UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
BC846-BC850
开关和放大器
应用
特点
*适用于自动插入厚薄膜电路。
*补到BC856 BC860 ...
NPN硅晶体管
订购信息
订购数量
无铅
无卤
BC846L-x-AE3-R
BC846G-x-AE3-R
BC847L-x-AE3-R
BC847G-x-AE3-R
BC848L-x-AE3-R
BC848G-x-AE3-R
BC849L-x-AE3-R
BC849G-x-AE3-R
BC850L-x-AE3-R
BC850G-x-AE3-R
BC846L-x-AL3-R
BC846G-x-AL3-R
BC847L-x-AL3-R
BC847G-x-AL3-R
BC848L-x-AL3-R
BC848G-x-AL3-R
BC849L-x-AL3-R
BC849G-x-AL3-R
BC850L-x-AL3-R
BC850G-x-AL3-R
BC846L-x-AN3-R
BC846G-x-AN3-R
BC847L-x-AN3-R
BC847G-x-AN3-R
BC848L-x-AN3-R
BC848G-x-AN3-R
BC849L-x-AN3-R
BC849G-x-AN3-R
BC850L-x-AN3-R
BC850G-x-AN3-R
包
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-23
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-323
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
SOT-523
引脚分配
1
2
3
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
带盘
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2011 Unisonic技术有限公司
1 5
QW-R206-027,G
BC846-BC850
记号
BC846
BC847
BC848
NPN硅晶体管
BC849
BC850
X:
□:
排名代码，请参阅h的分类
FE
L：无铅， G：无卤
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2 5
QW-R206-027,G
BC846-BC850
NPN硅晶体管
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
符号
价值
单位
BC846
80
V
集电极 - 基极电压
BC847 / BC850
V
CBO
50
V
BC848 / BC849
30
V
BC846
65
V
集电极 - 发射极电压
BC847 / BC850
V
首席执行官
45
V
BC848 / BC849
30
V
BC846 / BC847
6
V
发射极 - 基极电压
V
EBO
BC848 / BC849 / BC850
5
V
集电极电流（ DC ）
I
C
100
mA
SOT-23
310
mW
集电极耗散
SOT-323
P
D
200
mW
SOT-523
150
mW
结温
T
J
+150
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
输出电容
输入电容
BC846/BC847/BC848
BC849/BC850
噪声系数
BC849
BC850
符号
测试条件
I
CBO
V
CB
= 30V ，我
E
=0
h
FE
V
CE
= 5.0V ，我
C
=2.0mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
V
CE （ SAT ）
I
C
=100mA,I
B
=5.0mA
I
C
= 10毫安，我
B
=0.5mA
V
BE （ SAT ）
I
C
=100mA,I
B
=5.0mA
V
CE
= 5.0V ，我
C
=2.0mA
V
BE（上）
V
CE
= 5.0V ，我
C
=10mA
f
T
V
CE
= 5.0V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
C
OB
V
CB
= 10V ，我
E
= 0 ， F = 1.0MHz的
C
IB
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0 ， F = 1.0MHz的
V
CE
= 5V ，我
C
=200μA,
F = 1kHz时，R
G
=2K
NF
V
CE
= 5V ，我
C
=200μA,
R
G
= 2KΩ ， F = 30 15000Hz
民
110
90
200
700
900
660
300
3.5
9
2
1.2
1.4
1.4
典型值
最大单位
15
nA
800
250
mV
600
mV
mV
mV
700
mV
720
mV
兆赫
6
pF
pF
10
dB
4
dB
4
dB
3
dB
580
分类h及
FE
秩
范围
A
110-220
B
200-450
C
420-800
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3 5
QW-R206-027,G
BC846-BC850
典型特征
NPN硅晶体管
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
10000
I
C
=10I
B
1000
V
BE （ SAT ）
直流电流增益，H
FE
基射极电压上
100
V
CE
=2V
10
100
V
CE （ SAT ）
1
10
1
10
100
1000
0.1
0.1 0.2 0.4
0.6
0.8 1.0
1.2
集电极电流，I
C
（MA ）
基射极电压，V
BE
(V)
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电流增益带宽
产品中，f
T
（兆赫）
电容C
ob
（PF ）
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QW-R206-027,G
BC846-BC850
NPN硅晶体管
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其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
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可靠，可恕不另行通知。
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