飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DSS
V
IS
I
D
I
D
I
DRM
P
D
T
英镑
T
j
T
出售
参数
连续断态漏源
电压
1
连续输入电压
连续漏电流
连续漏电流
重复峰值通态漏电流
总功耗
储存温度
连续结温
2
焊接温度
条件
V
IS
= 0 V
-
T
mb
≤
25 ℃; V
IS
= 10 V
T
mb
≤
100℃ ; V
IS
= 10 V
T
mb
≤
25 ℃; V
IS
= 10 V
T
mb
≤
25 C
-
正常工作
焊接过程中
分钟。
-
0
-
-
-
-
-55
-
-
BUK110-50GS
马克斯。
50
11
50
31
200
125
150
150
250
单位
V
V
A
A
A
W
C
C
C
过载保护极限值
通过输入引脚提供的保障供应， TOPFET可以保护自己免受两种类型的过载。
符号
V
ISP
V
DDP （ T）
V
DDP （ P）
P
帝斯曼
参数
保护电源电压
3
过温保护
受保护的漏源电压V
IS
= 10 V
负载短路保护
受保护的漏源电压
4
V
IS
= 10 V
V
IS
= 5 V
瞬时过载耗散
T
mb
= 25 C
-
-
-
-
50
16
24
2.1
V
V
V
kW
条件
为有效保护
分钟。
5
马克斯。
-
单位
V
过压钳位极限值
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
I
DROM
E
帝斯曼
E
DRM
参数
重复峰值钳位电流
非重复性钳位能源
重复夹紧能源
条件
V
IS
= 0 V
T
mb
≤
25 ℃;我
DM
= 25 A;
V
DD
≤
25 V ;感性负载
T
mb
≤
85℃ ;我
DM
= 16 A;
V
DD
≤
20V; F = 250赫兹
分钟。
-
-
-
马克斯。
50
1
80
单位
A
J
mJ
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
输入电压的量，过载保护电路的功能。
4
该装置能够自我保护以避免短路负载提供所述漏极 - 源极电压不超过V
DDP （ P）
最大。
欲了解更多信息，请参阅过载保护特性。
1996年6月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET
热特性
符号
参数
热阻
R
日J- MB
R
日J-一
结到安装基座
结到环境
-
最小的足迹FR4 PCB
-
-
条件
分钟。
BUK110-50GS
典型值。
马克斯。
单位
0.8
50
1.0
-
K / W
K / W
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（ CL ） DSS
V
（ CL ） DSS
I
DSS
I
DSS
I
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源电压钳位
漏源电压钳位
条件
V
IS
= 0 V ;我
D
= 10毫安
分钟。
50
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.5
1
10
22
30
马克斯。
-
70
10
20
100
28
35
单位
V
V
A
A
A
m
m
V
IS
= 0 V ;我
DM
= 4 A;吨
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
零输入电压漏电流V
DS
= 12 V; V
IS
= 0 V
零输入电压漏电流V
DS
= 50 V; V
IS
= 0 V
零输入电压漏电流V
DS
= 40 V; V
IS
= 0 V ;牛逼
j
= 125 C
漏极 - 源极导通状态
阻力
I
DM
= 25 A;
t
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
IS
= 10 V
V
IS
= 5 V
过载保护特性
TOPFET关闭，当达到过载阈值之一。它一直锁关闭，直到复位输入。
符号
E
DS （ TO ）
t
SC
T
J（下TO ）
参数
负载短路保护
1
过载阈值能量
响应时间
条件
T
mb
= 25 ℃; L
≤
10
H
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
分钟。
-
-
150
典型值。
1.1
0.8
-
马克斯。
-
-
-
单位
J
ms
C
过温保护
阈值的结温V
IS
= 10 V ;从我
D
≥
2 A
2
输入特性
T
mb
= 25 C除非另有规定。供给的逻辑和过载保护取自输入。
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
ISR
V
ISR
I
ISL
V
（ BR）被
R
IG
参数
输入阈值电压
输入电源电流
保护复位电压
3
保护复位电压
输入电源电流
输入钳位电压
输入串联电阻
条件
V
DS
= 5 V ;我
D
= 1毫安
V
IS
= 10 V ;正常工作
T
j
= 150 C
V
IS
= 10 V ;保护锁
I
I
= 10毫安
功率MOSFET的栅极
分钟。
1.0
-
2.0
1.0
2
11
-
典型值。
1.5
0.4
2.6
-
6
13
1.5
马克斯。
2.0
1.0
3.5
-
20
-
-
mA
V
k
单位
V
mA
V
1
短路负载保护能够节省设备提供的瞬时的导通状态损耗小于该限制值
P
帝斯曼
，它总是在诉
DS
小于V
DSP
最大。请参阅过载保护极限值。
2
过温保护功能要求的最小导通状态下的漏源电压是否工作正常。规定的最小我
D
确保这一条件。
3
输入电压低于该过载保护电路将被复位。
1996年6月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
TOPFET
传输特性
T
mb
= 25 C
符号
g
fs
I
D（ SC ）
参数
正向跨导
漏电流
1
条件
V
DS
= 10 V ;我
DM
= 25为T
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
V
DS
= 13 V; V
IS
= 10 V
分钟。
17
-
BUK110-50GS
典型值。
28
150
马克斯。
-
-
单位
S
A
开关特性
T
mb
= 25 C 。
I
= 50
。请参考波形图和测试电路。
符号
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
条件
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
阻性负载R
L
= 1.1
V
DD
= 13 V; V
IS
= 0 V
阻性负载R
L
= 1.1
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
感性负载我
DM
= 11 A
V
DD
= 13 V; V
IS
= 0 V
感性负载我
DM
= 11 A
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
1.5
5.5
13
9
1.5
1.3
18
1.4
马克斯。
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
s
s
s
s
s
s
s
s
反向二极管极限值
符号
I
S
参数
连续正向电流
条件
T
mb
≤
25 ℃; V
IS
= 0 V
分钟。
-
马克斯。
50
单位
A
反向二极管特性
T
mb
= 25 C
符号
V
SDS
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
S
= 50 A; V
IS
= 0 V ;牛逼
p
= 300
s
不适用
2
分钟。
-
-
典型值。
1.0
-
马克斯。
1.5
-
单位
V
-
包络特性
符号
L
d
L
s
参数
内部排水电感
内部源极电感
条件
从选项卡的上边缘测量
以模具中心
从源极引脚测
焊接点源焊盘
分钟。
-
-
典型值。
2.5
7.5
马克斯。
-
-
单位
nH
nH
1
在之前的过载短路负载保护工作。
2
这种类型的反向二极管不适合用于要求快速反向恢复的应用程序。
1996年6月
4
启1.000
QQ：2880707522 复制
