童半导体公司
牧师A1 , 2001年6月
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用,不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
* STAR POWER
OPTOPLANAR
ACEX
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DenseTrench
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
FASTr
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
等平面
LittleFET
的MicroFET
MICROWIRE
OPTOLOGIC
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
SLIENT SWITCHER
SMART START
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TruTranslation
TinyLogic
UHC
UltraFET
VCX
STAR *电源根据许可证使用
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照,也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统,而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用:
2.关键部件是在生命支持任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或系统
设备或系统,其未能履行可
其中, ( a)打算通过外科手术移植到体内,
或(b )支持或维持生命,或(c )其不履行
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统,或影响其安全性或有效性。
如果使用得当按照使用说明
提供的标签,可以合理预期
造成显著伤害到用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2001仙童半导体公司
牧师H3
BD235/BD236
BD237/BD238
互补硅功率晶体管
s
SGS - THOMSON最佳SALESTYPES
描述
的BD235和BD237是硅外延基
NPN功率晶体管在JEDEC的SOT- 32塑料
包inteded在中等功率的线性应用
和切换应用程序。
互补PNP类型BD236和
BD238分别。
3
2
1
SOT-32
内部原理图
绝对最大额定值
符号
参数
NPN
PNP
V
CBO
V
CER
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
P
吨OT
T
英镑
T
j
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 基极电压(R
BE
= 1K)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压(I
C
= 0)
集电极电流
集电极电流峰值
总功耗在T
c
= 25 C
储存温度
马克斯。操作摄像结温
o
价值
BD235
BD236
60
60
60
5
2
6
25
-65到150
150
BD237
BD238
100
100
80
UNI吨
V
V
V
V
A
A
W
o
o
C
C
为PNP型的电压和电流值是负的。
1997年9月
1/5
BD235/BD236/BD237/BD238
热数据
R
吨HJ -CA SE
热阻结案件
最大
5
o
C / W
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
SYMB OL
I
CBO
I
EBO
参数
集电极截止
电流(I
E
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试电导率银行足球比赛s
V
CE
=额定V
首席执行官
V
CE
=额定V
首席执行官
V
EB
= 5 V
I
C
= 100毫安
BD235/BD236
BD237/BD238
I
C
= 1 A
I
C
= 1 A
I
C
= 150毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 250毫安
I
C
= 150毫安
I
B
= 0.1 A
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 10 V
V
CE
= 2 V
40
25
3
1.6
兆赫
T
c
= 150 C
o
分钟。
典型值。
马克斯。
0.1
2
1
取消它
mA
mA
mA
V
CEO ( SUS)
集电极 - 发射极
维持电压
V
CE (SAT)
V
BE
h
FE
f
T
集电极 - 发射极
饱和电压
基射极电压
直流电流摹泉
跃迁频率
60
80
0.6
1.3
V
V
V
V
h
FE1
/h
FE 2
配对
脉冲:脉冲宽度= 300
s,
占空比1.5 %
安全工作区
降额曲线
2/5
BD235/BD236/BD237/BD238
直流电流增益( NPN型)
直流电流增益( PNP型)
集电极 - 发射极饱和电压( NPN型)
集电极 - 发射极饱和电压( PNP型)
基射极饱和电压( NPN型)
集电极 - 基极电容( PNP型)
3/5
BD235/BD236/BD237/BD238
SOT- 32 ( TO- 126 )机械数据
mm
分钟。
A
B
b
b1
C
c1
D
e
e3
F
G
H
H2
2.15
3
4.15
3.8
3.2
2.54
0.084
0.118
7.4
10.5
0.7
0.49
2.4
1.0
15.4
2.2
4.65
0.163
0.150
0.126
0.100
典型值。
马克斯。
7.8
10.8
0.9
0.75
2.7
1.3
16.0
分钟。
0.291
0.413
0.028
0.019
0.040
0.039
0.606
0.087
0.183
典型值。
马克斯。
0.307
0.445
0.035
0.030
0.106
0.050
0.629
DIM 。
H2
0016114
4/5
BD235/BD236/BD237/BD238
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对此类信息的使用,也不对任何侵犯第三方专利或可借鉴其使用效果等权利的后果。没有
获发牌照以暗示或其他方式SGS - THOMSON微电子公司的任何专利或专利权。规格提到
本出版物中如有更改,恕不另行通知。本出版物取代并替换以前提供的所有信息。
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SGS - THOMSON Microelectonics的书面批准。
1997 SGS - THOMSON微电子 - 印刷意大利 - 版权所有
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澳大利亚 - 巴西 - 加拿大 - 中国 - 法国 - 德国 - 香港 - 意大利 - 日本 - 韩国 - 马来西亚 - 马耳他 - 摩洛哥 - 荷兰 -
新加坡 - 西班牙 - 瑞典 - 瑞士 - 台湾 - 泰国 - 英国 - 美国
. ..
5/5
直流电流增益 - 的hFE = 40 (分钟) @ IC = 0.15 ADC
。 。 。设计用于使用5.0至10瓦音频放大器,利用驱动程序
互补或准互补电路。
*脉冲测试:脉冲宽度
摩托罗拉公司1995年
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
塑料中功率硅
NPN晶体管
半导体技术资料
摩托罗拉
电气特性
( TC = 25
_
C除非另有说明)
热特性
最大额定值
第七版
热阻,结到外壳
工作和存储结
温度范围
器件总功耗@ TC = 25
_
C
基极电流
集电极电流
发射极 - 基极电压
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
电流增益 - 带宽积
( IC = 250 MADC , VCE = 10 VDC , F = 1.0兆赫)
基射极电压上*
( IC = 1.0 ADC , VCE = 2.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压*
( IC = 1.0 ADC , IB = 0.1 ADC )
直流电流增益
( IC = 0.15 A , VCE = 2.0 V)
( IC = 1.0 A, VCE = 2.0 V)
发射Cuto FF电流
( VBE = 5.0伏, IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 100伏, IE = 0 )
集电极 - 发射极耐受电压*
( IC = 0.1 ADC , IB = 0 )
特征
等级
x
300
s,
占空比
x
2.0%.
特征
符号
符号
TJ , TSTG
VCBO
VCEO
VEBO
θ
JC
PD
IC
IB
- 55至+ 150
价值
最大
100
5.0
1.0
2.0
5.0
25
80
V( BR ) CEO
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
符号
ICBO
IEBO
hFE1
hFE2
fT
_
C / W
单位
单位
ADC
ADC
VDC
VDC
VDC
_
C
3.0
40
25
80
2.0安培
功率晶体管
NPN硅
80伏
25瓦
BD237
CASE 77-08
TO- 225AA型
最大
订购此文件
通过BD237 / D
1.3
0.6
1.0
0.1
MADC
MADC
兆赫
单位
VDC
VDC
VDC
1
BD237
10
IC ,集电极电流( AMP )
100
s
1毫秒
5毫秒
1
TJ = 150℃
dc
3
0.3
BD236
BD237
3
10
30
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
安全工作区曲线表明IC - VCE限制
低于该设备不会进入二次击穿。
具体电路集电极负载线必须落在AP-内
plicable安全区域,避免造成灾难性的失败。对
保证低于最大的TJ操作中,功率 - 温度
降额必须为稳态和脉冲观察
功率条件。
0.1
1
100
图1.活动区的安全工作区
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
0.8
IC = 0.1 A
0.25 A
0.5 A
1.0 A
0.6
TJ = 25°C
0.4
0.2
0
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
3.0
10
5.0
IB ,基极电流(毫安)
1.5
20
30
50
100
200
图2.集电极饱和区
的hFE , DC电流增益(标准化)
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
2.0 3.0 5.0
TJ = + 150°C
TJ = + 25°C
TJ = + 55°C
电压(伏)
0.9
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
0.6
VBE @ VCE = 2.0 V
0.3
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
10
20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
IC ,集电极电流(毫安)
0
2.0 3.0 5.0
10
20 30 50 100 200 300 500 1000 2000
IC ,集电极电流(毫安)
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
1.2
图3.电流增益
R(T ) ,规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.01
0.02 0.03
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.01
单脉冲
图4. “开”电压
θ
JC ( T) = R(T )
θ
JC
P( PK)
θ
JC = 4.16 ° C / W MAX
θ
JC = 3.5 ° C / W TYP
D曲线任选一功率
t1
脉冲序列如图
t2
读取时间在T1
TJ ( PK) - TC = P ( PK)
θ
JC (T )
占空比D = T1 / T2
20
30
50
100
200 300
500
1000
1.0
2.0 3.0 5.0
10
吨,时间或脉冲宽度(毫秒)
图5.热响应
2
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
BD237
包装尺寸
–B–
U
Q
F
M
C
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
M
Q
R
S
U
V
英寸
最大
0.425
0.435
0.295
0.305
0.095
0.105
0.020
0.026
0.115
0.130
0.094 BSC
0.050
0.095
0.015
0.025
0.575
0.655
5
_
典型值
0.148
0.158
0.045
0.055
0.025
0.035
0.145
0.155
0.040
–––
MILLIMETERS
最大
10.80
11.04
7.50
7.74
2.42
2.66
0.51
0.66
2.93
3.30
2.39 BSC
1.27
2.41
0.39
0.63
14.61
16.63
5
_
典型值
3.76
4.01
1.15
1.39
0.64
0.88
3.69
3.93
1.02
–––
–A–
1 2 3
H
K
V
G
S
D
2 PL
0.25 (0.010)
M
J
R
0.25 (0.010)
A
M
A
M
M
B
M
B
M
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.收集
3. BASE
CASE 77-08
TO- 225AA型
ISSUE V
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
3
BD237
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉双极功率晶体管器件数据
*BD237/D*
BD237/D
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    BD237
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
BD237
STMicroelectronics
2423+
12920
SOT-32-3
代理STMicroelectronics专营,原装现货优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
BD237
CJ/长电
1926+
28562
TO-126
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
BD237
CJ(长电/长晶)
25+
15568
TO-126
全系列封装原装正品★晶体管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1454677900 复制 点击这里给我发消息 QQ:1909637520 复制
电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
地址:深圳市福田区华强北街道华红社区红荔路3002号交行大厦一单元711
BD237
ST/意法
2024+
9675
SOT-32
优势现货,全新原装进口
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
BD237
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2675049463 复制

电话:13681678667
联系人:吴
地址:上海市宝山区大场镇锦秋路699弄锦秋花园
BD237
ON
23+
33500
TO-126
只做进口原装,假一赔十;欢迎致电:杨先生15001712988
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:12979146271572952678 复制 点击这里给我发消息 QQ:1693854995 复制

电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
BD237
ONS
21+
8125
正品
现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885658492 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885637848 复制
电话:0755-84502810
联系人:甘先生
地址:深圳市龙岗区布澜路76号东久创新科技园7栋A1306室/香港九龙观塘成业街19-21号成业工业大厦8/F14室
BD237
ST/意法
24+
4600
SOT-32
原装现货假一罚十!可含税长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
BD237
ST
2025+
26820
TO-225AA
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:960030175 复制

电话:13480301972
联系人:陈先生
地址:福田区中航路华强北街道国利大厦2030
BD237
CJ/长电
24+
898000
TO-126
圣邦微代理/捷捷微代理/晶导微代理
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