飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DSS
V
IS
V
FS
V
PS
I
D
I
D
I
DRM
P
合计
T
英镑
T
j
T
出售
参数
电压
连续断态漏源
电压
1
连续输入电压
连续标志电压
连续供电电压
电流
连续漏电流
连续漏电流
重复峰值通态漏电流
热
总功耗
储存温度
结温
2
焊接温度
T
mb
≤
25 C
T
mb
≤
100 C
T
mb
≤
25 C
T
mb
= 25 C
-
连续
焊接过程中
条件
V
IS
= 0 V
-
-
-
V
IS
=
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
分钟。
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-55
-
-
马克斯。
50
11
11
11
7
5
15 13
9.5 8.5
60 54
40
150
150
250
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
C
过载保护极限值
随着保障供应
连接， TOPFET可以保护
自己从两种类型的过载 -
在不同温度和短路
负载。
符号
V
PSP
参数
保护电源电压
3
的n -MOS晶体管导通
输入和源之间
快速放电功率
MOSFET的栅极电容。
条件
V
IS
=
为有效保护
BUK104-50L
BUK104-50S
对于内部的过载保护功能
同时保持控制锁存
电路是高，外部串行输入
必须提供阻力。参考
要输入特性。
分钟。
7
4.4
5.4
-
-
-
-
-
5
4
5
马克斯。
-
-
-
50
50
25
45
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
V
kW
V
DDP （ T）
过温保护
V
PS
= V
PSN
受保护的漏源电压V
IS
= 10 V ;
I
≥
2 k
V
IS
= 5 V ;
I
≥
1 k
负载短路保护
V
PS
= V
PSN
; L
≤
10
H
4
受保护的漏源电压V
IS
= 10 V ;
I
≥
2 k
V
IS
= 5 V ;
I
≥
1 k
瞬时过载耗散
V
DDP （ P）
P
帝斯曼
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所需的过载保护电路的正确操作的最小供电电压。
4
该装置能够自我保护以避免短路负载提供所述漏极 - 源极电压不超过V
DDP （ P）
最大。
欲了解更多信息，请参阅过载保护特性。
1993年1月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
过压钳位极限值
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
I
DRRM
E
帝斯曼
E
DRM
参数
条件
分钟。
-
-
-
马克斯。
15
200
20
单位
A
mJ
mJ
重复峰值钳位漏电流
IS
≥
100
1
非重复性感性关断
I
DM
= 15 A;
IS
≥
100
2
能源
重复感性关断能量
R
IS
≥
100
;
T
mb
≤
95 C;
I
DM
= 4 A; V
DD
≤
20 V;
F = 250赫兹
重复峰值漏极电流输入
3
R
IS
= 0
;
t
p
≤
1毫秒
I
DIRM
-
50
mA
反向二极管极限值
符号
I
S
参数
连续正向电流
条件
T
mb
= 25 C;
V
IS
= V
PS
= V
FS
= 0 V
分钟。
-
马克斯。
15
单位
A
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻
结到安装基座
结到环境
-
在自由空气
-
-
2.5
60
3.1
-
K / W
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（CL）的DSR
V
（CL）的DSR
I
DSS
I
DSR
I
DSR
R
DS （ ON）
参数
漏源电压钳位
漏源电压钳位
条件
R
IS
= 100
;
I
D
= 10毫安
分钟。
50
50
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.5
1
10
75
95
马克斯。
65
70
10
20
100
100
125
单位
V
V
A
A
A
m
m
R
IS
= 100
;
I
DM
= 1 ;牛逼
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
零输入电压漏电流V
DS
= 12 V; V
IS
= 0 V
漏源极漏电流
V
DS
= 50 V ;
IS
= 100
;
漏源极漏电流
V
DS
= 40 V ;
IS
= 100
;
T
j
= 125 C
漏极 - 源极导通状态
阻力
I
DM
= 7.5 A;
t
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
IS
= 7 V
V
IS
= 5 V
1
输入引脚必须连接到源极引脚通过一个指定的外部电阻，以使功率MOSFET的栅极源极电压，以
成为有源钳位充分肯定的。请参阅输入特性。
2
而保护的电源连接，过压过程中的夹紧是可能的过负荷保护可在操作
能量接近极限值。请参阅过载保护特性。
3
短路输入与低阻抗源，以防止功率MOSFET的栅极 - 源极禁止了内部过压保护
电压变得积极。
1993年1月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
过载保护特性
有了足够的保障供应
电压TOPFET检测，当一个
过载阈值是
超标。
符号
参数
负载短路保护
1
E
DS （ TO ）
t
SC
T
J（下TO ）
过载阈值能量
响应时间
只要有足够的投入
串联电阻，它关闭
并保持闭锁直到复位
受保护的电源引脚。
条件
V
PS
= V
PSN2
; T
mb
= 25 ℃; L
≤
10
H;
R
I
≥
2 k
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
另请参阅超载
保护极限值
和输入特性。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
150
150
375
-
-
-
-
mJ
s
C
过温保护
V
PS
= V
PSN
; R
I
≥
2 k
从我阈值的结温
D
≥
0.65 A
3
传输特性
T
mb
= 25 C
符号
g
fs
I
D
参数
正向跨导
漏电流
4
条件
V
DS
= 10 V ;我
DM
= 7.5 A吨
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
V
DS
= 13 V;
V
IS
= 5 V
V
IS
= 10 V
分钟。
5
-
典型值。
9
25
40
马克斯。
-
-
-
单位
S
A
A
保护电源特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
PS
,
I
PSL
参数
保护器供应
保障供电电流
条件
正常运行或
保护锁
BUK104-50L
BUK104-50S
T
j
= 150 C
V
（CL）的聚苯乙烯
保护钳位电压
I
P
= 1.35毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
PSR
保护复位电压
5
V
PS
= 5 V
V
PS
= 10 V
-
-
1.5
1.0
11
0.2
0.4
2.5
-
13
0.35
1.0
3.5
-
-
mA
mA
V
V
V
反向二极管特性
T
mb
= 25 C
符号
V
SDS
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
S
= 15 A; V
IS
= V
PS
= V
FS
= 0 V;
t
p
= 300
s
不适用
6
分钟。
-
-
典型值。
1.0
-
马克斯。
1.5
-
单位
V
-
1
短路负载保护能够节省设备提供的瞬时的导通状态损耗小于该限制值
P
帝斯曼
，它总是在诉
DS
小于V
DSP
最大。
2
在适当的名义保护电源电压为每种类型。请参阅快速参考数据。
3
过温保护功能要求的最小导通状态下的漏源电压是否工作正常。规定的最小我
D
确保这一条件。
4
在过载情况。另请参阅过载保护限制值和特征。
5
在电源电压低于该过载保护电路将被复位。
6
这种类型的反向二极管不适合用于要求快速反向恢复的应用程序。
1993年1月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
输入特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
（CL）的IS
R
ISL
参数
正常工作
输入阈值电压
输入电流
输入钳位电压
过载保护锁存
输入阻抗
1
V
PS
= 5 V
V
PS
= 10 V
应用信息
外部输入电阻为
内部过压钳位
2
内置过载保护
3
I
I
= 5毫安;
T
mb
= 150 C
I
I
= 5毫安;
T
mb
= 150 C
-
-
-
-
V
DS
= 5 V ;我
D
= 1毫安
T
mb
= 150 C
V
IS
= 10 V
I
I
= 1毫安
1.0
0.5
-
11
条件
分钟。
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
典型值。
1.5
-
10
13
55
95
35
60
马克斯。
2.0
-
100
-
-
-
-
-
单位
V
V
nA
V
k
k
R
IS
R
I
（参见图29）
R
I
=
∞ ;
R
IS
=
∞ ;
V
DS
＆ GT ; 30 V
V
II
= 5 V
V
II
= 10 V
100
1
2
-
-
-
-
-
-
开关特性
T
mb
= 25 ℃;
I
= 50
;
R
IS
= 50
（参见图29）;阻性负载R
L
= 10
.
对于波形见图28 。
符号
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 15 V; V
IS
: 10 V
0 V
条件
V
DD
= 15 V; V
IS
: 0 V
10 V
分钟。
-
-
-
-
典型值。
8
13
100
45
马克斯。
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
电容
T
mb
= 25 ℃; F = 1 MHz的
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
PSO
C
FSO
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
保护电源引脚
电容
标志引脚电容
条件
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
PS
= 10 V
V
FS
= 10 V; V
PS
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
415
275
55
30
20
马克斯。
600
400
80
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
pF
1
内部晶体管进行放电功率MOSFET的栅极电容时过载保护动作的阻力。
外部驱动电路应该是这样的，输入电压不超过V
IS （TO）
最低时，过载保护有
操作。另请参阅数字锁存输入特性。
2
使用的R为较低的值的应用
IS
需要外部过压保护。
3
为需要的R为较低的值的应用
I
，外部过载保护策略是可以使用的标志引脚为'告诉'的控制电路
关闭输入。
1993年1月
5
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
DSS
V
IS
V
FS
V
PS
I
D
I
D
I
DRM
P
合计
T
英镑
T
j
T
出售
参数
电压
连续断态漏源
电压
1
连续输入电压
连续标志电压
连续供电电压
电流
连续漏电流
连续漏电流
重复峰值通态漏电流
热
总功耗
储存温度
结温
2
焊接温度
T
mb
≤
25 C
T
mb
≤
100 C
T
mb
≤
25 C
T
mb
= 25 C
-
连续
焊接过程中
条件
V
IS
= 0 V
-
-
-
V
IS
=
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
分钟。
-
0
0
0
-
-
-
-
-
-55
-
-
马克斯。
50
11
11
11
7
5
15 13
9.5 8.5
60 54
40
150
150
250
单位
V
V
V
V
V
A
A
A
W
C
C
C
过载保护极限值
随着保障供应
连接， TOPFET可以保护
自己从两种类型的过载 -
在不同温度和短路
负载。
符号
V
PSP
参数
保护电源电压
3
的n -MOS晶体管导通
输入和源之间
快速放电功率
MOSFET的栅极电容。
条件
V
IS
=
为有效保护
BUK104-50L
BUK104-50S
对于内部的过载保护功能
同时保持控制锁存
电路是高，外部串行输入
必须提供阻力。参考
要输入特性。
分钟。
7
4.4
5.4
-
-
-
-
-
5
4
5
马克斯。
-
-
-
50
50
25
45
0.8
单位
V
V
V
V
V
V
V
kW
V
DDP （ T）
过温保护
V
PS
= V
PSN
受保护的漏源电压V
IS
= 10 V ;
I
≥
2 k
V
IS
= 5 V ;
I
≥
1 k
负载短路保护
V
PS
= V
PSN
; L
≤
10
H
4
受保护的漏源电压V
IS
= 10 V ;
I
≥
2 k
V
IS
= 5 V ;
I
≥
1 k
瞬时过载耗散
V
DDP （ P）
P
帝斯曼
ESD限值
符号
V
C
参数
静电放电电容
电压
条件
人体模型;
C = 250 pF的; R = 1.5 kΩ的
分钟。
-
马克斯。
2
单位
kV
1
之前过电压钳位的发作。电压高于此值时，安全操作是由过压钳位能量的限制。
2
一个更高的温度
j
允许过载状况，但在阈值T
J（下TO ）
在超温跳闸动作，保护开关。
3
所需的过载保护电路的正确操作的最小供电电压。
4
该装置能够自我保护以避免短路负载提供所述漏极 - 源极电压不超过V
DDP （ P）
最大。
欲了解更多信息，请参阅过载保护特性。
1993年1月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
过压钳位极限值
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
在漏源电压高于50 V功率MOSFET积极开启夹住过压瞬变。
符号
I
DRRM
E
帝斯曼
E
DRM
参数
条件
分钟。
-
-
-
马克斯。
15
200
20
单位
A
mJ
mJ
重复峰值钳位漏电流
IS
≥
100
1
非重复性感性关断
I
DM
= 15 A;
IS
≥
100
2
能源
重复感性关断能量
R
IS
≥
100
;
T
mb
≤
95 C;
I
DM
= 4 A; V
DD
≤
20 V;
F = 250赫兹
重复峰值漏极电流输入
3
R
IS
= 0
;
t
p
≤
1毫秒
I
DIRM
-
50
mA
反向二极管极限值
符号
I
S
参数
连续正向电流
条件
T
mb
= 25 C;
V
IS
= V
PS
= V
FS
= 0 V
分钟。
-
马克斯。
15
单位
A
热特性
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻
结到安装基座
结到环境
-
在自由空气
-
-
2.5
60
3.1
-
K / W
K / W
条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
静态特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
（CL）的DSR
V
（CL）的DSR
I
DSS
I
DSR
I
DSR
R
DS （ ON）
参数
漏源电压钳位
漏源电压钳位
条件
R
IS
= 100
;
I
D
= 10毫安
分钟。
50
50
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
0.5
1
10
75
95
马克斯。
65
70
10
20
100
100
125
单位
V
V
A
A
A
m
m
R
IS
= 100
;
I
DM
= 1 ;牛逼
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
零输入电压漏电流V
DS
= 12 V; V
IS
= 0 V
漏源极漏电流
V
DS
= 50 V ;
IS
= 100
;
漏源极漏电流
V
DS
= 40 V ;
IS
= 100
;
T
j
= 125 C
漏极 - 源极导通状态
阻力
I
DM
= 7.5 A;
t
p
≤
300
s; δ ≤
0.01
V
IS
= 7 V
V
IS
= 5 V
1
输入引脚必须连接到源极引脚通过一个指定的外部电阻，以使功率MOSFET的栅极源极电压，以
成为有源钳位充分肯定的。请参阅输入特性。
2
而保护的电源连接，过压过程中的夹紧是可能的过负荷保护可在操作
能量接近极限值。请参阅过载保护特性。
3
短路输入与低阻抗源，以防止功率MOSFET的栅极 - 源极禁止了内部过压保护
电压变得积极。
1993年1月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
过载保护特性
有了足够的保障供应
电压TOPFET检测，当一个
过载阈值是
超标。
符号
参数
负载短路保护
1
E
DS （ TO ）
t
SC
T
J（下TO ）
过载阈值能量
响应时间
只要有足够的投入
串联电阻，它关闭
并保持闭锁直到复位
受保护的电源引脚。
条件
V
PS
= V
PSN2
; T
mb
= 25 ℃; L
≤
10
H;
R
I
≥
2 k
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
V
DD
= 13 V; V
IS
= 10 V
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
另请参阅超载
保护极限值
和输入特性。
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
-
-
150
150
375
-
-
-
-
mJ
s
C
过温保护
V
PS
= V
PSN
; R
I
≥
2 k
从我阈值的结温
D
≥
0.65 A
3
传输特性
T
mb
= 25 C
符号
g
fs
I
D
参数
正向跨导
漏电流
4
条件
V
DS
= 10 V ;我
DM
= 7.5 A吨
p
≤
300
s;
δ ≤
0.01
V
DS
= 13 V;
V
IS
= 5 V
V
IS
= 10 V
分钟。
5
-
典型值。
9
25
40
马克斯。
-
-
-
单位
S
A
A
保护电源特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
I
PS
,
I
PSL
参数
保护器供应
保障供电电流
条件
正常运行或
保护锁
BUK104-50L
BUK104-50S
T
j
= 150 C
V
（CL）的聚苯乙烯
保护钳位电压
I
P
= 1.35毫安
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
PSR
保护复位电压
5
V
PS
= 5 V
V
PS
= 10 V
-
-
1.5
1.0
11
0.2
0.4
2.5
-
13
0.35
1.0
3.5
-
-
mA
mA
V
V
V
反向二极管特性
T
mb
= 25 C
符号
V
SDS
t
rr
参数
正向电压
反向恢复时间
条件
I
S
= 15 A; V
IS
= V
PS
= V
FS
= 0 V;
t
p
= 300
s
不适用
6
分钟。
-
-
典型值。
1.0
-
马克斯。
1.5
-
单位
V
-
1
短路负载保护能够节省设备提供的瞬时的导通状态损耗小于该限制值
P
帝斯曼
，它总是在诉
DS
小于V
DSP
最大。
2
在适当的名义保护电源电压为每种类型。请参阅快速参考数据。
3
过温保护功能要求的最小导通状态下的漏源电压是否工作正常。规定的最小我
D
确保这一条件。
4
在过载情况。另请参阅过载保护限制值和特征。
5
在电源电压低于该过载保护电路将被复位。
6
这种类型的反向二极管不适合用于要求快速反向恢复的应用程序。
1993年1月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
功率MOS晶体管
逻辑电平TOPFET
输入特性
T
mb
= 25 C除非另有说明
符号
V
IS （TO）
I
IS
V
（CL）的IS
R
ISL
参数
正常工作
输入阈值电压
输入电流
输入钳位电压
过载保护锁存
输入阻抗
1
V
PS
= 5 V
V
PS
= 10 V
应用信息
外部输入电阻为
内部过压钳位
2
内置过载保护
3
I
I
= 5毫安;
T
mb
= 150 C
I
I
= 5毫安;
T
mb
= 150 C
-
-
-
-
V
DS
= 5 V ;我
D
= 1毫安
T
mb
= 150 C
V
IS
= 10 V
I
I
= 1毫安
1.0
0.5
-
11
条件
分钟。
BUK104-50L/S
BUK104-50LP/SP
典型值。
1.5
-
10
13
55
95
35
60
马克斯。
2.0
-
100
-
-
-
-
-
单位
V
V
nA
V
k
k
R
IS
R
I
（参见图29）
R
I
=
∞ ;
R
IS
=
∞ ;
V
DS
＆ GT ; 30 V
V
II
= 5 V
V
II
= 10 V
100
1
2
-
-
-
-
-
-
开关特性
T
mb
= 25 ℃;
I
= 50
;
R
IS
= 50
（参见图29）;阻性负载R
L
= 10
.
对于波形见图28 。
符号
t
D ON
t
r
t
D OFF
t
f
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 15 V; V
IS
: 10 V
0 V
条件
V
DD
= 15 V; V
IS
: 0 V
10 V
分钟。
-
-
-
-
典型值。
8
13
100
45
马克斯。
-
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
电容
T
mb
= 25 ℃; F = 1 MHz的
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
PSO
C
FSO
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
保护电源引脚
电容
标志引脚电容
条件
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
DS
= 25 V; V
IS
= 0 V
V
PS
= 10 V
V
FS
= 10 V; V
PS
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
415
275
55
30
20
马克斯。
600
400
80
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
pF
1
内部晶体管进行放电功率MOSFET的栅极电容时过载保护动作的阻力。
外部驱动电路应该是这样的，输入电压不超过V
IS （TO）
最低时，过载保护有
操作。另请参阅数字锁存输入特性。
2
使用的R为较低的值的应用
IS
需要外部过压保护。
3
为需要的R为较低的值的应用
I
，外部过载保护策略是可以使用的标志引脚为'告诉'的控制电路
关闭输入。
1993年1月
5
启1.200
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