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BUK7720-55A
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
M3D308
牧师02 - 2004年6月7日
产品数据
1.描述
N沟道增强型网络场效电源在一个塑料包装使用的晶体管
的TrenchMOS
1
技术，具有极低的导通电阻。
产品可用性：
BUK7720-55A在SOT186A （TO- 220F ） 。
2.特点
s
s
s
s
的TrenchMOS 技术
Q101标准
150
°C
评级
标准电平兼容。
3.应用
s
汽车和通用电源开关：
x
12 V及24 V负载
x
电机，灯具和螺线管。
4.管脚信息
表1：
针
1
2
3
mb
穿针 - SOT186A ，简化的外形和符号
描述
栅极（G ）
mb
简化的轮廓
符号
漏极（四）
源极（S ）
安装底座;
隔离
g
mbb076
d
s
1 2 3
MBK110
SOT186A （TO- 220F ）
1.
的TrenchMOS是皇家飞利浦电子股份有限公司的商标。
飞利浦半导体
BUK7720-55A
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
5.快速参考数据
表2：
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DSON
快速参考数据
条件
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V
T
mb
= 25
°C
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
15
-
20
37
m
m
典型值
-
-
-
-
最大
55
29
32
150
单位
V
A
W
°C
漏极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏源导通电阻
符号参数
6.极限值
表3 ：限制值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号参数
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
漏极 - 源极电压（直流）
漏极 - 栅极电压（直流）
栅极 - 源极电压（直流）
漏电流（ DC ）
T
mb
= 25
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
和
3
T
mb
= 100
°C;
V
GS
= 10 V;
图2
I
DM
P
合计
T
英镑
T
j
I
DR
I
DRM
峰值漏极电流
总功耗
储存温度
工作结温
反向漏电流（DC）的
峰值反向漏电流
T
mb
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s
非钳位感性负载;我
D
= 29 A;
V
DS
≤
55 V; V
GS
= 10 V ;
GS
= 50
;
起始物为
j
= 25
°C
T
mb
= 25
°C;
脉冲;吨
p
≤
10
s;
科幻gure 3
T
mb
= 25
°C;
图1
[1]
条件
R
GS
= 20 k
民
-
-
-
-
-
最大
55
55
±20
29
20
117
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
A
A
mJ
-
55
55
-
-
-
32
+150
+150
29
117
260
源极 - 漏极二极管
雪崩耐用性
E
DS （ AL ）S
非重复性的漏极 - 源极
雪崩能量
[1]
I
DM
受芯片限制，不能打包。
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飞利浦半导体
BUK7720-55A
N沟道的TrenchMOS 标准水平FET
120
PDER
(%)
100
03ne36
120
伊德尔
(%)
03ne37
100
80
80
60
60
40
40
20
20
0
0
25
50
75
100
125
150 175
TMB （℃ ）
0
0
25
50
75
100
125
150 175
o
TMB （ C）
P
合计
P
DER
=
----------------------
×
100%
P
°
合计
(
25 C
)
V
GS
≥
10 V
I
D
I
DER
=
------------------
×
100%
-
I
°
D
(
25 C
)
看图1，归一化的总功耗为
功能安装基座的温度。
103
ID
(A)
图2.归连续漏极电流为
功能安装基座的温度。
03ne08
102
导通电阻= VDS / ID
TP = 10我们
100美
10
1毫秒
P
δ
=
tp
T
特区
10毫秒
100毫秒
1
tp
t
T
10-1
1
10
VDS （ V）
102
T
mb
= 25
°C;
I
DM
是单一脉冲。
图3.安全工作区;连续和峰值漏电流与漏 - 源极电压的函数。
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7.热特性
表4：
R
日（ J- MB ）
R
号（j -a）的
热特性
条件
图4
最小典型最大单位
-
-
-
55
3.9
-
K / W
K / W
热阻结到
安装底座
符号参数
从结点到环境的热阻垂直于静止空气中
7.1瞬态热阻抗
10
第Z （ J- MB ）
（K / W）
1
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
03ne09
10-1
0.02
P
δ
=
tp
T
10-2
单发
tp
t
T
10-3
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
TP （多个）
10
图4.瞬态从结的热阻抗，以安装基座的脉冲持续时间的函数。
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8.特点
表5 ：性质
T
j
= 25
°
C除非另有规定编
符号
V
（ BR ） DSS
参数
漏源击穿
电压
条件
I
D
= 0.25毫安; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
=
55 °C
V
GS （ TH）
栅源阈值电压I
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
;
图9
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
T
j
=
55 °C
I
DSS
漏极 - 源极漏电流
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
I
GSS
R
DSON
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A;
图7
和
8
T
j
= 25
°C
T
j
= 150
°C
动态特性
Q
G（ TOT ）
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
d
L
s
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒）电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
从漏极引线6毫米
包芯中心
从源代码引线6毫米
包源焊盘
I
S
= 15 A; V
GS
= 0 V;
图15
I
S
= 20 A;的dI
S
/ DT =
100
A / μs的
V
GS
=
10
V; V
DS
= 30 V
V
DD
= 30 V ;
L
= 1.2
;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V;
F = 1兆赫;
图12
V
GS
= 10 V; V
DD
= 44 V;
I
D
= 25 A;
图14
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
29
6
14
1200
290
180
15
74
70
40
4.5
7.5
-
-
-
1590
360
240
-
-
-
-
-
-
nC
nC
nC
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
-
-
15
-
20
37
m
m
-
-
-
0.05
-
2
10
500
100
A
A
nA
2
1.2
-
3
-
-
4
-
4.4
V
V
V
55
50
-
-
-
-
V
V
民
典型值
最大
单位
静态特性
源极 - 漏极二极管
V
SD
t
rr
Q
r
源极 - 漏极（二极管的正向）
电压
反向恢复时间
恢复电荷
-
-
-
0.85
45
110
1.2
-
-
V
ns
nC
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