BS223
DMOS晶体管（ P沟道）
TO-92
.181 (4.6)
分钟。 0.492 （12.5） 0.181 （4.6）
.142 (3.6)
特点
高输入阻抗
低栅极阈值电压
低漏源导通电阻
高速开关
没有少数载流子存储时间
CMOS逻辑兼容输入
无热失控
无二次击穿
马克斯。
.022 (0.55)
.098 (2.5)
D
G
S
机械数据
案例：
TO- 92塑料包装
重量：
约。 0.18克
尺寸以英寸（毫米）
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压（脉冲）
漏电流（连续）在T
AMB
= 25 °C
在T功耗
AMB
= 25 °C
结温
存储温度范围
1)
价值
60
60
±20
1
830
1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
A
mW
°C
°C
–V
DSS
–V
DGS
V
GS
–I
D
P
合计
T
j
T
S
有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。
逆二极管
符号
马克斯。正向电流（连续）
在T
AMB
= 25 °C
正向压降（典型值）。
在V
GS
= 0 V，I
F
= 1毫安，T
j
= 25 °C
I
F
V
F
价值
1
1.0
单位
A
V
4/98
BS223
电气特性
在25 ° C环境温度，除非另有规定等级
符号
漏源击穿电压
在-I
D
= 100
A,
V
GS
= 0 V
门体漏电流，正向
在-V
GSF
= 20 V, V
DS
= 0 V
门体漏电流，反向
在-V
GSR
= 20 V, V
DS
= 0 V
排水截止电流
在-V
DS
= 60 V, V
GS
= 0 V
门源阈值电压
在V
GS
= V
DS
, –I
D
= 250
A
漏源导通电阻
在-V
GS
= 10 V ， -I
D
= 600毫安
电容
在-V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
输入电容
输出电容
反馈电容
开关时间
在-V
GS
= 10 V, –V
DS
= 10 V ，R
D
= 100
开启时间
打开-O FF时间
热阻结到环境空气
1)
分钟。
60
–
–
–
1
–
典型值。
70
–
–
–
1.5
0.7
马克斯。
–
500
500
250
3
0.8
单位
V
nA
nA
A
V
–V
（ BR ） DSS
–I
GSSF
–I
GSSR
–I
DSS
–V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
–
–
–
350
150
35
–
–
–
pF
pF
pF
t
on
t
关闭
R
thJA
–
–
–
40
100
–
–
–
150
1)
ns
ns
K / W
有效的条件是引线保持在环境温度下，以2毫米的情况下的距离。
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