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飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
概述
N沟道增强模式
标准级场效应功率
晶体管在一个塑料外壳
可在TO220AB和SOT404 。
使用“地沟”技术，
特点
很
低
导通状态
性。其目的是为在使用中
汽车和通用
开关应用。
BUK7514-55A
BUK7614-55A
快速参考数据
符号
V
DS
I
D
P
合计
T
j
R
DS （ ON）
参数
漏源电压
漏电流（ DC ）
总功耗
结温
漏极 - 源极导通状态
阻力
V
GS
= 10 V
马克斯。
55
73
149
175
14
单位
V
A
W
C
m
钉扎
TO220AB & SOT404
针
1
2
3
描述
门
漏
2
引脚配置
mb
TAB
符号
d
g
3
SOT404
1 2 3
来源
1
标签/ MB漏
TO220AB
s
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号
V
DS
V
DGR
±V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
合计
T
英镑
, T
j
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ DC ）
漏极电流（脉冲峰值）
总功耗
存储&工作温度
条件
-
R
GS
= 20 k
-
T
mb
= 25 C
T
mb
= 100 C
T
mb
= 25 C
T
mb
= 25 C
-
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
- 55
马克斯。
55
55
20
73
52
266
166
175
单位
V
V
V
A
A
A
W
C
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
ambient(TO220AB)
热阻结到
ambient(SOT404)
条件
-
在自由空气
最小的足迹， FR4
板
典型值。
-
60
50
马克斯。
0.9
-
-
单位
K / W
K / W
K / W
2000年7月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
静态特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TO ）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿
电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门源漏电流
漏极 - 源极导通状态
阻力
条件
V
GS
= 0 V ;我
D
= 0.25毫安;
T
j
= -55C
V
DS
= V
GS
; I
D
= 1毫安
T
j
= 175C
T
j
= -55C
V
DS
= 55 V; V
GS
= 0 V;
V
GS
=
±20
V; V
DS
= 0 V
V
GS
= 10 V ;我
D
= 25 A
T
j
= 175C
T
j
= 175C
分钟。
55
50
2
1
-
-
-
-
-
-
BUK7514-55A
BUK7614-55A
典型值。
-
-
3
-
-
0.05
-
2
12
-
马克斯。
-
-
4
-
4.4
10
500
100
14
28
单位
V
V
V
V
V
A
A
nA
m
m
动态特性
T
mb
= 25 ° C除非另有说明
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
L
d
L
d
L
d
L
s
参数
输入电容
输出电容
反馈电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
内部排水电感
内部排水电感
内部排水电感
内部源极电感
条件
V
GS
= 0 V; V
DS
= 25 V ; F = 1 MHz的
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1848
421
231
17
79
57
51
4.5
3.5
2.5
7.5
马克斯。
2464
506
317
26
119
80
71
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nH
nH
nH
nH
V
DD
= 30 V ;
负载
=1.2;
V
GS
= 5 V ;
G
= 10
从漏极引线6毫米测
从包装到模具中心
从螺丝接触测量
标签，模具中心（ TO220AB ）
从排的上边缘测量
标签，模具中心（ SOT404 ）
从测得的源导致
源焊盘
反向二极管极限值和特性
T
j
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
参数
连续反向漏
当前
脉冲反向漏电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
条件
分钟。
-
I
F
= 25 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 73 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 73 A; -dI
F
/ DT = 100 A / μs的;
V
GS
= -10 V; V
R
= 30 V
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.85
1.1
54
0.12
马克斯。
73
266
1.2
-
-
-
单位
A
A
V
V
ns
C
2000年7月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
雪崩限值
符号
W
DSS1
参数
漏源不重复
非钳位电感关断
能源
条件
I
D
= 50 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V ;
GS
= 50
;
T
mb
= 25 C
分钟。
-
BUK7514-55A
BUK7614-55A
典型值。
-
马克斯。
125
单位
mJ
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
归一化功率降额
1000
ID / A
RDS （ ON）= VSD / ID
100
TP-
1us
10us
100us
DC
10
1ms
10ms
100ms
1
1
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
160
180
10
VSD / V
100
图1 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100P
D
/P
D 25 C
= F （T
mb
)
如图3所示。安全工作区。牛逼
mb
= 25 C
I
D
＆放大器;我
DM
= F（V
DS
); I
DM
单脉冲;参数t
p
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
ID％
归一化电流降额
1
第Z / （K / W）
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
0
0
20
40
60
80
100
TMB / C
120
140
160
180
0.001
1E-07
1E-05
T / S
1E-03
1E-01
1E+01
图2 。正常化的连续漏极电流。
ID％ = 100I
D
/I
D 25 C
= F （T
mb
） ;条件： V
GS
≥
5 V
图4 。瞬态热阻抗。
Z
日J- MB
= F（T） ;参数D = T
p
/T
1
对于最大允许重复雪崩电流见图18 。
2000年7月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7514-55A
BUK7614-55A
200
180
ID / A
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
20.0
15.0
VGS / V =
100
10.0
9.5
9.0
8.5
8.0
7.5
7.0
6.5
6.0
5.5
5.0
4.5
ID / A 90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
2
4
VGS / V
6
8
10
TJ / C = 175℃
25 C
o
o
2
4
VDS / V
6
8
10
图5 。典型的输出特性，T
j
= 25 C.
I
D
= F（V
DS
） ;参数V
GS
RDS （ ON） /毫欧
图8 。典型的传输特性。
I
D
= F（V
GS
） ;条件： V
DS
= 25 V ;参数T
j
30
28
26
24
22
20
30
5.5
6.0
GFS / S
25
20
15
6.5
18
16
14
12
10
5
10
15
20
25
30
ID / A
35
40
45
50
7.0
7.5
8.0
10.0
10
5
0
0
20
40
ID / A
60
80
100
图6 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（我
D
） ;参数V
GS
RDS （ ON）欧姆
图9 。典型的跨导，T
j
= 25 C.
g
fs
= F（我
D
） ;条件： V
DS
= 25 V
a
2
17
15
30V的TrenchMOS
1.5
13
11
9
1
0.5
7
5
6
8
10
12
14
VGS / V
16
18
20
0
-100
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
图7 。典型通态电阻，T
j
= 25 C.
R
DS （ ON）
= F（V
GS
） ;条件：我
D
= 25 A;
图10 。正常化漏极 - 源极导通电阻。
一 - R的
DS （ ON）
/R
DS （ ON） 25 C
= F （T
j
); I
D
= 25 A; V
GS
= 5 V
2000年7月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
的TrenchMOS 晶体管
标准水平FET
BUK7514-55A
BUK7614-55A
5
VGS （ TO ） / V
马克斯。
BUK759-60
10
VGS / V
9
8
VDS = 14V
VDS = 44V
4
典型值。
3
分钟。
2
7
6
5
4
3
1
2
1
0
-100
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
200
0
10
20
QG / NC
30
40
50
图11 。栅极阈值电压。
V
GS （ TO ）
= F （T
j
） ;条件：我
D
= 1毫安; V
DS
= V
GS
亚阈值传导
图14 。典型导通栅极电荷特性。
V
GS
= F （Q
G
） ;条件：我
D
= 50 A;参数V
DS
1E-01
[图片]
图15 。典型的反向二极管电流。
I
F
= F（V
SDS
） ;条件： V
GS
= 0 V ;参数T
j
1E-02
2%
典型值
98%
WDSS ％
1E-03
120
110
100
90
80
70
60
50
1E-04
1E-05
1E-06
0
1
2
3
4
5
40
30
20
10
0
20
40
60
80
100
120
TMB / C
140
160
180
图12 。亚阈值漏电流。
I
D
= F（V
GS ）
;条件：T已
j
= 25 ℃; V
DS
= V
GS
电容/ NF
4
3
3
2
西塞
图16 。正常化雪崩能量等级。
W
DSS
（％）= F（T
mb
） ;条件：我
D
= 75 A
2
1
1
0
0.01
科斯
CRSS
0.1
1
VDS / V
10
100
图13 。典型的电容，C
国际空间站
, C
OSS
, C
RSS
.
C = F（V
DS
） ;条件： V
GS
= 0 V ; F = 1 MHz的
2000年7月
5
启1.000
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