BSS84LT1
包装尺寸
SOT- 23 （ TO- 236 ）
CASE 318-08
AH发行
A
L
3
1
2
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.最大引线厚度包括对引线
涂层厚度。最小引线厚度
是Base的最小厚度
材料。
4. 318-03和-07陈旧，新标准
31808.
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
英寸
民
最大
0.1102 0.1197
0.0472 0.0551
0.0350 0.0440
0.0150 0.0200
0.0701 0.0807
0.0005 0.0040
0.0034 0.0070
0.0140 0.0285
0.0350 0.0401
0.0830 0.1039
0.0177 0.0236
MILLIMETERS
民
最大
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
B·S
V
G
C
D
H
K
J
风格21 ：
PIN 1. GATE
2.源
3.排水
焊接足迹*
0.95
0.037
0.95
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
0.031
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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出版物订货信息
文学履行：
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电话：
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传真：
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美国/加拿大
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http://onsemi.com
4
BSS84LT1/D
威伦
功率MOSFET
130
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
毫安， 50伏
FM120-M
BSS84LT1
THRU
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
P沟道SOT- 23
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
这些微型表面贴装MOSFET的降低功耗
节约能源，使
保护。
Guardring过电压
该器件非常适用于小功率应用
超高速开关。
管理电路。典型的应用是dc-dc变换器，负载
硅外延
管理在便携式
开关，电源
平面芯片，金属硅交界处。
和电池供电
无铅零件
计算机，打印机，蜂窝
产品如
符合环保标准
和无绳电话。
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
高效节能
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
小型SOT- 23
包装代号后缀"H"
无卤产品
表面贴装封装节省电路板空间
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
0.071(1.8)
0.056(1.4)
机械数据
可用的
无铅封装
环氧UL94 -V0阻燃评分
代号后缀“G”
RoHS指令
:
产品包装
阻燃
案例：模压
产品包装代号后缀为“H”
无卤
塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
SOT -23
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量： 0.011的逼近
3漏
克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
-
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
1
对于容性负载，减免
门
20％的电流
评级
标识代码
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
2
最大的经常峰值反向电压
来源
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
40
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
标记图
115
18
10
80
56
80
100
70
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
PD
100
M
最大额定值
(T
J
= 25
°
C除非另有说明）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
等级
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
工作温度范围
符号
R
θJA
V
DSS
C
J
T
V
GS
J
TSTG
价值
50
单位
V
dc
-55
±
20
+125
V
dc
40
120
PD =器件代码
M =月守则
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
存储温度范围
漏电流
- 连续@ T
A
= 25°C
- 脉冲漏电流（T
p
≤
10
s)
特征
最大正向电压在1.0A
@ T = 25°C
总功耗
DC
A
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
范围
工作和存储温度
@T A = 125 ℃
I
D
130
I
DM
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
520
符号
订购信息
伏
0.9
0.92
V
F
0.50
0.70
0.85
P
D
225
mW
设备
包
航运
0.5
R
毫安
T
I
J
, T
英镑
- 55
°C
BSS84LT1
SOT-23
3000/Tape&Reel
10
150
R
θJA
T
L
556
260
° C / W
°C
mA
-
65
到+175
注意事项：
热电阻 - 结到环境
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻
10秒
目的，
结到环境
最大无铅焊接温度的
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
功率MOSFET
130
毫安， 50伏
1.0A表面贴装肖特基二极管-20V- 200V
SOD-123
包
特征
批量处理的设计，出色的功耗报价
FM120-M
THRU
BSS84LT1
FM1200-M
无铅产品
典型值
–
0.146(3.7)
0.130(3.3)
特点
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
包
符号
概要
民
50
最大
–
单位
VDC
μAdc
SOD-123H
更好的反向漏
开关特性
电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
漏极至源极击穿电压
优化电路板空间。
（ VGS = 0
损失，效率很高。
低功耗
VDC ， ID = 250
μAdc ）
高电流能力，低正向电压降。
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 25伏直流电， VGS =
高浪涌能力。
0伏）
（ VDS = 50伏直流电， VGS = 0伏）
Guardring过电压保护。
（ VDS = 50伏直流电， VGS = 0伏，
超高速开关。
TJ = 125°C ）
基本特征
（注1 ）
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代码
门源电压螺纹
后缀"G"
（VDS = VGS ，ID = 1.0
填料
无卤素产品
MADC ）
代号后缀"H"
V（ BR ） DSS
IDSS
0.012 （ 0.3 ）典型值。
–
–
–
–
0.8
–
50
–
–
–
–
–
5.0
–
0.1
15
60
0.071(1.8)
±10
2.0
10
0.056(1.4)
硅外延平面芯片，金属
20伏直流电， VDS = 0
门体漏电流（ VGS =
±
硅结。
VDC ）
无铅零件符合环保标准
IGSS
VGS （ TH）
RDS （ ON）
| YFS |
NADC
VDC
欧
机械数据
静态漏 - 源极导通电阻
案例：
导纳
转让
模压塑料， SOD- 123H
,
（ VDS = 25伏直流电， ID = 100 MADC ， F = 1.0千赫）
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
动态特性
方法2026
（ VGS = 5.0伏， D = 100 MADC ）
环氧树脂： UL94 -V0
I
额定阻燃
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
–
mS
0.031 （ 0.8 ）典型值。
输入电容
由阴极频带
极性：指示
安装位置
输出电容
：任何
传输电容
重量：的逼近0.011克
开关特性
（注2 ）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDS = 5.0 V直流）
（ VDG = 5.0伏）
西塞
30
–
尺寸
–
英寸（毫米）
in
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
14
40
15
QT
50
pF
–
–
–
–
–
16
–
60
42
60
10
5.0
2.5
1.0
16
18
6000
80
56
80
–
–
–
–
–
10
–
100
115
pC
120
150
200
105
150
导通延迟时间
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
上升
半
(V
负载。
15
2.5
单相
时间
波，60赫兹，感性阻性
DD = -15伏直流， ID = -2.5 ADC ，
RL = 50
)
对于容性负载，减免电流20 ％
关断延迟时间
下降时间
标识代码
收费
门
评级
最大额定值和电气特性
ns
tf
–
8.0
–
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
12
20
13
30
伏
伏
伏
安培
V
RRM
源极 - 漏极二极管的特性
14
21
28
最大RMS电压
V
RMS
连续电流
最大直流阻断电压
20
30
40
V
DC
脉冲电流
最大正向平均整流电流
I
O
正向电压（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
I
≤
2%.
1.脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
FSM
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
2.开关特性是独立的工作结温。
典型热阻（注2 ）
R
θJA
最大的经常峰值反向电压
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
0.6
35
IS
50
ISM
–
–
1.0
–
30
–
–
2.5
70
0.130
100
0.520
A
140
200
VSD
–
V
安培
℃/W
PF
℃
VDS = 10V
存储温度范围
I D ， DDAIN CUDDENT （ AMPS ）
I D ， DDAIN CUDDENT （ AMPS ）
0.5
特征
40
典型电气特性
120
C
J
-55到+125
0.5
T
J
25°C
-
65
到+175
TSTG
TJ = 25°C
0.45
-55到+150
VGS = 3.5 V
3.25 V
℃
-55°C
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
0.4
最大正向电压在1.0A DC
0.4
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
150°C
0.3
额定阻断电压DC
@T A = 125 ℃
I
R
0.35
0.50
0.3
0.2
0.1
0.70
0.5
10
0.85
0.9
0.92
伏
毫安
3.0 V
2.75 V
2.5 V
2.25 V
0.25
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
0.2
0.1
0.15
2-热阻结点到环境
0.05
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0
9
10
VGS ，栅 - SOUDCE电压（伏）
VDS ， DDAIN - TO- SOUDCE电压（伏）
图1.传热特性
图2.区域特征
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
动力
装载肖特基
毫安， 50伏
1.0A表面
MOSFET
130
势垒整流器-20V- 200V
SOD-123
包
功耗报价
批量处理的设计，卓越的
典型电气特性
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
优化电路板空间。
9
低功耗，
=
高
V
EF网络效率。
VGS 4.5
高电流能力，低正向电压降。
8
150°C
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
7
超高速开关。
6
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
无铅零件符合环保标准
25°C
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
5
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
卤素
4
免费的产品包装代号后缀"H"
DS （ ON） ， DDAIN - TO- SOUDCE停止追究（欧姆）
FM120-M
THRU
BSS84LT1
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
DS （ ON） ， DDAIN - TO- SOUDCE停止追究（欧姆）
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
0.031 （ 0.8 ）典型值。
VGS = 10 V
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
150°C
0.071(1.8)
0.056(1.4)
25°C
机械数据
2
案例：模压塑料， SOD- 123H
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
我， DDAIN CUDDENT （ AMPS）的
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
重量：
2
近似0.011克
DDS （上） ， DDAIN - TO- SOUDCE停止追究
（ NODMALIZED ）
1.8
3
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
-55°C
0.040(1.0)
0.024(0.6)
-55°C
0.6
0.6
2
0
0.1
0.2
0.3
0.031 （ 0.8 ）典型值。
0.5
0.4
图3.导通电阻与漏电流
方法2026
D
号， DDAIN CUDDENT （ AMPS）的
图4.导通电阻与漏电流
尺寸以英寸（毫米）
VDS = 40 V
7
TJ = 25°C
VGS = 10 V
最大额定值，电器
A
特征
ID = 0.52
6
在25 ℃评分
1.6
环境温度，除非另有规定。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
1.4
对于容性负载，减免电流20 ％
标识代码
VGS ，栅 - SOUDCE电压（伏）
8
5
4
1.2
评级
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
ID = 0.13
VGS = 4.5 V
13
30
21
30
1
最大的经常峰值反向电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
I
FSM
12
20
14
0.8
14
3
40
2
28
40
1
15
50
35
50
16
60
18
ID = 0.5 A
10
80
100
56
80
70
115
150
105
150
120
200
140
伏
伏
伏
安培
安培
℃/W
PF
℃
℃
42
60
20
100
200
0.6
最大正向平均整流电流
-55
-5
45
95
145
0
0
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
TJ ，结TEMPEDATUDE （ ° C）
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
1.0
500
1500
1000
QT间期，总闸CHADGE （ PC）
30
2000
典型热阻（注2 ）
工作温度范围
存储温度范围
图5.导通电阻随温度的变化
R
θJA
C
J
T
J
TSTG
图6.栅极电荷
40
120
典型结电容（注1 ）
1
I D ，二极管CUDDENT （ AMPS ）
-55到+125
-55到+150
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
额定阻断电压DC
0.1
T = 150℃
25°C
-55°C
符号
J
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
V
F
I
R
0.50
0.70
0.85
0.9
0.92
伏
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
@T A = 125 ℃
0.5
10
毫安
注意事项：
0.01
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
VSD ，二极管FODWAD电压（伏）
图7.体二极管正向电压
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
威伦
动力
装载肖特基
毫安， 50伏
1.0A表面
MOSFET
130
势垒整流器-20V- 200V
SOD-123
包
批量处理的设计，出色的功耗报价
更好的反向漏电流和耐热性。
低调的表面安装，以便应用程序
SOT-23
优化电路板空间。
低功耗，高效率。
高电流能力，低正向电压降。
高浪涌能力。
Guardring过电压保护。
超高速开关。
.122(3.10)
硅外延平面芯片，金属硅交界处。
.106(2.70)
无铅零件符合环保标准
MIL -STD -二百二十八分之一万九千五百
符合RoHS的产品包装代号后缀"G"
无卤素产品的包装代号后缀"H"
FM120-M
THRU
BSS84LT1
FM1200-M
无铅产品
特点
包装外形
SOD-123H
.006(0.15)MIN.
0.146(3.7)
0.130(3.3)
0.012 （ 0.3 ）典型值。
.110(2.80)
.086(2.10)
10
100
70
100
机械数据
环氧树脂： UL94 -V0额定阻燃
案例：模压塑料， SOD- 123H
,
端子：镀金端子，符合MIL -STD- 750焊接的
方法2026
0.031 （ 0.8 ）典型值。
.063(1.60)
.047(1.20)
0.071(1.8)
0.056(1.4)
0.040(1.0)
0.024(0.6)
0.031 （ 0.8 ）典型值。
极性：由阴极频带指示
安装位置：任意
.080(2.04)
重量：的逼近0.011克
尺寸以英寸（毫米）
.008(0.20)
.003(0.08)
.070(1.78)
最大额定值和电气特性
在25 ℃的环境温度，除非另有规定等级。
单相半波，60赫兹，感性负载的电阻。
对于容性负载，减免电流20 ％
评级
标识代码
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
符号
FM120-M
FM130 - MH
FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 - MH FM1150 - MH FM1200 -MH
单位
最大的经常峰值反向电压
.004(0.10)MAX.
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
O
12
20
14
20
13
30
21
30
14
40
28
15
50
35
50
16
60
42
60
1.0
30
40
120
18
80
56
80
115
150
105
150
120
200
140
200
伏
伏
伏
安培
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
叠加在额定负荷（ JEDEC的方法）
.020(0.50)
I
FSM
.012(0.30)
R
θJA
T
J
.055(1.40)
.035(0.89)
40
安培
典型热阻（注2 ）
典型结电容（注1 ）
工作温度范围
存储温度范围
C
J
尺寸以英寸
+125
（毫米）
和
-55
TSTG
-55到+150
℃/W
PF
℃
℃
-
65
到+175
特征
最大正向电压在1.0A DC
在@T A = 25℃时最大平均反向电流
额定阻断电压DC
符号
FM120-MH
FM130 - MH FM140 - MH FM150 ， FM160 MH -MH FM180 - MH FM1100 -MH
FM1150-MH
FM1200-MH
单位
@T A = 125 ℃
V
F
0.037
0.95
I
R
0.50
0.037
0.95
0.70
0.85
0.5
10
0.9
0.92
伏
毫安
注意事项：
1测得1 MHz和应用4.0伏的反向电压。
2-热阻结点到环境
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
英寸
mm
2012-06
威伦电子股份有限公司。
2012-10
威伦电子股份有限公司。
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