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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
适合于表面安装。运用
“沟”技术，该装置
具有非常低的导通电阻
并拥有完整的齐纳二极管捐赠
ESD保护高达2kV的。这是
旨在用于汽车和
一般
用途
开关
应用程序。
BUK7830-30
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏极电流（直流）笔
sp
= 25 C
漏极电流（直流）笔
AMB
= 25 C
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
30
12.8
5.9
8.3
150
30
单位
V
A
A
W
C
m
钉扎 - SOT223
针
1
2
3
4
门
漏
来源
漏极（选项卡）
描述
引脚配置
4
符号
d
g
s
1
2
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
sp
= 25 C
T
AMB
= 25 C
T
sp
= 100 C
T
AMB
= 100 C
T
sp
= 25 C
T
AMB
= 25 C
T
sp
= 25 C
T
AMB
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
30
30
16
12.8
5.9
9
4.1
51.2
23.6
8.3
1.8
150
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
A
W
W
C
热阻
符号
R
日J- SP
R
日J- AMB
参数
热阻结到
焊锡点
热阻结到
环境
条件
安装在任何PCB
安装在印刷电路板图19
典型值。
12
-
马克斯。
15
70
单位
K / W
K / W
1997年12月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压，所有引脚
条件
人体模型
（ 100 pF的， 1.5千欧）
分钟。
-
BUK7830-30
马克斯。
2
单位
kV
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
±V
（ BR ） GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 150C
T
j
= -55C
V
DS
= 30 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±10
V; V
DS
= 0 V
T
j
= 150C
T
j
= 150C
T
j
= 150C
分钟。
30
27
2.0
1.0
-
-
-
-
-
16
-
-
典型值。
-
-
3.0
-
-
0.05
-
0.02
-
-
24
-
马克斯。
-
-
4.0
-
4.4
10
500
1
20
-
30
51
单位
V
V
V
V
A
A
A
A
V
m
m
栅极 - 源极击穿电压I
G
=
±1
毫安;
漏极 - 源极导通状态
V
GS
= 10 V ;我
D
= 3.2 A
阻力
动态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
g
fs
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
s
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
DS
= 25 V ;我
D
= 5.9 A
I
D
= 5.9 A; V
DD
= 24 V; V
GS
= 10 V
分钟。
5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
10
22.5
4.5
9
740
270
130
16
30
35
25
3.5
4.5
7.5
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
22
60
50
38
-
-
-
单位
S
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
V
DD
= 15 V ;我
D
= 5.9 A;
V
GS
= 10 V ;
G
= 5
阻性负载
从螺丝接触测量
标签，模具中心
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从源测量导致6毫米
从包装到源焊盘
1997年12月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 3.2 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5.9 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 5.9 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 25 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.75
0.85
115
0.3
BUK7830-30
马克斯。
6.2
24.8
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
ns
C
雪崩限值
符号
W
DSS
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 5.9 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
T
sp
= 25 C
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
60
单位
mJ
1997年12月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7830-30
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1E+02
第i个J- AMB / （K / W）
BUKX83
D=
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
D
t
p
D=
t
p
T
1E+01
1E+00
1E-01
0
T
t
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
1E-02
1E-07
1E-05
1E-03
T / S
1E-01
1E+01
1E+03
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
ID％
归一化电流降额
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
ID / A
12
10
8
50
40
30
6
20
10
0
5.5
5
4.5
4
0
2
4
VDS / V
6
8
10
VGS / V =
6.5
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
60
BUK7830-30
0
20
40
60
80
TMB / C
100
120
140
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100
I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
10 V
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
6
6.5
100
ID / A
DS
/ ID
7830-30
6
5
7830-30
8
10
RD
S(
)
ON
=V
TP = 10我们
100美
4
3
2
1
10
12
VGS / V =
1
DC
1毫秒
10毫秒
0.1
100毫秒
0.01
0.1
1
10
VDS / V
100
1000
0
0
10
20
30
ID / A
40
50
60
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
1997年12月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7830-30
60
50
40
30
ID / A
7830-30
TJ / C = 25
5
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
4
150
3
典型值。
分钟。
2
20
10
0
1
0
2
4
VGS / V
6
8
10
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
GFS / S
7830-30
图10 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
15
1E-01
1E-02
10
TJ / C = 25
150
1E-03
2%
典型值
98%
5
1E-04
1E-05
0
0
10
20
30
ID / A
40
50
60
1E-06
0
1
2
3
4
5
图8 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
图11 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
C / pF的
7528-30
2
SOT223 30V海沟
归一化的RDS（ON ） = F （TJ）
10000
1.5
西塞
1
1000
0.5
科斯
CRSS
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
100
0.1
1
VDS / V
10
100
图9 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 3.2 A; V
GS
= 10 V
图12 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
1997年12月
5
启1.100
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