【NPN硅晶体管RFqBFQ 74在GHz范围内的低噪声放大器，和宽带模拟和数字应用在电信系统的集热器】,IC型号BFQ74,BFQ74 PDF资料,BFQ74经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NPN硅晶体管RF

q

BFQ 74

在GHz范围内的低噪声放大器，

和宽带模拟和数字应用

在电信系统的集热器

电流从1 mA到25 mA的电流。

密封陶瓷封装。

HiRel它/英里筛选可用。

q

q

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理注意事项！

TYPE

BFQ 74

记号

74

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-F788

引脚配置

1

2

3

4

B

E

C

E

包

1)

CEREC -X

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压，

V

BE

= 0

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

峰值集电极电流，

f

≥

10兆赫

基极电流

总功耗，

T

S

≤

115 C

3)

结温

环境温度范围

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

3)

R

日JA

R

日JS

≤

≤

符号

V

CE0

V

CES

V

CB0

V

EB0

I

C

I

CM

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

值

16

25

25

2

35

45

5

300

175

– 65 … + 175

– 65 … + 175

单位

V

mA

mW

C

280

200

K / W

如需详细尺寸见包装纲要。

包安装在氧化铝15毫米

×

16.7 mm

×

0.7 mm.

3)

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

1)

2)

BFQ 74

BFQ 74

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 25 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 15 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 2 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 10 V

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 30毫安，

I

B

= 3毫安

基射极电压

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V

V

(BR)CE0

I

CES

I

CB0

I

EB0

h

FE

50

50

V

CESAT

V

BE

–

–

110

120

0.13

0.78

250

–

0.3

–

V

16

–

–

–

–

–

–

–

–

100

50

10

V

A

值

典型值。

马克斯。

单位

nA

A

–

BFQ 74

BFQ 74

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 200兆赫

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 200兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

I

C

=

i

c

= 0,

f

= 1兆赫

输出电容

V

CE

= 10 V,

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 10兆赫，

Z

S

= 75

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 800 MHz时，

Z

S

= 50

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 2 GHz时，

Z

S

=

Z

SOPT

功率增益

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 2 GHz时，

Z

0

= 50

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 4 GHz的，

Z

0

= 50

传感器增益

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 2 GHz时，

Z

0

= 50

线性输出电压

双音互调测试

I

C

= 25毫安，

V

CE

= 10 V,

d

IM

= 60分贝，

f

1

= 806兆赫，

f

2

= 810兆赫，

Z

S

=

Z

L

= 50

三阶截点

I

C

= 25毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 800兆赫

f

T

–

–

C

cb

C

ce

C

IBO

C

OBS

F

–

–

–

G

ma

1

)

G

ms

2

)

I

S

21e

I

2

–

–

–

0.9

1.4

2.5

14

9.8

9.8

160

–

–

2.9

–

–

–

–

mV

–

–

–

–

4.4

6

0.3

0.4

1.35

0.7

–

–

0.4

–

–

–

dB

pF

GHz的

值

典型值。

马克斯。

单位

V

o1

=

V

o2

–

IP

3

–

27

–

DBM

1)

S

21e

S

12e

S

21e

S

12e

(k –

√

k

2

– 1)

2)

BFQ 74

BFQ 74

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包安装在氧化铝

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

f

= 200兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

=

f

(V

CB

)

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

BFQ 74

BFQ 74

共发射噪声参数

f

GHz的

F

民

dB

G

p

(F

民

)

dB

MAG

Γ

选择

昂

R

N

N

–

F

50

dB

G

p

(F

50

)

dB

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 10 V,

Z

0

= 50

0.01

0.7

–

(Z

S

= 150

)

–

–

1.2

–

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

Z

0

= 50

0.01

0.8

2.0

1.05

1.3

2.5

–

17.5

11.5

(Z

S

= 75

)

0.22

82

0.20

137

–

11.5

23.5

–

0.20

0.60

1.2

1.4

2.7

–

16.8

10

噪声系数

F

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V,

f

= 10 MHz的

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人：肖先生

地址：福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司）

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联系人：刘先生

地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室

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