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INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
描述
ΔDC
电流增益-h
FE
= 750 （最小值） @我
C
= -
1.5A
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= -60V （最小值） - BDT60F ; -80V （最小值） - BDT60AF
-100V （最小值） - BDT60BF ; -120V （最小值） - BDT60CF
.Complement
到类型BDT61F / 61AF / 61BF / 61CF
应用
·设计
在音频放大器输出级使用，一般
目的放大器和高速开关应用
绝对最大额定值（T
a
=25
℃
)
符号
参数
BDT60F
集电极 - 基
电压
BDT60AF
BDT60BF
BDT60CF
BDT60F
集电极 - 发射极
电压
BDT60AF
BDT60BF
BDT60CF
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
B
BDT60F/AF/BF/CF
价值
-60
-80
单位
V
CBO
V
-100
-120
-60
-80
V
-100
-120
-5
-4
-6
-0.1
25
150
-65~150
V
A
A
A
W
℃
℃
V
首席执行官
发射极 - 基极电压
集电极电流连续
集电极电流脉冲
基极电流
集电极耗散功率
T
C
=25℃
结温
存储Ttemperature范围
P
C
T
j
T
英镑
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻，结到外壳
最大
5
单位
℃/W
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅PNP达林顿功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
BDT60F
BDT60AF
I
C
= -30mA ;我
B
= 0
BDT60BF
BDT60CF
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE-1
h
FE-2
h
FE-3
V
ECF-1
V
ECF-2
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
直流电流增益
C- ê二极管正向电压
C- ê二极管正向电压
I
C
= -1.5A ;我
B
= -6mA
B
BDT60F/AF/BF/CF
条件
民
-60
-80
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极
维持电压
V
-100
-120
-2.5
-2.5
-0.2
-1
-0.2
-5
2000
750
250
2
2.1
V
V
V
V
mA
mA
mA
I
C
= -1.5A ; V
CE
= -3V
V
CB
= -30V ;我
E
= 0
V
CB
=
1
/
2
V
CBO
; I
E
= 0; T
J
=150℃
V
CE
=
1
/
2
V
首席执行官
; I
B
= 0
V
EB
= -5V ;我
C
= 0
I
C
= -0.5A ; V
CE
= -3V
I
C
= -1.5A ; V
CE
= -3V
I
C
= -4A ; V
CE
= -3V
I
F
= 1.5A
I
F
= 4A
开关时间
t
on
t
关闭
开启时间
I
C
= -1.5A ;我
B1
= -I
B2
= -6mA
打开-O FF时间
1.5
5.0
μs
0.3
1.5
μs
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