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飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
概述
玻璃钝化，敏感栅
在一个塑料外壳端双向可控硅开关，意
对于一般用途
双向开关和相位
控制应用，其中高
灵敏度，需要在所有四个
象限。
BT134 E系列
快速参考数据
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
BT134-
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值通态
当前
MAX 。 MAX 。 MAX 。 UNIT
500E
500
4
25
600E
600
4
25
800E
800
4
25
V
A
A
钉扎 - SOT82
针
1
2
3
TAB
描述
主终端1
引脚配置
符号
T2
主终端2
门
主终端2
1
2
3
T1
G
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）的限制值。
符号
V
DRM
I
T（ RMS ）
I
TSM
参数
重复峰值断态
电压
RMS通态电流
非重复性峰值
通态电流
I
2
吨融合
上升的重复率
通态电流后，
触发
全正弦波;牛逼
mb
≤
107 C
全正弦波;牛逼
j
前= 25
浪涌
t为20毫秒
T = 16.7毫秒
T = 10毫秒
I
TM
= 6 A;我
G
= 0.2 A;
dI
G
/ DT = 0.2 A / μs的
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-40
-
-500
500
1
马克斯。
-600
600
1
4
25
27
3.1
50
50
50
10
2
5
5
0.5
150
125
-800
800
单位
V
A
A
A
A
2
s
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A / μs的
A
V
W
W
C
C
I
2
t
dI
T
/ DT
I
GM
V
GM
P
GM
P
G（ AV ）
T
英镑
T
j
栅极峰值电流
峰值栅极电压
峰值功率门
平均功耗门
储存温度
工作结
温度
在任何20毫秒期
1
虽然不建议，断态电压高达800V可在不损伤被应用，但可双向可控硅
切换到接通状态。电流上升率不应超过3 A / μs的。
1997年8月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
条件
分钟。
-
-
-
BT134 E系列
典型值。
-
-
100
马克斯。
3.0
3.7
-
单位
K / W
K / W
K / W
热阻
全周期
路口安装基座半个周期
热阻
在自由空气
结到环境
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
I
GT
参数
门极触发电流
条件
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
0.25
-
典型值。
2.5
4.0
5.0
11
3.0
10
2.5
4.0
2.2
1.4
0.7
0.4
0.1
马克斯。
10
10
10
25
15
20
15
20
15
1.70
1.5
-
0.5
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
V
mA
I
L
闭锁电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
H
V
T
V
GT
I
D
保持电流
通态电压
门极触发电压
断态泄漏电流
V
D
= 12 V ;我
GT
= 0.1 A
I
T
= 5 A
V
D
= 12 V ;我
T
= 0.1 A
V
D
= 400 V ;我
T
= 0.1 A;牛逼
j
= 125 C
V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C
动态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
dV
D
/ DT
t
gt
参数
的临界上升率
断态电压
门控开启
时间
条件
V
DM
= 67% V
数字版权管理（最大值）
; T
j
= 125 C;
指数波形;门开路
I
TM
= 6 A; V
D
= V
数字版权管理（最大值）
; I
G
= 0.1 A;
dI
G
/ DT = 5 A / μs的
分钟。
-
-
典型值。
50
2
马克斯。
-
-
单位
V / μs的
s
1997年8月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
BT134 E系列
8
7
6
5
4
3
2
1
0
P合计/ W
BT136
TMB （最大值） / C
101
104
5
IT （ RMS ） / A
BT136
1
= 180
120
90
60
30
4
107
110
113
116
119
107 C
3
2
1
122
0
1
2
3
IT （ RMS ） / A
4
125
5
0
-50
0
50
TMB / C
100
150
图1 。最大通态损耗，P
合计
，与有效值
通态电流I
T（ RMS ）
，其中，
α
=导通角。
图4 。允许的最大均方根电流I
T（ RMS ）
,
与安装基座温度T
mb
.
BT136
1000
ITSM / A
BT136
IT
T
ITSM
12
10
时间
IT （ RMS ） / A
TJ初始= 25℃最高
100
dI
T
/ dt限制
8
6
4
T2- G +象限
2
10
10us
100us
1ms
T / S
10ms
100ms
0
0.01
0.1
1
浪涌持续时间/秒
10
图2 。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，与脉冲宽度t
p
为
正弦电流，T
p
≤
20ms.
图5 。对国家最大允许重复的有效值
电流I
T（ RMS ）
，与持续激增，为正弦
电流， F = 50赫兹;牛逼
mb
≤
107C.
VGT （ TJ ）
VGT （ 25℃ ）
30
25
20
15
10
5
0
ITSM / A
BT136
1.6
IT
T
我TSM
时间
BT136
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
-50
TJ初始= 25℃最高
1
10
100
周期在50Hz数
1000
0
50
TJ / C
100
150
如图3所示。允许的最大非重复性峰值
通态电流I
TSM
，对周期数，对于
正弦电流， F = 50赫兹。
图6 。归一化门极触发电压
V
GT
(T
j
)/ V
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
1997年8月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
BT134 E系列
3
2.5
2
1.5
1
0.5
IGT （ TJ ）
IGT （ 25℃ ）
BT136E
T2 + G +
T2 + G-
T2- G-
T2- G +
12
10
IT / A
TJ = 125℃
TJ = 25℃
VO = 1.27 V
卢比= 0.091欧姆
BT136
典型值
最大
8
6
4
2
0
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
0
0.5
1
1.5
VT / V
2
2.5
3
图7 。归一化门极触发电流
I
GT
(T
j
)/ I
GT
（25℃ ） ，与结温度T
j
.
白细胞介素（ TJ ）
IL （ 25℃ ）
图10 。典型和最大通态特性。
3
2.5
TRIAC
10
第i个J- MB （K / W）
BT136
单向
双向
1
2
1.5
1
0.5
0
-50
0.01
10us
0.1ms
1ms
10ms
TP /秒
0.1s
1s
0.1
P
D
tp
t
0
50
TJ / C
100
150
10s
图8 。正常化闭锁电流I
L
(T
j
)/ I
L
(25C),
与结温度T
j
.
IH（ TJ）
IH(25C)
图11 。瞬态热阻抗Z
日J- MB
，与
脉冲宽度t
p
.
DVD / DT （V /美国）
3
2.5
2
1.5
1
0.5
TRIAC
1000
100
10
0
-50
0
50
TJ / C
100
150
1
0
50
TJ / C
100
150
图9 。归一化控股电流I
H
(T
j
)/ I
H
(25C),
与结温度T
j
.
图12 。断态电压上升的典型，爆击率，
dV
D
/ DT与结温度T
j
.
1997年8月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
双向可控硅
敏感栅
机械数据
尺寸（mm）
净重： 0.8克
BT134 E系列
MOUNTING
BASE
2.8
2.3
7.8
最大
3.75
3.1
2.5
11.1
最大
1)
2.54
最大
1.2
15.3
民
1
4.58
0.5
2
3
2.29
1 ）在该引脚尺寸
区不受控制。
0.88
最大
图13 。 SOT82 ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装的SOT82信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年8月
5
启1.200
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