SMD型
BCX51,BCX52,BCX53
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
Testconditons
V
CB
= -30 V，I
E
= 0
V
CB
= -30 V，I
E
= 0; TJ = 125
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
V
EB
= -5 V，I
C
= 0
I
C
= -5毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -150毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -500毫安; V
CE
= -2 V
直流电流增益BCX51-10 ， BCX52-10 ， BCX53-10
BCX51-16,BCX52-16,BCX53-16
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
h
FE
I
C
= -150毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -150毫安; V
CE
= -2 V
V
CE （ SAT ）
I
C
= -500毫安;我
B
= -50毫安
V
BE
f
T
I
C
= -500毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5V ; F = 100 MHz的
晶体管
民
典型值
最大
-100
-10
-100
单位
nA
ìA
nA
63
63
40
63
100
160
250
-500
-1
50
mV
V
兆赫
250
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BCX51
AA
BCX52
AE
BCX53
AH
BCX51-10
AC
BCX52-10
AG
BCX53-10
AK
BCX51-16
AD
BCX52-16
AM
BCX53-16
AL
2
www.kexin.com.cn
BCX53
PNP塑封装晶体管
P B
铅（Pb ） - 免费
1.基地
2.收集
3.辐射源
1
2
3
SOT-89
最大额定值（
T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
IC
PD
TJ
TSTG
价值
-100
-80
-5.0
-1.0
500
+150
-55到+150
单位
V
V
V
A
mW
C
C
器件总耗散T
A
=25°C
结温范围
存储温度范围
器件标识
BCX53 = AH ， BCX53-10 = AK ， BCX53-16 = AL
开关特性
特征
集电极 - 基极击穿电压，I
C
= -100μA ，我
E
= 0
集电极 - 发射极击穿电压，I
C
= -10mA ，我
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压，I
E
= -10μA ，我
C
= 0
集电极截止-O FF电流，V
CB
= -30V ，我
E
= 0
发射器切割-O FF电流，V
EB
= -5.0V ，我
C
= 0
符号
V（ BR ）
CBO
V（ BR ）
首席执行官
V（ BR ）
EBO
I
CBO
I
EBO
民
-
-
-
-
-
最大
-100
-80
-5.0
-0.1
-0.1
单位
V
V
V
A
A
宽E IT R 0
H T T P上： / / W W瓦特宽E I T ，R 0 。 C 0米。 TW
1/3
12-Oct-06
BCX53
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
V
CE
= -2.0V ，我
C
= -150mA
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
h
FE1
63
63
100
63
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
250
160
250
-
-
-0.5
-1.0
-
V
V
兆赫
-
V
CE
= -2.0V ，我
C
= -5.0mA
V
CE
= -2.0V ，我
C
= -500mA
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= -500mA ，我
B
= -50mA
基射极电压
V
CE
= -2.0V ，我
C
= -500mA
TransitionFrequence
V
CE
= -5V ，我
C
= -10mA ， F = 100MHz的
h
FE2
h
FE3
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
-
50
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
2/3
12-Oct-06
BCX53
SOT- 89外形尺寸
单位：mm
E
G
A
J
C
H
K
L
B
D
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
SOT-89
民
最大
1.600
1.400
0.520
0.320
0.560
0.360
0.440
0.350
4.600
4.400
1.800
1.400
2.600
2.300
4.250
3.940
1.500TYP
3.100
2.900
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
3/3
12-Oct-06
BCX51
BCX52
BCX53
表面贴装
PNP硅晶体管
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
描述：
中央半导体BCX51 ， BCX52 ，
和BCX53类型PNP硅晶体管
通过外延平面工艺，环氧树脂制
在一个表面贴装模压封装，专为高
目前通用放大器应用。
标记验证码：看标识代码表
下页
SOT- 89 CASE
最大额定值：
(TA=25°C)
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
峰值电流基地
功耗
工作和存储结温
热阻
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
PD
TJ ， TSTG
Θ
JA
BCX51
45
45
BCX52
60
60
5.0
1.0
1.5
100
200
1.3
-65到+150
96
BCX53
100
80
单位
V
V
V
A
A
mA
mA
W
°C
° C / W
电气特性：
（ TA = 25° C除非另有说明）
符号
测试条件
民
ICBO
VCB=30V
ICBO
VCB = 30V ， TA = 125°C
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC = 100μA （ BCX51 ）
45
BVCBO
IC = 100μA （ BCX52 ）
60
BVCBO
IC = 100μA （ BCX53 ）
100
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX51 ）
45
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX52 ）
60
BVCEO
IC = 10毫安（ BCX53 ）
80
VCE （ SAT ）
IC = 500毫安， IB = 50毫安
VBE （ON）的
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 5.0毫安
40
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-10 ， BCX52-10 ， BCX53-10 ）
63
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 150毫安
（ BCX51-16 ， BCX52-16 ， BCX53-16 ）
100
的hFE
VCE = 2.0V ， IC = 500毫安
25
fT
VCE = 5.0V ， IC = 10毫安中，f = 100MHz的
典型值
最大
100
10
100
0.5
1.0
250
160
250
50
单位
nA
A
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
兆赫
R5 （ 2009年20月）
BCX51
BCX52
BCX53
表面贴装
PNP硅晶体管
SOT- 89案例 - 机械外形
前导码：
1 ）发射
2 ）集电极
3 ）基
设备
BCX51
BCX51-10
BCX51-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
标识代码
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
（底视图）
R5 （ 2009年20月）
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
BCX51...BCX53
PNP硅晶体管自动对焦
用于AF的驱动级和输出级
高集电极电流
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BCX54 ... BCX56 （NPN）
1
2
3
2
VPS05162
TYPE
BCX51
BCX51-10
BCX51-16
BCX52
BCX52-10
BCX52-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
记号
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
1=B
引脚配置
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
3=E
包
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
SOT89
1
Feb-10-2004
PNP硅晶体管自动对焦
BCX 51 BCX ... 53
特点
q
用于AF的驱动级和输出级
q
高集电极电流
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型： BCX 54 BCX ... 56 （ NPN ）
TYPE
BCX 51
BCX 51-10
BCX 51-16
BCX 52
BCX 52-10
BCX 52-16
BCX 53
BCX 53-10
BCX 53-16
记号
AA
AC
AD
AE
AG
AM
AH
AK
AL
订购代码
（磁带和卷轴）
Q62702-C1847
Q62702-C1831
Q62702-C1857
Q62702-C1743
Q62702-C1744
Q62702-C1900
Q62702-C905
Q62702-C1753
Q62702-C1502
引脚配置
1
2
3
B
C
E
包
1)
SOT-89
1)
有关详细信息，请参阅本章包装纲要。
半导体集团
1
04.96
BCX 51 BCX ... 53
电气特性
at
T
A
= 25℃，除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
BCX 51
BCX 52
BCX 53
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
BCX 51
BCX 52
BCX 53
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 4 V
直流电流增益
1)
I
C
= 5毫安，
V
CE
= 2 V
I
C
= 150毫安，
V
CE
= 2 V
BCX 51 BCX 52 BCX 53
BCX 51-10 ， BCX 52-10 ， BCX 53-10
BCX 51-16 ， BCX 52-16 ， BCX 53-16
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 500毫安，
I
B
= 50毫安
基射极电压
1)
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 2 V
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 20 MHz的
f
T
–
125
–
兆赫
V
(BR)CE0
45
60
80
V
(BR)CB0
45
60
100
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
I
EB0
h
FE
25
40
63
100
25
V
CESAT
V
BE
–
–
–
–
100
160
–
–
–
–
250
160
250
–
0.5
1
V
–
–
–
–
100
20
20
nA
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
1)
脉冲测试：
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特点
大电流（最大1 A）
低电压（最大80 V） 。
应用
中功率一般用途
音频放大器的驱动级。
描述
手册， halfpage
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
钉扎
针
1
2
3
辐射源
集热器
BASE
描述
在SOT89塑料PNP中功率晶体管
封装。 NPN补充： BCX54 ， BCX55和BCX56 。
3
2
记号
TYPE
数
BCX51
BCX51-10
BCX51-16
BCX52
BCX52-10
记号
CODE
AA
AC
AD
AE
AG
TYPE
数
BCX52-16
BCX53
BCX53-10
BCX53-16
记号
CODE
AM
AH
AK
AL
1
底部视图
2
3
MAM297
1
Fig.1简化外形（ SOT89 ）和符号。
1999年4月19日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
BCX51
BCX52
BCX53
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
BCX51
BCX52
BCX53
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
集电极开路
开基
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
分钟。
65
65
马克斯。
45
60
100
45
60
80
5
1
1.5
200
1.3
+150
150
+150
V
V
V
V
V
V
V
A
A
单位
mA
W
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
热特性
符号
R
日J-一
R
第j个-S
记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡，集电极安装焊盘6厘米
2
.
对于其他安装条件，请参阅
“散热考虑SOT89在总则部分相关的手册” 。
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
价值
94
14
单位
K / W
K / W
从结热阻焊接点钞1
1999年4月19日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP中功率晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
条件
I
E
= 0; V
CB
=
30
V
BCX51 ; BCX52 ; BCX53
分钟。
40
63
25
63
100
典型值。马克斯。单位
50
100
10
100
250
160
250
500
1
mV
V
兆赫
nA
A
nA
I
E
= 0; V
CB
=
30
V ;牛逼
j
= 125
°C
I
C
= 0; V
EB
=
5
V
V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
5
mA
I
C
=
150
mA
I
C
=
500
mA
直流电流增益
BCX51-10 ; BCX52-10 ; BCX53-10
BCX51-16 ; BCX52-16 ; BCX53-16
V
CESAT
V
BE
f
T
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
500
毫安; V
CE
=
2
V
I
C
=
150
毫安; V
CE
=
2
V ;见图2
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
5
V ; F = 100 MHz的
手册，全页宽
160
MBH730
的hFE
120
VCE =
2
V
80
40
0
10
1
1
10
10
2
10
3
IC （MA ）
10
4
图2直流电流增益;典型值。
1999年4月19日
4
SMD型
晶体管
IC
产品speci fi cation
电气特性TA = 25
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
V
CB
= -30 V，I
E
= 0
BCX51,BCX52,BCX53
Testconditons
民
典型值
最大
-100
-10
-100
63
63
40
63
100
160
250
-500
-1
50
mV
V
兆赫
250
单位
nA
ìA
nA
V
CB
= -30 V，I
E
= 0; TJ = 125
发射Cuto FF电流
直流电流增益
I
EBO
h
FE
V
EB
= -5 V，I
C
= 0
I
C
= -5毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -150毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -500毫安; V
CE
= -2 V
直流电流增益BCX51-10 ， BCX52-10 ， BCX53-10
BCX51-16,BCX52-16,BCX53-16
集电极 - 发射极饱和电压
基地发射极电压
跃迁频率
h
FE
I
C
= -150毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -150毫安; V
CE
= -2 V
V
CE （ SAT ）
I
C
= -500毫安;我
B
= -50毫安
V
BE
f
T
I
C
= -500毫安; V
CE
= -2 V
I
C
= -10毫安; V
CE
= -5V ; F = 100 MHz的
h
FE
分类
TYPE
记号
TYPE
记号
TYPE
记号
BCX51
AA
BCX52
AE
BCX53
AH
BCX51-10
AC
BCX52-10
AG
BCX53-10
AK
BCX51-16
AD
BCX52-16
AM
BCX53-16
AL
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ，1 A PNP中功率晶体管
启9 - 2011年10月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP中等功率晶体管系列的表面贴装器件（ SMD ）塑料封装。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
BCP53
BCX53
BC53PA
[1]
类型编号
[1]
NPN补
JEITA
SC-73
SC-62
-
JEDEC
-
TO-243
-
BCP56
BCX56
BC56PA
SOT223
SOT89
SOT1061
适用于所有可用的选项组。
1.2特点和优点
HIGH CURRENT
三个电流增益的选择
高功率耗散能力
裸露散热片的优良导热和导电性能（ SOT89 ， SOT1061 ）
无铅非常小的SMD塑料封装中功率能力（ SOT1061 ）
AEC- Q101对外贸易资质网络编辑
1.3应用
线性稳压器
高边开关
电池驱动设备
电源管理
MOSFET驱动器
放大器器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流
峰值集电极电流
单脉冲;吨
p
1毫秒
条件
开基
民
-
-
-
典型值
-
-
-
最大
80
1
2
单位
V
A
A
恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ，1 A PNP中功率晶体管
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗
BCP53
单脉冲;
t
p
1毫秒
T
AMB
25
C
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
单脉冲;
t
p
1毫秒
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
100
80
5
1
2
0.3
0.3
单位
V
V
V
A
A
A
A
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
65
0.65
1.00
1.35
0.50
0.95
1.35
0.42
0.83
1.10
0.81
1.65
150
+150
+150
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
W
C
C
C
BCX53
[1]
[2]
[3]
BC53PA
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
T
j
T
AMB
T
英镑
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
结温
环境温度
储存温度
设备安装在一FR4印刷电路板（PCB） ，单面铜，镀锡和标准
足迹。
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ，单面铜，镀锡，安装垫集热6厘米
2
.
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡和标准的足迹。
设备安装在一FR4 PCB ， 4层铜，镀锡，安装垫集热1厘米
2
.
BCP53_BCX53_BC53PA
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产品数据表
启9 - 2011年10月19日
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恩智浦半导体
BCP53 ; BCX53 ; BC53PA
80 V ，1 A PNP中功率晶体管
1.5
(1)
006aac674
1.5
(1)
006aac675
P
合计
(W)
(2)
P
合计
(W)
1.0
(2)
1.0
(3)
(3)
0.5
0.5
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
（ 1 ） FR4印刷电路板，安装板集热6厘米
2
（ 2 ） FR4印刷电路板，安装板集热1厘米
2
（ 3 ） FR4 PCB，标准的足迹
图1 。
功率降额曲线SOT223
2.0
P
合计
(W)
1.5
(1)
图2 。
功率降额曲线SOT89
006aac676
(2)
1.0
(3)
(4)
0.5
(5)
0.0
–75
–25
25
75
125
175
T
AMB
(°C)
（ 1 ） FR4 PCB ， 4层铜垫安装集热1厘米
2
（ 2 ） FR4 PCB ，单面铜，安装垫集热6厘米
2
（3）的FR4印刷电路板，单面铜，集电极安装焊盘1厘米
2
（ 4 ） FR4 PCB ， 4层铜，标准的足迹
（ 5 ） FR4 PCB ，单面铜，标准的足迹
图3 。
功率降额曲线SOT1061
BCP53_BCX53_BC53PA
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