CYStech电子股份有限公司
低V
CE ( SAT )
PNP外延平面晶体管
规格。编号: C817M3 -H
发行日期: 2003年6月17日
修订日期: 2005年8月19日
页: 1/5
BTB772AM3
特点
低V
CE
(SAT) ,通常0.3 V ,在我
C
/ I
B
= -2A / -0.2A
出色的电流增益特性
补充BTD882AM3
符号
BTB772AM3
概要
SOT-89
B:基本
C:收藏家
E:发射器
B权证
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极电流(脉冲)
功耗
热阻,结到
环境
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
Pd
极限
-50
-50
-6
-3
-7
(注1 )
600
1
(注2 )
2
(注3)
208
125 (注2)
62.5 (注3)
150
-55~+150
单位
V
V
V
A
A
mW
W
W
° C / W
° C / W
° C / W
°C
°C
R
θJA
T
j
T
英镑
注: 1。单脉冲PW ≦ 350μS ,占空比≦ 2 % 。
2.当安装在FR-4印刷电路板与测量面积10×10 ×1毫米。
3.当安装在陶瓷板面积测量40 ×40× 1毫米。
BTB772AM3
CYStek产品规格
CYStech电子股份有限公司
SOT- 89外形尺寸
A
规格。编号: C817M3 -H
发行日期: 2003年6月17日
修订日期: 2005年8月19日
页页次:5/5
标记:
1
2
C
3
H
AE
B
D
类型:Pin 1.底座2.收藏家3. Emitter
E
F
G
I
3引脚SOT- 89塑料
表面贴装封装
CYStek包装代码: M3
* :典型
暗淡
A
B
C
D
E
英寸
分钟。
马克斯。
0.1732 0.1811
0.1594 0.1673
0.0591 0.0663
0.0945 0.1024
0.01417 0.0201
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
4.40
4.60
4.05
4.25
1.50
1.70
2.40
2.60
0.36
0.51
暗淡
F
G
H
I
英寸
分钟。
马克斯。
0.0583 0.0598
0.1165 0.1197
0.0551 0.0630
0.0138 0.0161
MILLIMETERS
分钟。
马克斯。
1.48
1.527
2.96
3.04
1.40
1.60
0.35
0.41
注意事项:
1.Controlling尺寸:毫米。
2.最大引线厚度包括铅镀层厚度和最小厚度的引线是基体材料的最小厚度。
3.如果没有与包装规格或包装方法有任何疑问,请联系您当地的CYStek销售办事处。
材质:
导语: 42合金;镀锡
模塑料:环氧树脂系列,可燃性固体燃烧等级: UL94V- 0
重要通知:
保留所有权利。严禁复制全部或部分不CYStek的事先书面批准。
CYStek保留随时修改其产品,恕不另行通知。
CYStek
半导体产品不保证适合于生命支持应用程序或系统。
CYStek自行提供客户产品设计,专利侵权,或申请援助的任何后果不承担任何责任。
BTB772AM3
CYStek产品规格