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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符B型号页 > 首字符B的型号第462页 > BU508AX
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508AX
描述
·带
TO- 3PML包
高
电压
高
高速开关
应用
For
在水平偏转电路使用
的彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
辐射源
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
℃)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
价值
1500
700
8
15
4
6
45
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明， TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
民
BU508AX
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
700
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.6A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2A
V
CE
= RatedV
CE认证;
V
BE
=0
T
C
=125℃
V
EB
= 6.0V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
10
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
6
13
30
f
T
跃迁频率
I
E
= 0.1A ; V
CE
=5V
7
兆赫
COB
输出电容
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
125
pF
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508AX
图2外形尺寸
3
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU508AX
描述
·采用TO- 3PML包
·高电压
·高速开关
应用
·对于在水平偏转电路中使用
的彩色电视接收机。
钉扎
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形（ TO- 3PML ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
基极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
价值
1500
700
8
15
4
6
45
150
-65~150
单位
V
V
A
A
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
条件
民
BU508AX
符号
典型值。
最大
单位
V
CEO （ SUS ）
集电极 - 发射极电压维持
I
C
= 100毫安，我
B
=0,L=25mH
700
V
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=1.6A
1.0
V
V
BESAT
基射极饱和电压
I
C
= 4.5A ;我
B
=2A
V
CE
= RatedV
CE认证;
V
BE
=0
T
C
=125
V
EB
= 6.0V ;我
C
=0
1.1
1.0
2.0
10
V
I
CES
集电极截止电流
mA
I
EBO
发射极截止电流
mA
h
FE
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
=5V
6
13
30
f
T
跃迁频率
I
E
= 0.1A ; V
CE
=5V
7
兆赫
COB
输出电容
V
CB
=10V;I
E
=0;f=1.0MHz
125
pF
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU508AX
图2外形尺寸
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AX
概述
高电压，在一个完全隔离SOT399信封高速切换npn型晶体管，主要用于在使用中
的彩色电视接收机的水平偏转电路。
快速参考数据
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
P
合计
V
CESAT
I
CSAT
t
f
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
总功耗
集电极 - 发射极饱和电压
集电极饱和电流
下降时间
条件
V
BE
= 0 V
典型值。
-
-
-
-
-
-
4.5
0.7
马克斯。
1500
700
8
15
45
1.0
-
-
单位
V
V
A
A
W
V
A
s
T
hs
≤
25 C
I
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
F = 16千赫
I
CSAT
= 4.5 A; F = 16kHz的
钉扎 - SOT399
针
1
2
3
BASE
集热器
辐射源
描述
引脚配置
例
符号
c
b
1 2 3
孤立的情况下，
e
极限值
限制按照绝对最大额定值系统值（ IEC 134 ）
符号
V
CESM
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
参数
集电极 - 发射极电压峰值
集电极 - 发射极电压（开基）
集电极电流（ DC ）
集电极电流峰值
基极电流（DC）的
基极电流峰值
总功耗
储存温度
结温
条件
V
BE
= 0 V
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-65
-
马克斯。
1500
700
8
15
4
6
45
150
150
单位
V
V
A
A
A
A
W
C
C
T
hs
≤
25 C
热阻
符号
R
日J- HS
R
日J- HS
R
日J-一
参数
结到散热器
结到散热器
结到环境
条件
无散热化合物
与复合散热器
在自由空气
典型值。
-
-
35
马克斯。
3.7
2.8
-
单位
K / W
K / W
K / W
1998年7月
1
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AX
隔离限值&特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
V
ISOL
参数
所有重复峰值电压
三个端子的外部
散热器
条件
相对湿度
≤
65 ％ ;干净无尘
分钟。
-
典型值。
马克斯。
2500
单位
V
C
ISOL
电容从T2到外部F = 1 MHz的
散热器
-
22
-
pF
静态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
I
CES
I
CES
I
EBO
V
CEOsus
V
CESAT
V
BESAT
h
FE
参数
集电极截止电流
1
条件
分钟。
-
-
-
700
-
-
6
典型值。
-
-
-
-
-
-
13
马克斯。
1.0
2.0
10
-
1.0
1.1
30
单位
mA
mA
mA
V
V
V
-
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
V
BE
= 0 V; V
CE
= V
CESMmax
;
T
j
= 125 C
发射极截止电流
V
EB
= 6.0 V ;我
C
= 0 A
集电极 - 发射极电压维持我
B
= 0 ;我
C
= 100毫安;
L = 25毫亨
集电极 - 发射极饱和电压我
C
= 4.5 A;我
B
= 1.6 A
基射极饱和电压
I
C
= 4.5 A;我
B
= 2 A
直流电流增益
I
C
= 100毫安; V
CE
= 5 V
动态特性
T
hs
= 25 C除非另有说明
符号
f
T
C
C
参数
跃迁频率在f = 5兆赫
集电极电容在f = 1MHz的
开关时间（ 16 kHz的行
偏转电路）
t
s
t
f
关闭存储时间
关断下降时间
条件
I
C
= 0.1 A; V
CE
= 5 V
V
CB
= 10 V
I
CSAT
= 4.5 A ，L
c
1毫亨;
fb
= 4 nF的
I
B（完）
= 1.4 A; L
B
= 6
H;
-V
BB
= -4 V;
-I
BM
= 2.25 A
典型值。
7
125
马克斯。
-
-
单位
兆赫
pF
6.5
0.7
-
-
s
s
1
测量正弦半波电压（波形记录器） 。
1998年7月
2
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AX
ICsat
+ 50v
100-200R
IC
90 %
横
tf
10 %
示波器
IB
t
ts
IBend
垂直
100R
6V
30-60赫兹
1R
t
- IBM
图1 。为V测试电路
CEOsust
.
图4 。开关时间的定义。
IC / MA
+ 150V，额定
调整ICsat
1mH
250
200
100
IBend
LB
D.U.T.
12nF
BY228
0
VCE / V
-VBB
民
VCEOsust
图2 。示波器显示V
CEOsust
.
图5 。开关时间测试电路。
晶体管
IC
二极管
ICsat
100
h
FE
BU508AD
t
IB
IBend
t
20us
26us
64us
10
VCE
t
1
0.1
1
IC / A
10
如图3所示。开关时间波形。
图6 。典型的直流电流增益。
FE
= F（我
C
)
参数V
CE
1998年7月
3
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AX
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
VCESAT / V
BU508AD
10
第i K / W
bu508ax
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.1
0.01
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
1.0E+1
T
0.001
1.0E-07
1.0E-05
T / S
1E-03
1.0E-01
0.1
1
IC / A
10
图7 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
C
） ;参数I
C
/I
B
BU508AD
图10 。瞬态热阻抗。
Z
日J- HS
= F（T） ;参数D = T
p
/T
归一化功率降额
与复合散热器
1.4
VBESAT / V
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
PD ％
1.2
IC = 6A
1
IC = 4.5A
IC = 3A
0.8
0.6
0
0
1
2
3
20
40
60
IB / A
4
80
部份效果/ C
100
120
140
图8 。典型的基极 - 发射极饱和电压。
V
BE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
BU508AD
图11 。归一化的功率耗散。
PD ％ = 100
P
D
/P
25℃
= F（T
hs
)
VCESAT / V
10
1
IC = 6A
IC = 4.5A
IC = 3A
0.1
0.1
1
IB / A
10
图9 。典型的集电极 - 发射极饱和电压。
V
CE
SAT = F （I
B
） ;参数I
C
1998年7月
4
启1.200
飞利浦半导体
产品speci fi cation
硅扩散型功率晶体管
BU508AX
100
IC / A
100
IC / A
= 0.01
= 0.01
TP =
ICM最大
10
IC最大
II
ICM最大
10
IC最大
II
TP =
10我们
10我们
P合计最大
P合计最大
1
100美
1
100美
I
1毫秒
I
1毫秒
0.1
10毫秒
DC
0.1
10毫秒
DC
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
0.01
1
10
100
VCE / V
1000
图12 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB ：
安装有散热片和复合
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
图13 。正向偏置安全工作区。牛逼
hs
= 25C
I
允许的直流操作区域。
II
扩展重复脉冲操作。
NB ：
没有安装散热器化合物和
30
±
在中央5牛顿的力
信封。
1998年7月
5
启1.200
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BZT52-B68
BCM1125HA2K400
BY36931
BD46231G
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    电话：0755-82780082
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    BU508AX
    -
    -
    -
    -
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BU508AX
ST
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PH
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ST
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ST
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