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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU908
描述
·采用TO- 3PN封装
·高电压
·高速开关
应用
·对于彩电水平偏转电路。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器;连接到
安装底座
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PN ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
700
7
8
125
150
-65~150
单位
V
V
V
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结案件
最大
1.0
单位
/W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU908
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
条件
I
C
= 100毫安;我
B
=0;
I
E
= 10毫安;我
C
=0;
I
C
=3.2A;I
B
=0.8A
I
C
=3.2A;I
B
=0.8A
V
CB
=1500V;I
E
=0
V
EB
=5V;I
C
=0
I
C
= 1.5A ; V
CE
=5V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
8
7
兆赫
民
700
7
2.0
1.3
1.0
0.1
典型值。
最大
单位
V
V
V
V
mA
mA
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
I
EBO
h
FE
f
T
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU908
图2外形尺寸（ unindicated公差： ±0.10 MM）
3
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
BU908
描述
-collector极 - 发射极
维持电压 -
: V
CEO （ SUS ）
= 700V （最小值）
高
电源Dissipation-
: P
D
= 125W @ T
C
= 25
℃
应用
·设计
在彩色电视机的水平偏转电路中使用。
绝对最大额定值（T
a
=25
℃)
符号
参数
价值
单位
V
CBO
集电极 - 基极电压
1500
V
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
700
V
V
EBO
发射极 - 基极电压
7
V
I
C
P
C
集电极电流 - 连续
集电极耗散功率
@ T
C
=25℃
结温
8
A
125
W
℃
℃
T
J
150
T
英镑
存储温度范围
-65~150
热特性
符号
参数
热阻，结到外壳
最大
1.0
单位
℃/W
R
第j个-C
ISC的网站： www.iscsemi.cn
INCHANGE半导体
ISC
产品speci fi cation
ISC
硅NPN功率晶体管
电气特性
T
C
= 25 ℃除非另有规定
符号
参数
条件
民
典型值。
BU908
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安;我
B
=
0
700
V
V
（ BR ） EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10毫安;我
C
=
0
7
V
V
CE
（SAT）
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3.2A ;我
B
= 0.8A
2.0
V
V
BE
（SAT）
基射极饱和电压
I
C
= 3.2A ;我
B
= 0.8A
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0
V
CE
= 1500V; V
BE
= 0; T
C
=125℃
V
EB
= 5.0V ;我
C
= 0
1.3
0.1
2.0
0.1
V
I
CES
收藏家Cuto FF电流
mA
I
EBO
发射Cuto FF电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 1.5A ; V
CE
= 5V
8
f
T
电流增益带宽积
I
C
= 0.1A ; V
CE
= 10V
7
兆赫
ISC的网站： www.iscsemi.cn
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