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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
BU126
描述
·采用TO-3封装
·高击穿电压
应用
·对于稳压器，逆变器，开关
模式电源应用
钉扎（参照图2）
针
1
2
3
BASE
辐射源
集热器
Fig.1简化外形（ TO- 3 ）和符号
描述
绝对最大额定值（Ta =
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
I
CM
I
B
P
T
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
集电极电流峰值
基极电流
总功耗
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
价值
750
300
3.0
6.0
2.0
40
125
-65~125
单位
V
V
A
A
A
W
热特性
符号
R
第j个-C
参数
热阻结到外壳
最大
2.5
单位
K / W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压维持
发射极 - 基极击穿votage
集电极 - 发射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
输出电容
跃迁频率
下降时间
条件
I
C
= 0.1A ;我
B
=0;
I
E
= 1毫安;我
C
=0
I
C
= 2.5 A;我
B
=0.25A
I
C
= 4 A;我
B
=1A
I
C
=4A;I
B
=1A
V
CE
=750V;V
BE
=0
Ta=125
V
EB
= 5V ;我
C
=0
I
C
= 1A ; V
CE
=5V
I
E
=0; V
CB
=10V;f=0.5MHz
I
C
= 0.2 A; V
CE
=10V
I
C
= 2.5A ;我
B
=0.25A
15
75
10
0.2
民
300
6
典型值。
BU126
符号
V
CEO （ SUS ）
V
（ BR ） EBO
V
CEsat-1
V
CEsat-2
V
BESAT
I
CES
I
EBO
h
FE
C
OB
f
T
t
f
最大
单位
V
V
10
5.0
1.5
0.5
2
0.1
V
V
V
mA
mA
pF
兆赫
s
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
BU126
图2外形尺寸
3
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
博卡半导体公司
BSC
http://www.bocasemi.com
A
A
A
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