高可靠性串行EEPROM
WL- CSP EEPROM系列
SPI总线
BU9832GUL-W
°说明
BU9832GUL -W是的SPI总线接口方法的串行EEPROM 。
■特点
1 ）高速时钟操作高达5MHz （最大）
2 ）通过HOLD终端等等功能。
3 ）部分或整个存储阵列可设置为按程序只读存储器区。
4 ） 1.8 5.5V的单电源操作电池的使用最合适。
5 ）页写模式，在出厂初始值写有用的。
6）对于SPI总线接口（ CPOL ， CPHA ）=（ 0，0 ），（1 ，1）
7 ）自动擦除和自动结束函数在数据重写。
8 ）低电流消耗
在写入动作（ 5V ）
： 1.5毫安（典型值）。
在读操作（ 5V ）
： 1.0毫安（典型值）。
在待机动作（5V）
： 0.1μA （典型值）
9 ）在读操作地址自动增量功能
10 ）写入错误预防功能
写禁止在电源上。
写禁止通过命令代码（ WRDI ） 。
通过写禁止
WP
引脚。
通过写状态寄存器（ BP1 ， BP0 ）禁止块设置
写错误保护功能，在低电压。
11 ）数据在装运存储阵列： FFH ，状态寄存器WPEN ， BP1 ， BP0 ： 0
12 ）数据保存40年。
13 ）数据重写高达1,000,000times 。
“页
写
产品编号
BU9832GUL-W
●BU9832GUL-W
TYPE
BU9832GUL-W
“绝对
最大额定值（Ta = 25℃）
参数
外加电压
容许损耗
存储温度范围
工作温度范围
端电压
符号
VCC
Pd
TSTG
TOPR
―
评级
-0.3~+6.5
220(VCSP50L2)
*1
-65~+125
-40~+85
-0.3~Vcc+0.3
单位
V
mW
℃
℃
V
容量
8Kbit
位格式
1K×8
电源
电压
1.8~5.5V
包
VCSP50L2
页数
32字节
No.10001EAT16
* 1当在使用钽= 25℃或更高， 220MW要每1 ℃降低
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BU9832GUL-W
●
建议的操作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
VCC
VIN
评级
1.8~5.5
V
0~Vcc
单位
技术说明
●
存储单元的特性（Ta = 25 ℃ ， VCC = 1.8 5.5V ）
范围
参数
分钟。
典型值。
的数据重写次数
数据保持十年
* 1 ：未经100％测试
*1
*1
最大
–
–
单位
时
岁月
1,000,000
40
–
–
●
输入/输出容量（ TA = 25 ℃ ，频率= 5MHz时）
范围
参数
符号
分钟。
最大
输入容量
输出容量
* 1 ：未经100％测试
*1
*1
单位
pF
pF
条件
V
IN
= GND
V
OUT
= GND
C
IN
C
OUT
–
–
8
8
ⅵELECTRICAL
特性（除非另有说明， TA = -40 + 85 ℃ ， VCC = 1.8 5.5V ）
范围
符号
单位
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
“ H”输入电压1
“ L”输入电压1
“L”，输出电压1
“L”，输出电压2
“H”时的输出电压1
“H”的输出电压2
输入漏电流
输出漏电流
VIH1
VIL1
VOL1
VOL2
VOH1
VOH2
ILI
国际劳工组织
ICC1
消耗电流
在写入操作
ICC2
ICC3
ICC4
ICC5
ISB
0.7xVcc
-0.3
0
0
Vcc-0.5
Vcc-0.2
-1
-1
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
Vcc+0.3
0.3xVcc
0.4
0.2
VCC
VCC
1
1
1.0
2.0
3.0
1.5
2.0
2
V
V
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
A
条件
1.8≦Vcc≦5.5V
1.8≦Vcc≦5.5V
IOL=2.1mA(Vcc=2.5V~5.5V)
IOL=150A(Vcc=1.8V~2.5V)
IOH=-0.4mA(Vcc=2.5V~5.5V)
IOH=-100A(Vcc=1.8V~2.5V)
VIN=0~Vcc
VOUT = 0 Vcc时， CS = VCC
VCC = 1.8V时，fsck = 2MHz的， TE / W = 5ms的
字节写入，页写入，写入状态
注册
VCC = 2.5V时，fsck = 5MHz时， TE / W = 5ms的
字节写入，页写入，写入状态
注册
VCC = 5.5V时，fsck = 5MHz时， TE / W = 5ms的
字节写入，页写入，写入状态
注册
Vcc=2.5V,fSCK=5MHz
读取，读取状态寄存器
Vcc=5.5V,fSCK=5MHzN
读取，读取状态寄存器
Vcc=5.5V
SCK = SI = VCC或= GND ， SO = OPEN
消耗电流
在读取操作
待机电流
本
产品并非设计用于防止放射性射线。
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BU9832GUL-W
“操作
时序特性
（ TA = -40 + 85 ℃ ，除非另有说明，负载电容C
L1
=100pF)
1.8≤Vcc2.5V
参数
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
SCK频率
SCK高时间
SCK低电平时间
CS高电平时间
CS建立时间
CS保持时间
SCK建立时间
SCK保持时间
SI建立时间
SI保持时间
数据输出延迟时间1
技术说明
2.5≤Vcc5.5V
分钟。
–
85
85
85
90
85
90
90
20
40
–
–
0
–
60
40
60
70
–
–
–
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
马克斯。
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
70
55
–
100
–
–
–
–
100
70
1
1
50
50
5
单位
MH½
fsck的
tSCKWH
tSCKWL
–
200
200
200
200
200
200
200
40
50
–
–
0
–
120
90
120
140
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
2
–
–
–
–
–
–
–
–
–
150
145
–
250
–
–
–
–
250
150
1
1
100
100
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
s
s
ns
ns
ms
TCS
TCSS
TCSH
tSCKS
tSCKH
TDI发动机
tDIH
tPD1
tPD2
TOH
特兹
tHFS
tHFH
THRS
tHRH
tHOZ
THPD
TRC
TFC
卓
TFO
TE / W
数据输出延迟时间2 （C
L2
=30pF)
输出保持时间
输出禁止时间
保持设置设置时间
HOLD设定保持时间
HOLD发布设置时间
HOLD释放保持时间
时间从持有上调至输出高阻
时间由持有上调至输出变化
SCK上升时间
SCK下降时间
输出上升时间
输出下降时间
发表时间
* 1未经100％测试
*1
*1
*1
*1
“ AC
测量条件
参数
带载能力1
负载容量2
输入上升时间
输入下降时间
输入电压
输入/输出判决电压
符号
C
L1
C
L2
–
–
–
–
范围
分钟。
–
–
–
–
典型值。
–
–
–
–
0.2Vcc/0.8Vcc
0.3Vcc/0.7Vcc
马克斯。
100
30
50
50
单位
pF
pF
ns
ns
V
V
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BU9832GUL-W
特性
数据（以下特征数据是典型值值。 ）
6
5
4
VIH [V]的
3
2
1
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
VIL [ V]
6
1
技术说明
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
规格
5
4
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
VOL [ V]
0.8
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0.6
3
2
1
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0.4
规格
0.2
规格
0
0
1
2
3
4
5
6
IOL [马]
图6 "H"输入voltege VIH （ CS ， SCK ， SI ，HOLD ， WP ）
2
Fig.7
= "L"
输入电压VIL （ CS ， SCK ， SI ，HOLD ， WP ）
1
0.8
0.6
0.4
图8 "L"输出电压VOL - IOL （VCC = 1.8V）
2.6
1.8
VOH [V]的
VOL [ V]
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
VOH [V]的
2.4
1.6
2.2
规格
1.4
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
规格
0.2
0
2
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
1.2
0
0.4
IOH [马]
0.8
1.2
1.8
0
1
2
3
IOL [马]
4
5
6
0
0.4
0.8
1.2
IOH [马]
图9 "H"输出电压VOH - IOH （VCC = 1.8V）
1.5
1.5
图10 "L"输出电压VOL - IOL （VCC = 2.5V ）
图11 "H"输出电压VOH - IOH （VCC = 2.5V ）
4
规格
1
ILI [ μA ]
劳工组织[ μA ]
1
规格
ICC1,2,3[mA]
3
fSK=5MHz
DATA=55h
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
规格
0.5
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0.5
2
规格
1
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图12输入漏电流ILI （CS ， SCK ， SI ，HOLD ， WP ）
2.5
2
ICC4,5[mA]
2.5
图13输出漏电流国际劳工组织（ SO ）
图14电流消耗在写入操作
ICC1,2,3 （写入，页写入， WRSR时，fsck = 5MHz时）
100
fSK=5MHz
DATA=55h
规格
规格
ISB [ μA ]
规格
2
fsck的[兆赫]
1.5
1
0.5
0
10
1.5
1
0.5
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
规格
规格
1
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
0.1
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图15消耗电流在读操作
ICC4,5(READ,WRSR,fSK=5MHz)
250
图16消耗电流在待机操作ISB
250
250
图17 SCK频率的fsck
规格
200
tSCKWH [ NS ]
150
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
tSCKWL [ NS ]
规格
200
150
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
TCS [ NS ]
200
规格
Ta=-40℃
Ta=25℃
Ta=85℃
150
规格
100
50
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
规格
100
50
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
规格
100
50
0
0
1
2
3
的Vcc [V]的
4
5
6
图18 tSCK时候tSCKWH
图19 tSCK低的时间tSCKWL
图20 CS的时候TCS
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1/13
Structure
“产品
◆部件编号
◇外形尺寸
.Block图
“使用
■特点
硅单片集成电路
1024 ×8位的电可擦除的PROM
BＵ9832ＧＵＬ－Ｗ
图1 （塑胶模具）
Fig.2
通用
· 1024字×8位架构的串行EEPROM
Wide operating voltage range (1.8V½5.5V)
·串行外设接口（ CPOL ， CPHA ） = （ 0.0 ） ， （ 1.1 ）
½Self-timed write cycle with automatic erase
低功耗
写
（ 5V ） ： 1.5毫安（典型值）。
读
（ 5V ） ： 0.5毫安（典型值）。
待机（ 5V ） （典型值）， 0.1μA
½Auto-increment of registers address for Read mode
-32字节页写模式
·数据安全
默认为与禁止写入国家权力
软件指令的写使能/禁用
写状态寄存器保护功能（ WPB针）
块由状态寄存器写保护
写抑制在较低的Vcc
· WL- CSP封装------ VCSP50L2
·可靠性高精细图案的CMOS技术
·在状态寄存器中的所有地址和00H初步数据FFH
·数据保存：40岁
·耐力：100万次擦/写
◇
绝对最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
参数
电源电压
功耗
储存温度
工作温度
端电压
*降解完成后，在2.2mW / ℃
符号
VCC
等级
-0.3½6.5
单位
V
mW
℃
℃
V
Ｐ½
VCSP50L2
220
TSTG
-65½125
TOPR
-40½85
－
-0.3½VCC+0.3
运行在25℃以上
版本B
2/13
“推荐
工作条件
参数
电源电压
输入电压
符号
V
cc
V
IN
等级
1.8½5.5
0½V
cc
单位
V
V
ΔDC
OPERATING CHARACTERISTICS (Unless otherwise specified Ta=-40½85℃½V
CC
=1.8½5.5V)
参数
“H”
输入电压1
“L”
输入电压1
“L”
输出电压1
“L”
输出电压2
“H”
输出电压1
“H”
输出电压2
输入漏电流
输出漏电流
符号
分钟。
V
IH1
V
IL1
V
OL1
V
OL2
V
OH1
V
OH2
I
LI
I
LO
I
CC1
0.7×Vcc
规范
单位
典型值。
－
－
－
－
－
－
－
－
－
马克斯。
Vcc+0.3
0.3×Vcc
测试条件
1.8V≦Vcc≦5.5V
1.8V≦Vcc≦5.5V
IOL=2.1mA，2.5V≦Vcc≦5.5V
IOL=100μA，1.8V≦Vcc＜2.5V
IOH = -0.4mA （ 2.5V的Vcc ≦ ≦ 5.5V ）
IOH = -100μA （ ≦ 1.8V的Vcc \u003c 2.5V）
V
V
V
V
V
V
-0.3
0
0
Vcc-0.5
Vcc-0.2
0.4
0.2
VCC
VCC
1
1
1.0
-1
-1
－
μA
V
IN
=0V½Vcc
μA
V
OUT
=0V½Vcc，CSB=Vcc
Vcc=1.8V，fSCK=2MHz，tE/W=5ms
mA
字节写入，页写入
写状态寄存器
Vcc=2.5V，fSCK=5MHz，tE/W=5ms
工作电流写入
I
CC2
－
－
2.0
mA
字节写入，页写入
写状态寄存器
Vcc=5.5V，fSCK=5MHz，tE/W=5ms
I
CC3
－
－
3.0
mA
字节写入，页写入
写状态寄存器
I
CC3
工作电流读
I
CC4
待机电流
I
SB
－
－
－
－
－
－
1.5
2.0
2.0
mA
mA
μA
Vcc=2.5V，fSCK=5MHz
读取，读取状态寄存器
Vcc=5.5V，fSCK=5MHz
读取，读取状态寄存器
Vcc=5.5V，CS=HOLD=WP=Vcc，
SCK = SI = VCC和GND ， SO = OPEN
●本产品并非设计用于防止放射性射线。
内存
CELL CHARACTERISTICS(Ta=25℃、Vcc=1.8½5.5V)
参数
写入/擦除周期
数据保留
※1
※1
分钟。
1,000,000
40
规范
典型值。
－
－
马克斯。
－
－
单位
周期
YEAR
。输入/输出
电容（ TA = 25 ℃频率= 5MHz时）
参数
输入电容
※1
输出电容
※1
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
IN
= GND
V
OUT
= GND
分钟。
-
-
马克斯。
单位
8
pF
8
pF
※ 1：不
100％测试
版本B
4/13
“引脚配置
指令译码
电压
发现
CS
控制时钟
SCK
GENERATION
写
抑制
高压
发电机
SI
指令
注册
地址
注册
数据
注册
8bit
10bit
状态寄存器
HOLD
地址
解码器
读/写
AMP
10bit
8,192位
EEPROM
WP
8bit
图2框图
SO
针
CON组fi guration
C
B
C1
B1
A1
C2
C3
B3
指数
A2
A3
POST
A
1
◇引脚名称
LAND号
A1
A2
A3
B1
B3
C1
C2
C3
引脚名称
WP
GND
SI
SO
SCK
CS
VCC
HOLD
I / O
IN
－
功能
2
3
Ｆ½½-3 BU9832GUL-W （bottom view）
写保护输入
当WPEN位为高状态寄存器， WP输入引脚成为
活性，并能抑制
“写
状态寄存器“
地（ 0V ）
IN
OUT
IN
IN
－
IN
起始位， Op.code ，地址，串行数据输入
串行数据输出
串行数据时钟输入
片选控制
Power Supp½½
HOLD输入
保持输入能够暂停数据传输的时间。
版本B
QQ：2881677436 复制
