ON Semiconductort
NPN
互补硅塑料
功率达林顿
。 。 。用作互补通用输出设备
放大器应用。
BDV65B
PNP
BDV64B
DARLINGTONS
10安培
补充
硅
功率晶体管
60
80 100 120
伏
125瓦
高直流电流增益
HFE = 1000 （分钟） @ 5 ADC
整体结构与内置的基极发射极分流电阻器
w
这些器件采用无铅封装（ S）提供。本文规格
适用于标准和无铅器件。请参阅我们的网站：
www.onsemi.com特定无铅订购的部件编号，或
请联系您当地的安森美半导体销售办事处或代表处。
降额因子
最大额定值
等级
符号
V
首席执行官
V
CB
V
EB
I
C
I
B
价值
100
100
5.0
10
20
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
ADC
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
- 山顶
基极电流
0.5
器件总功耗
@ T
C
= 25_C
减免上述25℃
P
D
125
1.0
瓦
W / ℃，
_C
工作和存储结
温度范围
T
J
, T
英镑
- 65至+ 150
CASE 340D -02
SOT 93 ， TO- 218型
热特性
特征
符号
θ
JC
最大
1.0
单位
热阻，结到外壳
° C / W
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
25
50
100
75
T
C
，外壳温度（ ° C）
125
150
图1.功率降额
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年3月，
启示录12
1
出版订单号：
BDV65B/D
BDV65B BDV64B
包装尺寸
CASE 340D -02
问题E
C
B
Q
E
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
Q
S
U
V
MILLIMETERS
民
最大
20.35
14.70
15.20
4.70
4.90
1.10
1.30
1.17
1.37
5.40
5.55
2.00
3.00
0.50
0.78
31.00 REF
16.20
4.00
4.10
17.80
18.20
4.00 REF
1.75 REF
BASE
集热器
辐射源
集热器
英寸
民
最大
0.801
0.579
0.598
0.185
0.193
0.043
0.051
0.046
0.054
0.213
0.219
0.079
0.118
0.020
0.031
1.220 REF
0.638
0.158
0.161
0.701
0.717
0.157 REF
0.069
U
S
K
L
1
2
4
A
3
D
V
G
J
H
风格1 ：
PIN 1 。
2.
3.
4.
安森美半导体
和
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4
BDV65B/D
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